I substrati in carburo di silicio (SiC) da 200 mm forniti dalla giapponese Resonac verranno ingegnerizzati con la tecnologia proprietaria SmartCut di Soitec che consente un risparmio energetico e una riduzione delle emissioni di CO2 del 70%.
Resonac Corporation (in precedenza Showa Denko KK) e la francese Soitec hanno firmato un accordo per sviluppare wafer in carburo di silicio SmartSiC da 200 mm (8 pollici) utilizzando substrati e processi di epitassia Resonac e tecnologia produttiva SmartCut di Soitec, in un passo importante per l’implementazione della tecnologia al carburo di silicio ad alta resa in Giappone e in altri mercati internazionali.
Il carburo di silicio è un materiale semiconduttore composto che offre prestazioni ed efficienza superiori rispetto al silicio nelle applicazioni di potenza ad alta crescita per la mobilità elettrica e i processi industriali. Consente una conversione di potenza più efficiente, design più leggeri e compatti e risparmi sui costi complessivi del sistema, tutti fattori chiave per il successo nei sistemi automobilistici e industriali.
La tecnologia produttiva dei wafer in carburo di silicio è molto più complessa di quella del silicio, in considerazione delle caratteristiche intrinseche di questo materiale; per ottenere un maggior numero di wafer dai lingotti SiC, si stanno percorrendo strade differenti, da quella del taglio laser migliorato di DISCO, alla tecnologia Cold Split di Infineon Technologies. Anche Sumitomo Metal Mining e KISAB hanno introdotto sistemi innovativi per ingegnerizzare i wafer SiC.
I wafer in carburo di silicio SmartSiC di Soitec sono prodotti utilizzando la tecnologia SmartCut dell’azienda che utilizza un approccio apparentemente più complesso in quanto impiega un wafer SiC policristallino ad altissima conduttività sul quale viene “incollato” uno strato SiC monocristallino dello spessore di 1 µm. Quest’ultimo, chiamato anche “donatore” viene successivamente “affettato” (con la tecnologia proprietaria Smart Cut) e riutilizzato almeno altre 10 volte.
Complessivamente, questa soluzione consente di produrre wafer SiC con un risparmio energetico del 70% rispetto al metodo tradizionale. Simile è anche la riduzione di emissioni di CO2 in atmosfera.
Christophe Maleville, Chief Technology Officer di Soitec, ha commentato: ” Il carburo di silicio viene adottato per applicazioni EV e industriali, dove apporta un significativo vantaggio in termini di costi di sistema. Per accelerare ulteriormente questa adozione, è necessario migliorare la resa e la produttività del carburo di silicio. L’associazione dei materiali SiC di qualità avanzata di Resonac con l’esclusiva tecnologia SmartSiC da 200 mm (8 pollici) di Soitec supporterà la disponibilità in volume di substrati epi-ready di qualità record. La combinazione delle nostre rispettive tecnologie e prodotti ottimizzerà questi substrati utilizzando l’epitassia di alta qualità di Resonac. Soitec è orgogliosa ed entusiasta di collaborare con Resonac per sviluppare un’offerta di prodotti SiC combinati best-in-class per il Giappone e per il mondo“.
Makoto Takeda, General Manager of Device Solutions Business Unit presso Resonac, ha commentato: “Siamo lieti di annunciare questa partnership con Soitec, che è pienamente allineata con il nostro più ampio impegno verso soluzioni di semiconduttori sostenibili ed efficienti dal punto di vista energetico. Combinando i wafer in carburo di silicio monocristallino di alta qualità di Resonac con l’esclusiva tecnologia SmartSiC di Soitec, offriremo una migliore efficienza produttiva di wafer in carburo di silicio da 200 mm (8 pollici) e diversificheremo la filiera di fornitura di epi-wafer”.
Soitec ha recentemente inaugurato una nuova linea di produzione presso la sua sede centrale a Bernin, in Francia, dedicata principalmente alla produzione di wafer SmartSiC per veicoli elettrici, energie rinnovabili e applicazioni di componenti per apparecchiature industriali.
