Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation presenta il dispositivo MG250YD2YMS3, il primo modulo dual MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 2.200 V per impieghi in ambito industriale. Il nuovo modulo presenta una corrente nominale di drain (DC) di 250 A e utilizza MOSFET SiC di terza generazione della stessa azienda. È adatto per applicazioni con tensione operativa di 1500 V DC, come sistemi di alimentazione fotovoltaica e sistemi di accumulo di energia. Il modulo è già disponibile in volumi.
Le applicazioni industriali come quelle sopra menzionate utilizzano generalmente una tensione non superiore a 1.000 V DC e per queste applicazioni vengono utilizzati semiconduttori con tensionedi lavoro massima di 1.200 o 1.700 V. Tuttavia, prevedendo un sempre più ampio utilizzo dei sistemi a 1.500 V DC, Toshiba ha lanciato il primo prodotto da 2.200V del settore.
MG250YD2YMS3 offre una bassa perdita di conduzione con una bassa tensione di alimentazione drain-source di appena 0,7 V (tipica); offre inoltre una minore perdita di commutazione all’accensione e allo spegnimento, rispettivamente di 14 mJ e 11 mJ (tipica), con una riduzione di circa il 90% rispetto ad un tradizionale IGBT in silicio. Queste caratteristiche contribuiscono a una maggiore efficienza delle apparecchiature controllate. La bassa perdita di commutazione consente inoltre di sostituire il circuito convenzionale a tre livelli con un circuito a due livelli con un numero di moduli inferiore, contribuendo alla miniaturizzazione delle apparecchiature.
Toshiba intende continuare a soddisfare in futuro le esigenze del mercato in termini di alta efficienza e ridimensionamento delle apparecchiature industriali.
Applicazioni
Apparecchiature industriali
– Sistemi di generazione di energia da fonti rinnovabili (sistemi fotovoltaici, ecc.)
– Sistemi di accumulo dell’energia
– Apparecchiature di controllo motori per apparecchiature industriali
– Convertitori DC-DC ad alta frequenza, ecc.
Caratteristiche tecniche
 da 2.200 V per il settore industriale){kind=link}