Il gate driver a canale singolo STGAP2SiCSN, ottimizzato per controllare i MOSFET al carburo di silicio e disponibile in contenitore SO-8 narrow-body, offre prestazioni robuste e un accurato controllo PWM.
Per semplificare la progettazione dei sistemi di conversione di potenza basati su tecnologia SiC – sempre più diffusi grazie alla maggiore efficienza e alle dimensioni più contenute – STMicroelectronics presenta il gate driver STGAP2SiCSN che consente anche di migliorare la robustezza e l’affidabilità dei dispositivi dove viene impiegato. Le applicazioni includono sistemi di ricarica per veicoli elettrici, alimentatori switching, correzione del fattore di potenza ad alta tensione (PFC), convertitori DC/DC, gruppi di continuità (UPS), energia solare, azionamenti motore, ventilatori, automazione industriale, elettrodomestici e riscaldamento a induzione.
Dotato di isolamento galvanico tra il canale di azionamento del gate e il controllo a bassa tensione, l’STGAP2SiCSN funziona fino a 1700 V sulla linea ad alta tensione. Il tempo di propagazione ingresso-uscita inferiore a 75 ns garantisce un’elevata precisione del segnale PWM, con una commutazione affidabile grazie all’immunità ai transitori di modo comune (CMTI) di ±100 V/ns. La protezione integrata include un blocco di sottotensione (UVLO), con una specifica soglia in grado di impedire che gli elementi di potenza SiC funzionino in condizioni di bassa efficienza o poco sicure, e una protezione termica che inibisce le uscite del driver qualora venga rilevata una temperatura di giunzione eccessiva.
Sono disponibili due configurazioni opzionali: la prima prevede uscite separate che consentono di ottimizzare indipendentemente i tempi di accensione e spegnimento utilizzando un resistore esterno; la seconda contempla un’uscita singola con funzione Miller Clamping. La configurazione a uscita singola migliora la stabilità nelle applicazioni di commutazione ad alta frequenza, sfruttando la funzione Miller Clamping per evitare un’eccessiva oscillazione dell’elemento di potenza.
Gli ingressi logici STGAP2SiCSN sono compatibili TTL e CMOS fino a 3,3 V, semplificando la connessione a un microcontrollore host o a un DSP. Il driver può assorbire o generare fino a 4A con una tensione di pilotaggio del gate fino a 26V. Un diodo bootstrap integrato semplifica la progettazione e migliora l’affidabilità, mentre un pin di ingresso separato per lo spegnimento aiuta a ridurre al minimo il consumo energetico del sistema.
L’STGAP2SiCSNTR è già disponibile nel package SO-8N da 5mm al prezzo unitario di USD 1,25 per ordini di 1000 pezzi.
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