A pieno regime, la fabbrica di Bucheon sarà in grado di produrre più di un milione di wafer SiC all’anno.
onsemi ha annunciato oggi il completamento dell’espansione del suo avanzato impianto per la produzione di wafer in carburo di silicio (SiC) a Bucheon, in Corea del Sud.
Secondo l’azienda si tratta del più grande impianto del genere al mondo. A pieno regime, il fab di Bucheon sarà in grado di produrre più di un milione di wafer SiC da 200 mm all’anno. Per sostenere l’aumento della capacità produttiva di wafer SiC, onsemi prevede di assumere fino a 1.000 dipendenti locali nei prossimi tre anni per ricoprire posizioni prevalentemente tecniche di alto livello: un aumento di oltre il 40% rispetto all’attuale forza lavoro di circa 2.300 persone.
L’importanza della tecnologia SiC
I dispositivi al carburo di silicio sono un componente fondamentale per la conversione di potenza nei veicoli elettrici (EV), nelle infrastrutture energetiche e nei caricabatterie ad alta potenza per veicoli elettrici. La domanda in rapida crescita di questi prodotti ha creato un’impennata della domanda di chip SiC, con una domanda che supererà l’offerta nei prossimi anni. L’espansione dello stabilimento di Bucheon risponde all’urgente necessità di ulteriore capacità produttiva, consentendo a onsemi di continuare a fornire garanzie di fornitura ai propri clienti e rafforzare la propria leadership nelle soluzioni di energia intelligente.
La costruzione della nuova linea avanzata SiC da 150 mm/200 mm, insieme all’edificio di servizio ad alta tecnologia e al garage adiacente, è iniziata a metà del 2022 ed è stata completata nel settembre 2023. L’espansione della capacità SiC Epi da 150/200 mm sottolinea l’attenzione di onsemi nello sviluppo della propria catena di fornitura di produzione di carburo di silicio integrata verticalmente utilizzando aree dismesse. La linea SiC di Bucheon inizierà con la produzione di wafer da 150 mm e verrà convertita a 200 mm nel 2025, previa qualificazione del processo SiC da 200 mm.
Alla cerimonia di inaugurazione, oltre ai dirigenti onsemi, hanno preso parte la delegazione di dignitari guidata dal Vice Governatore per l’Economia del Gyeonggi-Do Taeyoung Yeom, il sindaco della città di Bucheon YongEek Cho, delegati dell’Assemblea nazionale e il presidente della Camera di commercio e industria di Bucheon, JongHuem Kim. Erano presenti anche rappresentanti delle comunità locali, dei clienti, dei fornitori e dell’industria dei semiconduttori.
La cerimonia di inaugurazione
Hassane El-Khoury, CEO di onsemi, ha aperto l’evento sottolineando comer “La fabbrica di wafer SiC da 150 mm/200 mm a Bucheon è fondamentale per il continuo successo della nostra catena di fornitura SiC completamente integrata, consentendoci di supportare l’accelerazione dell’elettrificazione a livello globale. Gli ultimi cinque anni hanno dimostrato di quali prestazioni straordinarie è capace il nostro team di Bucheon e cosa possiamo ottenere quando collaboriamo con le agenzie governative verso l’obiettivo comune di un futuro più sostenibile”.
“Sono davvero impressionato dalla diligente e allo stesso tempo rapida esecuzione da parte di onsemi del suo piano strategico per espandere la fabbrica di wafer SiC di Bucheon“, ha affermato il sindaco della città di Bucheon YongEek Cho. “Non solo la città di Bucheon trarrà vantaggio dalla creazione di nuove opportunità di lavoro nel settore tecnologico, ma contribuirà anche a gettare le basi per un ecosistema sostenibile attraverso l’elettrificazione”.
