Fornisce il doppio della capacità dei moduli da 16 Gb con le stesse dimensioni del package, consentendo la produzione di moduli DRAM da 128 GB senza il processo TSV e diminuendo il consumo energetico del 10%. Il nuovo prodotto apre inoltre la strada ai moduli DRAM con capacità fino a 1 TB.
Samsung Electronics ha annunciato oggi di aver sviluppato la prima DDR5 DRAM da 32 gigabit (Gb) del settore utilizzando il nodo di processo a 12 nanometri. Questo risultato arriva dopo che Samsung ha iniziato la produzione in serie della sua DRAM DDR5 da 16 Gb di classe 12 nm nel maggio 2023. Il nuovo traguardo consolida la leadership di Samsung nella tecnologia DRAM di prossima generazione e segna il prossimo capitolo della memoria ad alta capacità.
“Con la nostra DRAM da 32 Gb di classe 12 nm, ci siamo assicurati una soluzione che consentirà moduli DRAM fino a 1 terabyte (TB), permettendoci di essere nella posizione ideale per soddisfare la crescente necessità di DRAM ad alta capacità nell’era dell’intelligenza artificiale e dei big data”, ha affermato SangJoon Hwang, Vicepresidente esecutivo di DRAM Product & Technology presso Samsung Electronics. “Continueremo a sviluppare soluzioni DRAM attraverso processi differenziati e tecnologie di progettazione per superare gli atuali confini della tecnologia delle memorie”.
Un aumento di 500.000 volte della capacità DRAM dal 1983
Dopo aver sviluppato la sua prima DRAM da 64 kilobit (Kb) nel 1983, Samsung è ora riuscita ad aumentare la propria capacità DRAM di un fattore pari a 500.000 negli ultimi 40 anni.
Il più recente prodotto di memoria di Samsung, sviluppato utilizzando processi e tecnologie all’avanguardia per aumentare la densità di integrazione e l’ottimizzazione del design, vanta la capacità più alta del settore per un singolo chip DRAM e offre il doppio della capacità della DRAM DDR5 da 16 Gb nella stessa dimensione del package.
In precedenza, i moduli DRAM DDR5 da 128 GB prodotti utilizzando DRAM da 16 Gb richiedevano il processo Through Silicon Via (TSV). Tuttavia, utilizzando la DRAM da 32 Gb di Samsung, il modulo da 128 GB può ora essere prodotto senza utilizzare tale process, riducendo al tempo stesso il consumo energetico di circa il 10% rispetto ai moduli da 128 GB con DRAM da 16 Gb. Questa innovazione tecnologica rende il prodotto la soluzione ottimale per le applicazioni che enfatizzano l’efficienza energetica, come i data center.
Con la sua DRAM DDR5 da 32 Gb di classe 12 nm come base, Samsung prevede di continuare ad espandere la sua gamma di DRAM ad alta capacità per soddisfare le esigenze attuali e future del settore informatico e IT. Samsung riaffermerà la propria leadership nel mercato delle DRAM di prossima generazione fornendo DRAM da 32 Gb di classe 12 nm ai data center e ai clienti che richiedono applicazioni AI ed elaborazione di prossima generazione. Il prodotto svolgerà inoltre un ruolo importante nella continua collaborazione di Samsung con altri importanti attori del settore.
L’inizio della produzione in serie della nuova DRAM DDR5 da 32 Gb di classe 12 nm è previsto entro la fine di quest’anno.
