In occasione del Flash Memory Summit 2023 in corso a Santa Clara (8–10 agosto), SK hynix ha presentato i campione della prossima NAND 4D a 321 layer, rendendo pubblici i progressi nello sviluppo della prima NAND del settore con più di 300 strati.
L’azienda ha tenuto una presentazione durante la quale ha illustrato i progressi nello sviluppo della sua flash NAND TLC (3 bit/cella) 4D da 1 Tb a 321 strati ed ha mostrato i campioni della nuova memoria.
SK hynix è la prima azienda del settore a presentare in dettaglio i progressi nello sviluppo di una NAND con più di 300 layer. La società prevede di ultimare lo sviluppo entro breve tempo e di avviare la produzione di massa della versione a 321 layer da 1 Tb entro la prima metà del 2025.
Questo numero di layer supera i precedenti record fissati dai 232 strati di Micron e dai 236 livelli di Samsung, mentre Kioxia e WD hanno attualmente una tecnologia con 218 layer. La NAND a 232 layer che la cinese YMTC aveva presentato in anteprima alla stessa manifestazione nel 2022 e che aveva suscitato grande interesse, è attualmente in stand-by a causa delle restrizioni all’esportazione di tecnologia statunitense che hanno colpito YMTC e altre aziende cinesi.
SK hynix ha affermato che la sua competitività tecnologica ed il successo della NAND a 238 strati, la più alta al mondo e già in produzione di massa, ha aperto la strada all’ulteriore sviluppo del prodotto verso i 321 strati. “Con un’altra svolta per affrontare i limiti di stacking, SK hynix aprirà l’era della NAND con oltre 300 layer e guiderà il mercato“, ha affermato il portavoce della società.
La NAND TLC da 1Tb a 321 strati offre un miglioramento della produttività del 59% rispetto alla precedente generazione di 512 Gb a 238 strati, grazie allo sviluppo tecnologico che ha consentito lo stacking di più celle e una maggiore capacità di archiviazione su un singolo chip.
Dall’introduzione di ChatGPT che ha accelerato la crescita del mercato dell’AI generativa, la domanda di prodotti di memoria ad alte prestazioni e ad alta capacità in grado di elaborare più dati con maggiore velocità sta crescendo rapidamente.
Per questo motivo, SK hynix ha anche presentato soluzioni NAND di nuova generazione ottimizzate per tale esigenza, tra cui l’SSD aziendale che adotta l’interfaccia PCIe Gen5 e UFS 4.0; quest’ultima offre una velocità di trasferimento fino a 5,8 Gbps.
L’azienda si aspetta che questi prodotti raggiungano prestazioni leader del settore per soddisfare pienamente le esigenze dei clienti con particolare attenzione alle performance.
SK hynix ha inoltre annunciato di aver avviato lo sviluppo della prossima generazione PCIe Gen6 e UFS 5.0 dall’incredibile velocità di trasferimento massima di 46,4 Gbps.
Jungdal Choi, Head of NAND Development dell’azienda, ha dichiarato durante un discorso programmatico che SK hynix prevede lo sviluppo continuo del prodotto a 321 strati, la quinta generazione della NAND 4D, per aiutare l’azienda a consolidare la propria leadership tecnologica nel mercato NAND. “Con l’introduzione tempestiva della NAND ad alte prestazioni e ad alta capacità, ci impegneremo a soddisfare i requisiti dell’era dell’AI continuando a guidare l’innovazione“.
