I nuovi dispositivi si aggiungono alla serie DTMOS VI di ultima generazione con struttura a super giunzione.
Toshiba Electronics ha introdotto una nuova gamma di MOSFET di potenza a canale N.
I dispositivi TK042N65Z5 e TK095N65Z5 in package TO-247 sono i primi prodotti con diodo ad alta velocità (HSD) integrato nella serie DTMOS VI di ultima generazione.
Questa generazione di prodotti è caratterizzata ha una struttura a super giunzione adatta per gli alimentatori a commutazione in applicazioni impegnative, tra cui i data center e i condizionatori di potenza per generatori fotovoltaici (PV).
I due nuovi MOSFET di potenza utilizzano diodi intrinseci ad alta velocità per migliorare le caratteristiche fondamentali di recupero inverso nelle applicazioni circuitali quali ponti e inverter. Rispetto ai prodotti DTMOS VI standard, i dispositivi TK042N65Z5 e TK095N65Z5 ottengono una riduzione del 65 % del tempo di recupero inverso (trr) con valori rispettivamente di 160 ns e 115 ns.
In relazione ai MOSFET standard di Toshiba, i nuovi prodotti riducono la carica di recupero inversa (Qrr) dell’88% e la corrente di cutoff al drain del 90 % alle alte temperature (TK042N65Z5). Inoltre, la cifra di merito (FoM) chiave del prodotto RDS(ON) * Qgd è ridotta di circa il 72% rispetto a quella del dispositivo esistente TK62N60W5 di Toshiba.
Questi miglioramenti significativi riducono le perdite di potenza delle apparecchiature, migliorandone l’efficienza. Ad esempio, in un circuito LLC da 1,5kW, il MOSFET TK042N65Z5 mostra un miglioramento dell’efficienza di alimentazione di circa lo 0,4% rispetto al dispositivo TK62N60W5 di generazione precedente.
I nuovi TK042N65Z5 e TK095N65Z5 presentano valori di RDS(ON) di 42 mΩ e 95 mΩ rispettivamente e sono in grado di erogare correnti di drain (ID) fino a 55 A e 29 A.
Entrambi i dispositivi sono alloggiati in un minuscolo package TO-247.
È anche disponibile un nuovo progetto di riferimento aggiornato di un alimentatore per server da 1,6 kW basato sul nuovo dispositivo TK095N65Z5. Toshiba offre anche tool che supportano la progettazione circuitale degli alimentatori a commutazione. Accanto al modello G0 SPICE, che verifica rapidamente il funzionamento del circuito, sono ora disponibili modelli G2 SPICE altamente accurati, i quali riproducono con precisione le caratteristiche in transitorio.
Oltre ai prodotti DTMOS VI da 650 V e 600 V già introdotti, Toshiba continuerà ad espandere la propria gamma di dispositivi DTMOS VI con diodi ad alta velocità per migliorare l’efficienza degli alimentatori a commutazione, contribuendo al risparmio energetico.
Ulteriori informazioni sui nuovi MOSFET di potenza a canale N da 650V sono disponibili al seguente link.
