Facendo seguito alle precedenti dichiarazioni di intenti, STMicroelectronics e Sanan Optoelectronics hanno annunciato di aver firmato un accordo per la creazione di una JV manifatturiera a Chongqing, in Cina, per la produzione di dispositivi in carburo di silicio utilizzando wafer da 200 mm. Il nuovo impianto produttivo SiC dovrebbe iniziare la produzione nel quarto trimestre del 2025 mentre il completamento della costruzione è previsto per il 2028, a sostegno della crescente domanda cinese di elettrificazione delle automobili e di applicazioni industriali per l’energia e la potenza.
Parallelamente, Sanan costruirà e gestirà separatamente un nuovo impianto di produzione di substrati in SiC da 200 mm per soddisfare le esigenze della JV, utilizzando il proprio processo di produzione di substrati SiC.
La JV produrrà dispositivi SiC esclusivamente per STMicroelectronics, utilizzando la tecnologia di processo manifatturiero SiC di cui ST è proprietaria, e fungerà da foundry dedicata a ST per soddisfare la domanda dei suoi clienti cinesi.
Per la realizzazione della JV è previsto un investimento di circa 3,2 miliardi di dollari, comprese le spese in conto capitale di circa 2,4 miliardi di dollari nel corso dei prossimi 5 anni, che saranno finanziate dai contributi di STMicroelectronics e Sanan, dal sostegno del governo locale e da prestiti alla JV.
“La Cina si sta muovendo rapidamente verso l’elettrificazione nel settore automotive e industrial e questo è un mercato in cui ST è già ben consolidata con molti programmi in corso con i nostri clienti. La creazione di una foundry dedicata con un partner locale chiave è il modo più efficiente per soddisfare la crescente domanda dei nostri clienti cinesi. Mettere insieme il futuro impianto di produzione di substrati da 200 mm di Sanan con la JV front-end e l’attuale impianto back-end di ST a Shenzhen (Cina), consentirà a ST di offrire ai nostri clienti cinesi una catena del valore SiC completamente integrata verticalmente”, ha dichiarato Jean-Marc Chery, President & CEO di STMicroelectronics.
“Si tratta di un passo importante per aumentare ulteriormente le nostre attività operative manifatturiere globali nel settore del carburo di silicio, che si aggiunge ai nostri importanti investimenti in Italia e a Singapore che continuano ad andare avanti. Ci aspettiamo che questa joint venture sia uno dei fattori per afferrare l’opportunità che vediamo di raggiungere un fatturato SiC di 5 miliardi e oltre di dollari entro il 2030. Questa iniziativa è coerente con l’ambizione di ST di ricavi per 20 miliardi e oltre di dollari nel 2025-27 e con il relativo modello finanziario, precedentemente comunicato ai mercati finanziari.”
“La creazione di questa joint venture sarà una forza trainante importante per l’ampia adozione di dispositivi SiC sul mercato cinese”, ha detto Simon Lin, amministratore delegato di Sanan Optoelectronics. “Essendo una società di servizi di fonderia SiC internazionale, ben conosciuta e di alta qualità, Sanan fornirà anche il suo substrato SiC a questa nuova joint venture, costruendo una nuova fabbrica dedicata di substrati in SiC. Si tratta di un passo importante per le ambizioni di Sanan Optoelectronics come foundry SiC. Con questa nuova JV e la nuova espansione della capacità di substrati SiC, siamo fiduciosi di continuare a prendere la guida del mercato delle foundry SiC”.
Il completamento del progetto è soggetto alle approvazioni previste dalle norme.
