I dispositivi soddisfano gli obiettivi di costo e prestazioni e spostano gli sforzi alla fase di qualificazione.
STMicroelectronics e MACOM Technology Solutions Holdings, fornitore leader di prodotti a semiconduttore per telecomunicazioni, difesa e data center, hanno annunciato la produzione dei primi prototipi a radiofrequenza di nitruro di gallio su silicio (RF GaN-on-Si); le due società intendono proseguire e rafforzare la loro collaborazione.
RF GaN-on-Silicon offre un elevato potenziale per l’infrastruttura 5G e 6G. Questo settore, in particolare quello degli amplificatori di potenza RF, è dominato dalla tecnologia LDMOS (laterally-diffused metal-oxide semiconductor). Le soluzioni GaN possono offrire caratteristiche RF migliori e una potenza di uscita significativamente maggiore rispetto ai dispositivi LDMOS. Inoltre, questi dispositivi possono essere prodotti su wafer di silicio o carburo di silicio (SiC). La tecnologia RF GaN-on-SiC può essere più costosa a causa del maggior costo dei wafer SiC per alta potenza e per i bassi volumi di questi processi. D’altra parte, la tecnologia GaN-on-Si in fase di sviluppo da parte di ST e MACOM dovrebbe offrire prestazioni competitive abbinate a grandi economie di scala, rese possibili dalla sua integrazione nei flussi di processo standard, simili a quelli CMOS. Della tecnologia RF GaN-on-Silicon ha anche parlato Remi El-Ouazzane, President, Microcontrollers & Digital ICs Group di STMicroelectronics durante il recente Capital Markets Day della società, evidenziando i vantaggi di questa tecnologia in termini di prestazioni e di semplicità costruttiva.
I prototipi di wafer e dispositivi prodotti da ST hanno raggiunto obiettivi in termini di costi e prestazioni che consentirebbero loro di competere efficacemente con le tecnologie LDMOS e GaN-on-SiC disponibili sul mercato. Questi prototipi si stanno ora spostando verso le prossime grandi pietre miliari: qualificazione e industrializzazione. ST punta a raggiungere questi traguardi entro l’anno. Con questi progressi, ST e MACOM hanno avviato discussioni per espandere ulteriormente i propri sforzi per accelerare la consegna sul mercato di avanzati prodotti RF GaN-on-Si.
“Riteniamo che la tecnologia abbia raggiunto attualmente livelli di prestazioni e maturità di processo in grado di sfidare efficacemente i consolidati LDMOS e GaN-on-SiC, e possiamo offrire interessanti vantaggi in termini di costi e catena di fornitura per applicazioni ad alto volume, inclusa l’infrastruttura wireless”, ha affermato Edoardo Merli, Direttore Generale del Sottogruppo Power Transistor e Vice Presidente Esecutivo di STMicroelectronics. “La commercializzazione dei prodotti RF GaN-on-Silicon è la prossima grande pietra miliare nella nostra collaborazione con MACOM. Non vediamo l’ora di realizzare appieno il potenziale di questa entusiasmante tecnologia”.
“Insieme, continuiamo a fare buoni progressi nello spostamento della tecnologia GaN-on-Si verso la commercializzazione e la produzione ad alto volume”, ha affermato Stephen G. Daly, Presidente e CEO di MACOM. “La nostra collaborazione con ST è una parte importante della nostra strategia di potenza RF e sono fiducioso che potremo conquistare quote di mercato in applicazioni mirate in cui la tecnologia GaN-on-Silicon soddisfa i requisiti tecnici”.
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