giovedì, Novembre 21, 2024
HomeAZIENDESK hynix annuncia una memoria NAND Flash 4D a 238 layer, la...

SK hynix annuncia una memoria NAND Flash 4D a 238 layer, la più alta al mondo

La coreana SK Hynix, secondo produttore di memorie al mondo dopo Samsung, ha annunciato la disponibilità della prima NAND TLC 4D a 238 strati da 512 Gb al mondo la cui produzione in volumi inizierà nella prima metà del 2023. Secondo la società, questa piccolissima NAND a 238 layer è in grado di migliorare notevolmente la produttività, la velocità di trasferimento dei dati e l’efficienza energetica.

L’azienda ha recentemente spedito campioni del prodotto NAND a 238 strati 512Gb triple-level-cell (TLC) 4D ai clienti con la prospettiva di iniziare la produzione di massa nella prima metà del 2023. “L’ultimo risultato segue lo sviluppo della NAND a 176 strati prodotto nel dicembre 2020“, ha dichiarato la società. “È da notare che l’ultimo prodotto a 238 strati è, allo stesso tempo, nella stessa area di riferimento, più stratificato e più piccolo.

L’azienda ha presentato questo nuovo sviluppo al Flash Memory Summit 2022 a Santa Clara. “SK hynix si è assicurata la competitività globale di alto livello in termini di costi, prestazioni e qualità introducendo il prodotto a 238 strati basato sulle sue tecnologie 4D NAND“, ha affermato Jungdal Choi, Head of NAND Development presso SK hynix nel suo discorso di apertura durante l’evento. “Continueremo ad innovare per trovare nuove risposte alle sfide tecnologiche“.

Triple Level Cell (TLC): i prodotti NAND Flash sono classificati in Single Level Cell, Multi Level Cell, Triple Level Cell, Quadruple Level Cell e Penta Level Cell a seconda del numero di informazioni (unità: bit) contenute in una singola cella. Il fatto che una cella contenga più informazioni significa che è possibile memorizzare più dati all’interno della stessa area.

Dallo sviluppo del prodotto NAND a 96 strati nel 2018, SK hynix ha introdotto una serie di prodotti 4D che superano le prestazioni dei prodotti 3D esistenti. L’azienda ha applicato le tecnologie Charge-trap-flash e peri-under-cell per realizzare chip con strutture 4D. I prodotti 4D hanno un’area più piccola per unità rispetto al 3D, portando a una maggiore efficienza di produzione.

Charge Trap Flash (CTF): a differenza del floating gate, che immagazzina le cariche elettriche nei conduttori, il CTF immagazzina le cariche elettriche negli isolanti, eliminando le interferenze tra le celle, migliorando le prestazioni di lettura e scrittura e riducendo l’area della cella per unità rispetto alla tecnologia floating gate.

Il prodotto, pur raggiungendo 238 layer, ha una dimensione NAND più piccola, il che significa che la sua produttività complessiva è aumentata del 34% rispetto alla NAND a 176 strati, poiché da ciascun wafer è possibile produrre più chip con densità maggiore per unità di area.

La velocità di trasferimento dei dati della nuova NAND a 238 strati è di 2,4 Gb al secondo, in aumento del 50% rispetto alla generazione precedente. Il volume dell’energia consumata per la lettura dei dati è diminuito del 21%, un risultato che soddisfa anche l’impegno ESG dell’azienda.

Peri-Under-Cell (PUC): è la tecnologia che massimizza l’efficienza di produzione posizionando i circuiti periferici sotto l’array di celle.

I prodotti a 238 strati verranno inizialmente adottati per gli SSD client utilizzati come dispositivi di archiviazione per PC, prima di essere forniti per smartphone e SSD ad alta capacità e, in seguito, anche per i server. L’azienda introdurrà il prossimo anno anche prodotti a 238 strati in 1 Terabit (Tb), con una densità raddoppiata rispetto all’attuale prodotto da 512 Gb.