I circuiti integrati Beamformer di terza generazione abilitano le soluzioni radio phased array ad alta efficienza e a basso costo con una portata estesa, in grado di abilitare nuove prestazioni per l’accesso wireless 5G.
Renesas Electronics annuncia di aver ampliato la sua famiglia di circuiti integrati Beamformer 5G con due nuovi dispositivi mmWave a doppia polarizzazione, ottimizzati per l’architettura d’antenna 2×2 per 5G e applicazioni wireless a banda larga nelle bande n257, n258 e n261 con le migliori prestazioni del settore. I chipset trasmettitore/ricevitore (8T8R) con elevato grado di integrazione F5288 e F5268 utilizzano un piccolo contenitore BGA da 5,1 mm x 5,1 mm e presentano la più elevata potenza del settore con una potenza di uscita superiore a 15,5 dBm per canale. Con questa combinazione, Renesas abilita convenienti progetti radio con superiore portata del segnale per applicazioni di infrastruttura wireless come stazioni base wide-area, small e macro cell, CPE, sistemi FWA (Fixed Wireless Access) e varie altre applicazioni.
I nuovi circuiti integrati F5288 e F5268 sono dotati di un’esclusiva tecnologia DAP (Dynamic Array Power) che consente un funzionamento ad alta efficienza a livelli di potenza di uscita programmabili da 10 dBm fino a 16 dBm. Ciò rende i circuiti integrati di terza generazione ideali per l’uso in applicazioni wireless mobili e fisse, con un’ampia gamma di requisiti di potenza di uscita. Questa flessibilità consente ai clienti di ridurre i tempi di progettazione riutilizzando i progetti di array di antenne in diverse applicazioni.
“La portata del segnale adeguata – o la sua mancanza – rimane la sfida più grande mentre il settore passa alle tecnologie 5G mmWave per le reti wireless mobili e fisse sia urbane che suburbane“, ha affermato Naveen Yanduru, Vice President of RF Communications Product Division di Renesas. “I nuovi circuiti integrati beamformer di Renesas sono un punto di svolta per questo mercato in rapida evoluzione, offrendo piccole soluzioni di beamforming integrate con un’elevata potenza di uscita che consentono ai clienti di implementare stazioni base convenienti nonché sistemi FWA per applicazioni wireless a lungo raggio“.
I circuiti integrati F5288 e F5268 5G mmWave
I circuiti integrati beamformer mmWave di terza generazione di Renesas affrontano tutte le capacità di formazione del fascio richieste dai sistemi 5G, ottenendo la più alta potenza di uscita RF con un’elevata efficienza.
L’architettura a 8 canali a doppia polarizzazione dei circuiti integrati fornisce una rete di routing dell’antenna altamente simmetrica e con perdite molto basse per migliorare l’efficienza complessiva dell’antenna e ridurre i costi della scheda. Il package del die esposto consente una gestione termica più efficiente sulla scheda con una migliore dissipazione del calore attraverso la parte posteriore dell’IC. Inoltre, Renesas ha realizzato una disposizione dei pin tale da semplificare la progettazione della scheda e ridurre i rischi di progettazione. Un PCB di minore complessità con un numero ridotto di layer si traduce in una riduzione dei costi della scheda e in un time-to-market più rapido.
I circuiti integrati F5288 e F5268 dispongono di diverse tecnologie all’avanguardia di Renesas per migliorare le prestazioni a livello di array. La tecnologia Dynamic Array Power consente una facile scalabilità della potenza di uscita con un’elevata efficienza. La tecnologia ArraySense con una rete completa di sensori su chip consente agli utenti di monitorare le prestazioni dei circuiti integrati nel funzionamento dell’array e di applicare eventuali correzioni in tempo reale. L’avanzata tecnologia di controllo digitale RapidBeam consente il controllo simultaneo e asincrono di diversi circuiti integrati beamformer per ottenere operazioni di beamsteering estremamente veloci.
Le funzionalità aggiuntive includono:
- Funzionamento 26,5 GHz – 29,5 GHz (F5288) e 24,25 GHz – 27,5 GHz (F5268).
- Tecniche avanzate di compensazione della temperatura per ridurre al minimo il degrado delle prestazioni RF al variare della temperatura.
- Controllo di fase e guadagno all’avanguardia, incluso un intervallo di controllo di fase a 360° con risoluzione a 6 bit reali e controllo del guadagno fino a 31,5 dB con incrementi di 0,5 dB.
- Modalità di linearità Rx migliorate per fornire ulteriore flessibilità alla gamma dei ricevitori.
- Figure di rumore Rx a partire da ~ 4,5 dB a temperatura ambiente e sotto 5,5 dB a temperature fino a 95 °C.
Per semplificare ulteriormente la progettazione del sistema, i clienti possono sfruttare la nuova Winning Combination Base Station Antenna Front End di Renesas che abbina i nuovi circuiti integrati beamformer F5288 e F5268 ai convertitori up/down F5728 dell’azienda, al sintetizzatore mmWave a banda larga 8V97003 e a una varietà PMIC per il controllo dell’alimentazione.
Renesas offre oltre 250 Winning Combination per fornire architetture di facile utilizzo, semplificando il processo di progettazione per ridurre significativamente il rischio di progettazione in un’ampia varietà di applicazioni. Al seguente link sono disponibili ulteriori informazioni su questa e altre Winning Solutions di Renesas.
I circuiti integrati beamformer e i sistemi di valutazione F5288 e F5268 sono già disponibili. Maggiori informazioni al seguente link.
