Toshiba Electronics Europe ha presentato un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 100 V basato sul processo U-MOSX-H di ultima generazione di Toshiba. Il nuovo dispositivo è ideale per applicazioni impegnative come alimentatori switching per data center e per base-station, nonché per usi industriali.
Progettato per un funzionamento particolarmente efficiente, il nuovo TPH3R10AQM presenta un valore di RDS(ON) di soli 3,1 mΩ (max.). Ciò rappresenta un miglioramento del 16% rispetto al MOSFET da 100 V di Toshiba (TPH3R70APL) attualmente in produzione.
Il dispositivo garantisce una tensione drain-source (VDSS) di 100 V e una corrente di drain (ID) di 120 ampere. La bassa carica di gate (QSW) migliora l’efficienza nelle applicazioni ad alta frequenza, mentre l’elevata temperatura massima del canale (Tch) di 175°C riduce la necessità di dissipazione termica, riducendo così le dimensioni e il costo delle apparecchiature finali.
Il nuovo MOSFET ha ampliato la sua safe operating area (SOA) del 76% rispetto alla generazione precedente, il che lo rende adatto al funzionamento in modalità lineare. Questo miglioramento incrementa significativamente l’idoneità e le prestazioni dei circuiti hot swap. Inoltre, poiché l’intervallo della tensione di soglia del gate è compreso tra 2,5 V e 3,5 V, il dispositivo è meno sensibile a segnali parassiti.
Il prodotto utilizza il package SOP Advance(N) che conferisce al TPH3R10AQM un ingombro sul PCB di soli 4,9 mm x 6,1 mm.
Le spedizioni del nuovo MOSFET TPH3R10AQM sono già iniziate. Il nuovo prodotto espande la linea di robusti MOSFET di potenza di Toshiba in grado di aumentare l’efficienza dei circuiti di alimentazione, riducendo le perdite e contribuendo a ridurre il consumo energetico all’interno delle apparecchiature.
