Il nuovo dispositivo offre alimentazione bidirezionale all’interno delle applicazioni USB.
Toshiba Electronics Europe ha lanciato il suo primo MOSFET Common-drain a canale N da 30 V, il dispositivo SSM10N961L. Il nuovo MOSFET offre un funzionamento a basse perdite ed è specificamente destinato all’uso all’interno di interfacce USB. Inoltre, può essere utilizzato per proteggere i pacchi batteria nelle applicazioni mobili.
Ideale per lo standard USB PD
Data l’ubiquità delle interfacce USB, molti componenti e dispositivi sono stati sviluppati per supportare gli standard USB. Lo standard USB Power Delivery (USB PD) supporta livelli di potenza più elevati da 15 W (5 V / 3 A) a un massimo di 240 W (48 V / 5 A) e consente lo scambio del lato di alimentazione e di ricezione. Ciò richiede che i dispositivi con ricarica USB supportino l’alimentazione bidirezionale e questo è il caso d’uso per cui è stato progettato il nuovo MOSFET a drain comune a canale N SSM10N961L.
Fino ad ora, i MOSFET Common-drain a canale N di Toshiba erano disponibili a 12 V, destinati principalmente alla protezione delle batterie agli ioni di litio (Li-ion) all’interno degli smartphone. Il nuovo prodotto da 30 V può essere utilizzato per applicazioni che richiedono tensioni superiori a 12 V come la commutazione del carico per linee elettriche di dispositivi di ricarica USB e la protezione di pacchi batteria agli ioni di litio per apparecchi alimentati a batteria.
Caratteristiche dell’SSM10N961L
L’SSM10N961L combina due canali N in una configurazione di drenaggio comune che è la caratteristica che consente il funzionamento bidirezionale. La tensione di rottura source-source (V(BR)SSS) è 30 V per l’uso in applicazioni a tensioni più elevate come quelle presenti in laptop e tablet. Per ridurre le perdite in tutte le applicazioni, la resistenza di attivazione source-source (RSS(ON)) è generalmente di appena 9,9 mΩ.
Se montato su un pad Cu da 18 µm, 407 mm2, la corrente nominale del dispositivo arriva a 9,0 A. Se le dimensioni e lo spessore del pad vengono aumentati a 70 µm e 687,5 mm2, la corrente nominale aumenta a 14,0 A.
Nonostante la capacità di gestione della potenza dell’SSM10N961L, il dispositivo è alloggiato in un piccolo e sottile package (TCSPAG-341501). Le ridotte dimensioni (3,37 mm×1,47 mm x 0,11 mm) consenstono lo sviluppo di soluzioni ad alta densità.
Combinando il nuovo dispositivo con un driver IC TCK42xG è possibile formare un circuito di commutazione del carico con una funzione di prevenzione del riflusso o un circuito multiplexer di potenza in grado di commutare le operazioni tra Make-Before-Break (MBB) e Break-Before-Make (BBM).
Disponibilità
Toshiba ha rilasciato un circuito multiplexer di potenza come progetto di riferimento basato su questa combinazione di prodotti. Il funzionamento del circuito è stato verificato da Toshiba, dando ai progettisti la certezza che semplificherà il processo di progettazione e ridurrà i tempi.
Il nuovo MOSFET è già disponibile. Di seguito i link con ulteriori informazioni sul MOSFET common-drain SSM10N961L e sul Progetto di riferimento del circuito multiplexer di potenza.
