Lo ha dichiarato il Presidente e CEO di ST Jean-Marc Chéry durante la Conference Call che ha fatto seguito alla presentazione dei risultati del primo trimestre 2023. Le vendite saliranno a 2 miliardi nel 2025/2026 e a 5 miliardi nel 2030. Attualmente la quota di mercato mondiale di ST è del 40%.
L’incontro con gli analisti finanziari che ha fatto seguito alla presentazione dei conti del Q1 2023 è stata l’occasione per approfondire alcuni aspetti del business della multinazionale italo-francese che i numeri, spesso, non sono in grado di evidenziare.
Molte delle domande degli analisti hanno riguardato la produzione di dispositivi in carburo di silicio la cui richiesta è in forte aumento grazie alla maggiore efficienza energetica che questi dispositivi sono in grado di offrire rispetto al silicio nelle applicazioni di potenza. Tale caratteristica è particolarmente preziosa nelle applicazioni automobilistiche dove, il maggior costo di questi dispositivi rispetto a quelli in silicio, viene ampiamente ripagato dalla riduzione delle dimensioni e del peso di inverter e convertitori di energia, che si traduce alla fine in una maggiore autonomia e in tempi di ricarica più brevi per le vetture elettriche.
Il carburo di silicio consente una maggiore frequenza di commutazione e temperatura operativa, una maggiore efficienza, minori perdite di commutazione, un’elevata densità di potenza, una migliore gestione termica e dimensioni e peso ridotti.
Anche nel settore industriale e in molte applicazioni civili, questa tecnologia sta rapidamente sostituendo il silicio che resiste principalmente nelle applicazioni ad alta tensione ed altissima potenza dove gli IGBT garantiscono ancora un buon rapporto prezzo/prestazioni.
STMicroelectronics è l’azienda che nel 2017, grazie all’accordo di fornitura con Tesla, ha dato il via alla produzione di massa di dispositivi con questa tecnologia dopo oltre 20 anni di studi e test. A differenza del silicio, il carburo di silicio è molto più complesso da produrre e da lavorare e la sua filiera produttiva coincide con quella del silicio solo in un numero limitato di processi.
Se da un lato l’elettrificazione, in tutti i suoi aspetti, sta alimentando una forte richiesta di dispositivi SiC, dall’altro le difficoltà produttive stanno frenando l’offerta, nonostante siano sempre più numerose le aziende che stanno entrando in questo mercato.
Attualmente STMicroelectronices è leader mondiale di mercato con una quota di circa il 40%.
Secondo l’ultimo rapporto di TrendForce, il mercato complessivo dei dispositivi di alimentazione SiC crescerà a un tasso annuo del 41,4% per raggiungere i 2,28 miliardi di dollari entro il 2023 e i 5,33 miliardi entro il 2026 con una crescita annuale del 35%.
Durante la Conference Call, Jean-Marc Chéry – Presidente e CEO di STMicroelectronics – ha annunciato che le vendite di dispositivi in carburo di silicio nel 2023 raggiungeranno 1,2 miliardi di dollari, il 20% in più rispetto alla precedente stima di gennaio, grazie all’aumento dei progetti in fase di sviluppo: “Tra il mercato automobilistico e quello industriale, attualmente abbiamo in corso 130 progetti distribuiti su 85 clienti. Circa il 60% di questi progetti è per clienti automobilistici”, ha affermato Chéry.
La società prevede di espandere ulteriormente le vendite grazie alla forte richiesta e ai contratti siglati con nuovi clienti come quello annunciato di recente con la tedesca ZF che prevede la fornitura di milioni di dispositivi che ZF utilizzerà per la sua architettura modulare che entrerà in produzione nel 2025.
Secondo Chéry, la domanda si sta diversificando e sviluppando oltre al cliente principale (Tesla, ndr) che attualmente rappresenta meno del 65% delle entrate totali dell’azienda in ambito SiC. I programmi vinti negli ultimi 2-3 anni stanno iniziando a generare entrate significative per ST.
Chéry si è anche sbilanciato su previsioni nel lungo periodo dichiarandosi fiducioso di poter raggiungere vendite per 2 miliardi di dollari entro il 2025/2026 e di oltre 5 miliardi entro il 2030 quando il mercato del carburo di silicio raggiungerà un valore di 15 miliardi.
Più in generale, la presentazione della trimestrale è stata l’occasione per annunciare una leggera revisione delle stime dei ricavi per l’anno in corso, la cui forchetta è ora prevista in 17÷17,8 miliardi contro la precedente stima di 16,8÷17,8 miliardi, che rappresenta una crescita rispetto al 2022 compresa tra circa il 5% e il 10%. Jean-Marc Chéry ha anche confermato l’obiettivo dei 20 miliardi di vendite entro il 2026/2027.
La maggior capacità produttiva necessaria a sostenere l’incremento delle vendite nel 2023 di dispositivi in carburo di silicio è stata sostenuta dai forti investimenti dell’ultimo trimestre del 2022. Per quest’anno, complessivamente, ST conferma il piano di investimenti di circa 4 miliardi di dollari in CapEx, con circa l’80% di questo importo destinato alla nuova capacità produttiva, compresi i substrati SiC. Il restante 20% è destinato ai laboratori di ricerca e sviluppo, alla manutenzione degli impianti e alle iniziative di sostenibilità aziendale.
Attualmente la capacità produttiva SiC di front-end comprende gli stabilimenti di Catania e Singapore mentre per le operazioni di back-end può fare affidamento sugli impianti di Shenzhen (Cina) e di Bouskoura (Marocco).
Per quanto riguarda la fornitura di substrati, un importante collo di bottiglia nella filiera SiC, Jean-Marc Chéry ha dichiarato che la società, in attesa di poter aumentare la capacità interna, si è assicurata il materiale necessario da diverse fonti situate in diversi luoghi del mondo che garantiranno le forniture necessarie.
Sul fronte interno, la società sta preparando la transizione dai substrati a 6 pollici a quelli da 8. Nella struttura svedese ex-Nortel di Norrköping è in fase di qualificazione la tecnologia ad 8 pollici con la quale inizieranno le attività nella seconda metà del 2024.
“Il 200 millimetri non è un gioco da ragazzi per il carburo di silicio” ha affermato Chéry “Quando aumenti le dimensioni del wafer nascono numerosi problemi meccanici che non sono facili da controllare”.
In questo processo di transizione, l’azienda punta molto anche sulla tecnologia Smart, che offrirà prestazioni migliori sul dispositivo, costi inferiori a livello di substrato e renderà più semplice la conversione verso i 200 millimetri.
La fornitura di substrati SiC per il futuro sarà garantita anche dal nuovo impianto che sorgerà a Catania per la produzione di wafer epitassiali da 6 pollici, vicino all’attuale impianto produttivo di front-end.
Nella tecnologia di processo, ST è attualmente impegnata nella transizione dall’attuale terza generazione verso Gen 4 e Gen5. La Generazione 4 sarà matura nella seconda metà del 2023, con la produzione in volumi che inizierà nel 2024.
La generazione 5 seguirà dopo 18 mesi circa. Entrambe sono ancora tecnologie planari che introducono maggiore efficienza, densità di potenza e migliori prestazioni di commutazione, in attesa della Generazione 6 che introdurrà un cambiamento radicale nell’architettura dei dispositivi in carburo di silicio.
