La prima serie della nuova famiglia EcoGaN contribuisce a ridurre i consumi e ottenere una riduzione delle dimensioni in numerose applicazioni di potenza.
ROHM annuncia i dispositivi GaN HEMT da 150 V della serie GNE10xxTB (GNE1040TB) con tensione di tenuta di gate (tensione gate-source nominale) fino a 8 V, un valore leader nel settore che li rende ideali per l’impiego in circuiti di alimentazione in ambito industriale, telecomunicazioni, elaborazione dati e IoT. 
Negli ultimi anni la maggiore diffusione di dispositivi IoT ha determinato un aumento della domanda di server; di conseguenza il miglioramento dell’efficienza della conversione di potenza e la riduzione delle dimensioni sono divenute questioni di primaria importanza che richiedono un ulteriore progresso nel settore dei dispositivi di potenza.
Poiché i dispositivi GaN presentano solitamente caratteristiche di commutazione migliori e una resistenza di ON inferiore rispetto a quelli in silicio, il loro contributo sarà fondamentale per ridurre il consumo energetico negli alimentatori ed ottenere apparecchiature di dimensioni inferiori.
Alla produzione di massa di dispositivi SiC leader di mercato e ai dispositivi in silicio dalle numerose funzionalità, ora ROHM affianca anche la disponibilità di dispositivi GaN dall’eccellente funzionamento in alta frequenza in una gamma di media tensione, aumentando le soluzioni di potenza disponibili per una molteplicità di applicazioni.
Questi nuovi prodotti utilizzano una struttura originale che aumenta la tensione gate-source nominale dai tradizionali 6 V a 8 V. Di conseguenza, anche nel caso in cui si verifichino overshoot superiori a 6 V in fase di commutazione, il dispositivo non viene danneggiato, offrendo così ai progettisti un margine di manovra superiore, a garanzia di una più elevata affidabilità dei circuiti di alimentazione. La serie GNE10xxTB è disponibile in un package particolarmente versatile dotato di elevata capacità di dissipazione del calore e di un’ampia capacità di corrente, facilitando la gestione del cablaggio.
ROHM ha introdotto sul mercato – con il marchio EcoGaN – dispositivi GaN che contribuiscono a una maggiore conservazione dell’energia e abilitano una miniaturizzazione spinta; nel contempo l’azienda sta lavorando all’ampliamento della gamma con dispositivi in grado di aumentare ulteriormente le prestazioni. In futuro ROHM continuerà a sviluppare circuiti integrati di controllo che sfruttano tecnologie di alimentazione analogica come Nano Pulse Control e moduli che integrano questi circuiti, insieme a soluzioni di potenza che contribuiscono a una società sostenibile, massimizzando le prestazioni dei dispositivi GaN.
Anche in Giappone, dove ROHM ha sede, aumentano le iniziative per incrementare il risparmio energetico. Il Governo locale, più precisamente il Ministero dell’Economia, del Commercio e dell’Industria (METI) del Giappone ha stabilito un obiettivo del 30% in termini di risparmio energetico per i centri di elaborazione dati di nuova realizzazione da qui al 2030 – meno di 10 anni a partire da ora. Alla maggiore efficienza si dovranno aggiungere prestazioni robuste e stabili, una componente essenziale per continuare ad offrire infrastrutture all’altezza delle richieste.
È anche per questo motivo che ROHM ha sviluppato i nuovi dispositivi GaN con una tensione di tenuta di gate di 8 V, la più alta del settore, in grado di garantire un elevato livello di robustezza e stabilità nonché un risparmio energetico superiore. A partire da questi prodotti, ROHM continuerà a migliorare l’efficienza energetica nelle fonti di alimentazione in abbinamento con l’esclusiva tecnologia di alimentazione analogica Nano Pulse Control, creando un importante trend tecnologico che aiuterà i settori dei semiconduttori e delle telecomunicazioni a raggiungere la carbon neutrality entro il 2040.
La famiglia EcoGaN
La denominazione EcoGaN(marchio commerciale di ROHM) indica dispositivi GaN che contribuiscono al risparmio energetico e alla miniaturizzazione, grazie alla bassissima resistenza in stato ON e alle alte frequenze di commutazione, tipiche dei dispositivi GaN; la semplificazione riguarda anche la topologia dei circuiti e il numero di componenti esterni necessari.
Esempi applicativi
- Circuiti per convertitori buck con tensione di ingresso di 48 V per Base station e centri di elaborazione dati
- Circuiti per convertitori boost per il blocco dell’amplificatore di potenza delle Base station
- Circuiti di pilotaggio LiDAR, circuiti di ricarica wireless per dispositivi portatili
- Amplificatori audio di Classe D
Esempi di circuiti
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