Le prestazioni migliorate e le perdite ridotte aumenteranno l’efficienza degli alimentatori.
Toshiba Electronics Europe ha aggiunto altri quattro dispositivi MOSFET di potenza a supergiunzione a canale N da 650V per estendere la propria serie DTMOSVI. I nuovi dispositivi fanno seguito al successo di mercato dei dispositivi attuali e saranno utilizzati principalmente in applicazioni quali l’alimentazione in campo industriale e per l’illuminazione e altre applicazioni in cui è richiesta la massima efficienza con un fattore di forma ridotto.
I nuovi MOSFET TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z e TK190E65Z consentono di ottenere una riduzione del 40% rispetto alla generazione precedente di DTMOS della figura di merito (FoM) del prodotto resistenza di on al drain-source (RDSON) x carica al gate-drain (Qgd). Ciò si tradurrà in una sostanziale diminuzione delle perdite di commutazione rispetto ai dispositivi precedenti. Di conseguenza, i progetti che incorporano i nuovi dispositivi osserveranno un aumento di efficienza. Il miglioramento delle prestazioni interesserà sia i nuovi progetti che agli aggiornamenti dei progetti esistenti.
Tutti e quattro i nuovi dispositivi offrono una tensione al drain-source (VDSS) di 650V con una capacità di corrente di drain (ID) fino a 30A. La resistenza di on al drain-source (RDSON) è di appena 0,09 Ohm e la carica di gate-drain la carica (Qgd) è di soli 7,1nC, consentendo il funzionamento con basse perdite alle alte velocità. Tutti i dispositivi sono alloggiati in package standard TO-220 a foro passante.
Toshiba continuerà ad espandere la propria linea di prodotti per rispondere alle tendenze del mercato e per contribuire a migliorare l’efficienza degli alimentatori e dei sistemi.
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