Il nuovo impianto supporterà un’ampia gamma di tecnologie, comprese la tecnologia leader di mercato FDX di GF e la roadmap tecnologica completa di ST fino ai 18 nanometri per applicazioni automotive, industriali, IoT e di infrastruttura di comunicazione.
STMicroelectronics e la foundry GlobalFoundries hanno annunciato oggi di avere firmato un memorandum d’intesa per la creazione di un nuovo impianto manifatturiero a gestione congiunta per la produzione di semiconduttori su wafer di silicio da 300 mm adiacente all’impianto da 300 mm di ST esistente a Crolles, in Francia. Questo impianto dovrebbe arrivare a pieno regime entro il 2026, con una produzione equivalente fino 620.000 wafer da 300 mm l’anno a costruzione ultimata (~42% ST e ~58% GF).
ST e GF si impegnano ad aumentare la capacità produttiva a vantaggio della propria base di clienti europei e globali. Questo nuovo impianto supporterà varie tecnologie, in particolare quelle basate sulla tecnologia FD-SOI, e coprirà diverse varianti. Tra queste, la tecnologia leader di mercato FDX di GF e la vasta roadmap tecnologica di ST fino a dimensioni di 18 nm. Per entrambe le società la domanda dovrebbe rimanere sostenuta, soprattutto per le applicazioni automotive, IoT e mobile nei prossimi decenni.
La tecnologia FD-SOI è stata sviluppata in origine nell’area di Grenoble (Francia). Sin dagli inizi ha fatto parte della roadmap di prodotti e tecnologie di ST nell’impianto di Crolles, per essere poi arricchita da ulteriori soluzioni differenzianti e commercializzata per la produzione presso lo stabilimento GF di Dresda. La tecnologia FD-SOI offre considerevoli vantaggi a progettisti e clienti, tra cui un consumo energetico estremamente basso e un’integrazione più facile di funzionalità aggiuntive come quelle di connettività RF, mmWave e sicurezza.
Per il nuovo stabilimento, ST e GF riceveranno un significativo sostegno finanziario dallo Stato francese. L’impianto apporterà un importante contributo agli obiettivi del Chips Act Europeo, compreso l’obiettivo dell’Europa di raggiungere il 20% della produzione mondiale di semiconduttori entro il 2030. Oltre al consistente investimento pluriennale nella produzione avanzata di semiconduttori in Europa, sosterrà la leadership e la resilienza degli ecosistemi tecnologici europei, dall’R&S (con la collaborazione recentemente annunciata per le attività di R&S tra ST, GF, CEA-Leti e Soitec) alla produzione in grandi volumi; sosterrà inoltre i clienti europei e globali con una capacità produttiva addizionale in tecnologie avanzate complesse destinate a mercati finali fondamentali fra cui l’automotive, il settore industriale, l’IoT e l’infrastruttura di comunicazione. Il nuovo impianto di produzione apporterà un contributo sostanziale alla trasformazione digitale e alla transizione energetica globale – con l’apporto di tecnologie e prodotti abilitanti di importanza chiave. Genererà maggiore occupazione presso il sito ST di Crolles (circa 1.000 assunzioni in più per il nuovo stabilimento di produzione) e nel suo ecosistema di partner, fornitori e stakeholder.
Lavorando insieme, ST e GF faranno leva sulle economie di scala presso il sito di Crolles mentre aumenteranno la capacità produttiva di semiconduttori di cui il mondo ha bisogno, con un’elevata efficienza degli investimenti.
“Questo nuovo impianto di produzione sosterrà la nostra ambizione di realizzare ricavi per 20 e oltre miliardi di dollari. La collaborazione con GF ci permetterà di procedere più speditamente, abbassare le soglie di rischio e rafforzare l’ecosistema FD-SOI europeo. Avremo una maggiore capacità per supportare i nostri clienti europei e globali nella transizione verso la digitalizzazione e la decarbonizzazione” ha dichiarato Jean-Marc Chery, Presidente e CEO di STMicroelectronics. “ST sta trasformando la sua base manifatturiera. Abbiamo già una posizione unica con il nostro impianto di wafer di silicio da 300 mm di Crolles, in Francia, che con l’annuncio di oggi sarà ulteriormente rafforzata. Continuiamo a investire nel nostro nuovo impianto di wafer di silicio da 300 mm di Agrate (vicino Milano), in ramp-up nella prima metà del 2023 e con la piena saturazione attesa entro la fine del 2025, così come nella nostra produzione basata su carburo di silicio e su nitruro di gallio e integrata verticalmente.”
“I nostri clienti sono interessati ad un ampio accesso alla capacità produttiva 22FDX per applicazioni automobilistiche e industriali.
Il nuovo impianto includerà capacità di produzione da foundry di GF dedicata per i nostri clienti, che offrirà l’innovazione unica di GF e sarà gestita in loco da personale GF. Questa nuova espansione della capacità manifatturiera a gestione congiunta fa leva sull’infrastruttura esistente di ST a Crolles, permettendo a GF di accelerare la nostra crescita e di usufruire di economie di scala per ottenere capacità aggiuntiva con un’elevata efficienza di capitale sulla nostra piattaforma differenziata 22FDX , le cui spedizioni hanno superato il miliardo di chip. Con l’annuncio di oggi, stiamo espandendo la presenza di GF nel dinamico ecosistema tecnologico dell’Europa e rafforzando la nostra posizione in quanto foundry di semiconduttori leader in Europa,” ha dichiarato il dottor Thomas Caulfield, CEO di GF. “La nostra impronta globale permette a GF non solo di soddisfare le esigenze di capacità dei nostri clienti, ma anche di fornire loro una catena di fornitura sicura. L’investimento in partenariato con il Governo francese, unito ai nostri contratti a lungo termine con i clienti, crea il modello economico corretto per l’investimento di GF.”
Informazioni aggiuntive per investitori di GF sono disponibili su investors.gf.com.
Il progetto è soggetto alla stipula di accordi definitivi e alle approvazioni di vari enti regolatori, compresa la DG Concorrenza della Commissione Europea, nonché alla conclusione delle consultazioni con il Consiglio del Lavoro Francese di ST.
