Il nuovo gate driver riduce le dimensioni e i costi della distinta dei materiali e garantisce una sicurezza e un’affidabilità superiori.
Il driver a canale singolo STGAP2GS può essere collegato a un rail ad alta tensione fino a 1200 V o 1700 V con la versione a corpo stretto STGAP2GS(N) ed è in grado di fornire una tensione di pilotaggio di gate fino a 15 V. Può erogare (o assorbire) una corrente di gate fino a 3 A al transistor GaN collegato, garantendo commutazioni precise e controllate, fino a frequenze operative elevate.
Con un ritardo di propagazione minimo attraverso la barriera di isolamento, di soli 45 ns, STGAP2GS garantisce una rapida risposta dinamica. L’immunità ai transitori dV/dt di ±100V/ns nell’intero intervallo di temperatura protegge da inneschi indesiderati il gate del transistor. L’STGAP2GS è disponibile con pin sink e source separati per una facile messa a punto del funzionamento e delle prestazioni di pilotaggio del gate.
Risparmiando la necessità di componenti discreti per fornire l’isolamento ottico, il driver STGAP2GS facilita l’adozione di una tecnologia GaN efficiente e robusta in varie applicazioni industriali e di consumo tra le quali alimentatori per server, apparecchiature di automazione di fabbrica, driver di motori, sistemi di energia solare ed eolica, elettrodomestici, ventilatori e caricabatterie wireless.
Oltre a integrare l’isolamento galvanico, il driver è dotato anche di funzioni integrate di protezione tra cui spegnimento termico e blocco di sottotensione (UVLO) ottimizzato per la tecnologia GaN, in grado di garantire affidabilità e robustezza.
Le due demo board EVSTGAP2GS e EVSTGAP2GSN combinano la versione standard STGAP2GS e quella a corpo stretto STGAP2GSN con i transistor GaN di ST SGT120R65AL da 650 V 75 milliOhm dando la possibilità agli utenti di valutare le prestazioni dei driver.
L’STGAP2GS in package widebody SO-8 e la versione a corpo stretto STGAP2GSN SO-8 sono già disponibili al prezzo unitario di 1,42 USD per ordini di 1000 pezzi.
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