I nuovi dispositivi, basati sull’ultimo processo U-MOS IX-H, offrono maggiore resistenza e dimensioni ridotte.
Toshiba Electronics Europe ha lanciato due MOSFET di potenza a canale N da 40V per automotive basati sull’ultimo processo U-MOS IX-H. I nuovi dispositivi utilizzano un innovativo package S-TOGLTM (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) che offre una serie di vantaggi nelle applicazioni automotive.
Le applicazioni critiche per la sicurezza automotive, come i sistemi di sterzo, frenata e guida autonoma richiedono in genere, rispetto ad altri sistemi, un numero superiore di dispositivi per soddisfare i requisiti di ridondanza. In questo caso, a causa dei vincoli dimensionali all’interno delle vetture, è necessario un MOSFET di potenza ad alta densità di corrente.
Le caratteristiche dei nuovi MOSFET
I nuovi XPJR6604PB e XPJ1R004PB presentano una tensione nominale VDSS di 40V e l’XPJR6604PB offre una corrente di drain in continua (ID) di 200A (XPJ1R004PB = 160A).
Entrambi i dispositivi sono caratterizzati da una corrente impulsata (IDP) pari a 3 volte questo valore, di 600A e 480A rispettivamente. La corrente nominale di 200A è superiore rispetto a quella raggiunta dal package DPAK+ da 6,5 mm × 9,5 mm di Toshiba.
I nuovi MOSFET automotive XPJR6604PB e XPJ1R004PB utilizzano l’innovativo package S-TOGLTM di Toshiba, che misura appena 7,0mm × 8,44mm × 2,3mm. I prodotti sono privi di supporti e presentano una struttura multi-pin per i pin sorgente che diminuisce significativamente la resistenza del package.
La combinazione del package S-TOGLTM con il processo U-MOS IX-H di Toshiba offre al MOSFET XPJR6604PB un valore di resistenza di on RDSON di soli 0,66 mΩ (XPJ1R004PB = 1,0 mΩ), che rappresenta una riduzione di circa l’11% rispetto al MOSFET TKR74F04PB esistente di Toshiba alloggiato in package TO-220SM(W). Rispetto a quest’ultimo dispositivo, l’area di montaggio è ridotta di circa il 55%, pur mantenendo i valori caratteristici di resistenza termica dal canale verso il case Zth(ch-c) dei MOSFET XPJR6604PB = 0,4°C/W e XPJ1R004PB = 0,67°C/W.
Ideali per applicazioni automobilistiche
Molte applicazioni automotive si trovano in ambienti estremamente gravosi, quindi l’affidabilità dei giunti di saldatura per il montaggio superficiale costituisce un aspetto critico. Il package S-TOGLTM di Toshiba utilizza connettori ad ali di gabbiano che riducono le sollecitazioni di montaggio, migliorando l’affidabilità del giunto di saldatura.
I MOSFET sono adatti per ambienti con temperature estreme, sono qualificati AEC-Q101 e sono in grado di funzionare con temperature di canale (Tch) fino a 175°C.
Toshiba offre spedizioni abbinate dei dispositivi, con una variabilità delle tensioni di soglia di gate che non supera 0,4V per ogni bobina. Ciò consente di ottenere formati con piccole variazioni delle caratteristiche, per le applicazioni che richiedono connessioni in parallelo per il funzionamento ad alta corrente.
Le consegne in volumi di produzione dei nuovi dispositivi sono iniziate oggi.
Ulteriori informazioni sui nuovi MOSFET sono disponibili al seguente link.
