La struttura MPS (Merged PiN Schottky) del PSC1065K offre la massima robustezza contro i picchi di corrente eliminando la necessità di circuiti di protezione aggiuntivi.
Nexperia ha presentato un diodo Schottky al carburo di silicio (SiC) da 650 V progettato per applicazioni di potenza che richiedono prestazioni elevatissime, basse perdite ed alta efficienza. Il diodo Schottky SiC da 10 A, 650 V è un componente di livello industriale che affronta le sfide delle applicazioni ad alta tensione e corrente elevate. Queste includono alimentatori a commutazione, convertitori AC-DC e DC-DC, infrastrutture di ricarica delle batterie, gruppi di continuità e inverter fotovoltaici per operazioni più sostenibili. I data center, ad esempio, dotati di alimentatori progettati utilizzando il diodo Schottky SiC PSC1065K di Nexperia saranno in una posizione migliore per soddisfare i rigorosi standard di efficienza energetica rispetto ai data center che utilizzano esclusivamente soluzioni basate su silicio.
Il PSC1065K offre prestazioni all’avanguardia con commutazione capacitiva indipendente dalla temperatura e un’eccezionale figura di merito (QC x VF). Le sue eccellenti prestazioni di commutazione sono quasi del tutto indipendenti dalle variazioni di corrente e dalla velocità di commutazione. La struttura MPS (Merged PiN Schottky) del PSC1065K offre ulteriori vantaggi, come l’eccezionale robustezza contro i picchi di corrente che elimina la necessità di circuiti di protezione aggiuntivi. Queste caratteristiche riducono significativamente la complessità del sistema e consentono ai progettisti hardware di ottenere una maggiore efficienza con fattori di forma più piccoli in applicazioni robuste ad alta potenza. I progettisti possono essere ulteriormente rassicurati dalla comprovata reputazione di Nexperia come fornitore di prodotti di alta qualità in una ampia gamma di tecnologie dei semiconduttori.
Il nuovo diodo Schottky SiC è incapsulato in un contenitore plastico a foro passante TO-220-2 Real-2-Pin (R2P). Ulteriori opzioni del package includono il montaggio superficiale (DPAK R2P e D2PAK R2P) e il foro passante (TO-247-2) con una vera configurazione a 2 pin che migliora l’affidabilità nelle applicazioni ad alta tensione con temperature fino a 175 °C.
Katrin Feurle, Senior Director del Product Group SiC di Nexperia, afferma: “Siamo orgogliosi di offrire un diodo Schottky SiC ad alte prestazioni che si colloca tra le migliori soluzioni attualmente disponibili. In un mondo sempre più attento all’energia, stiamo offrendo al mercato una maggiore scelta e disponibilità poiché la domanda di applicazioni ad alto volume e ad alta efficienza aumenta in modo significativo”.
Nexperia prevede di aumentare continuamente il proprio portafoglio di diodi SiC includendo elementi di grado automobilistico che funzionano a tensioni di 650 V e 1200 V con correnti nell’intervallo 6-20 A. Campioni e quantità di produzione dei nuovi diodi SiC sono già disponibili.
Ulteriori informazioni sui nuovi diodi Schottky SiC da 650 V di Nexperia sono disponibili al seguente link.
 da 650 V per impegnative applicazioni di conversione di potenza){kind=link}