Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ha annunciato oggi che costruirà un nuovo impianto di produzione back-end per semiconduttori di potenza presso la sua sede di Himeji Operations – Semiconductor, nella prefettura di Hyogo nel Giappone occidentale. La costruzione inizierà nel giugno 2024, con l’inizio della produzione previsto per la primavera del 2025. Il progetto raddoppierà la capacità di produzione di semiconduttori di potenza per autoveicoli di Toshiba a Himeji rispetto alla produzione del 2022.
I dispositivi di potenza sono componenti essenziali per la gestione e la riduzione del consumo energetico in tutti i tipi di apparecchiature elettroniche e per il risparmio energetico. Toshiba prevede che la domanda di MOSFET a bassa tensione, tecnologia sulla quale è focalizzata l’azienda, vedrà una crescita continua con il progresso dell’elettrificazione dei veicoli e l’automazione delle apparecchiature industriali. Per soddisfare la domanda in forte crescita di questo genere di dispositivi, la società ha deciso di creare una nuova struttura di back-end dove i componenti vengono testati e assemblati.
Ciò consentirà anche di aumenterà la competitività dell’azienda con prodotti ad alta efficienza e alta affidabilità.
L’attuale sito produttivo di Himeji, attivo dal 1982, produce semiconduttori discreti e di potenza dando lavoro a circa 1.400 persone.
Toshiba non ha comunicato il valore dell’investimento annunciato oggi.
