La soluzione combina i vantaggi del packaging con clip in rame a quella dei semiconduttori ad ampio bandgap.
Nexperia ha annunciato oggi che i suoi dispositivi FET GaN con tecnologia HEMT ad alta tensione di nuova generazione in packaging proprietario CCPAK sono ora disponibili con clip in rame a montaggio superficiale.
Sula base di due decenni di esperienza nella fornitura di packaging SMD con clip in rame di alta qualità e ad alto volume, Nexperia è ora orgogliosa di estendere il suo approccio rivoluzionario al packaging degli switch cascode GaN in CCPAK.
Il GAN039-650NTB, un FET al nitruro di gallio (GaN) da 33 mΩ in package CCPAK1212i con raffreddamento superiore, inaugura una nuova era di semiconduttori ad ampio bandgap con clip in rame.
Questa tecnologia offre significativi vantaggi nelle applicazioni in ambito energie rinnovabili come le pompe di calore solari e residenziali, rafforzando ulteriormente l’impegno di Nexperia nello sviluppo della più recente tecnologia dei componenti per applicazioni sostenibili. È inoltre adatto a un’ampia gamma di applicazioni industriali quali servoazionamenti, alimentatori a commutazione (SMPS), server e telecomunicazioni.
I vantaggi della soluzione CCPAK
L’imballaggio a montaggio superficiale CCPAK di Nexperia utilizza l’innovativa tecnologia del package con clip in rame di Nexperia per sostituire i cavi di collegamento interni. Ciò riduce le perdite parassite, ottimizza le prestazioni elettriche e termiche e migliora l’affidabilità del dispositivo. Per la massima flessibilità, questi FET GaN CCPAK sono disponibili in configurazioni con raffreddamento superiore o inferiore per migliorare ulteriormente la dissipazione del calore.
La configurazione cascode del GAN039-650NTB gli consente di fornire prestazioni di commutazione e stato attivo superiori, con un gate robusto che offre margini elevati contro il rumore. Questa funzionalità semplifica inoltre la progettazione delle applicazioni eliminando la necessità di complessi gate driver e circuiti di controllo, consentendo invece di pilotarli semplicemente con driver MOSFET in silicio standard. La tecnologia GaN di Nexperia migliora la stabilità di commutazione e aiuta a ridurre le dimensioni del die di circa il 24%. Inoltre, il valore RDS(on) è ridotto a soli 33 mΩ a 25°C, con un’alta tensione di soglia e una bassa tensione diretta dei diodi.
I commenti
“Nexperia riconosce che i progettisti di apparecchiature industriali e di energie rinnovabili necessitano di una soluzione di commutazione estremamente robusta in grado di fornire un’eccellente efficienza termica durante l’esecuzione della conversione di potenza“, ha dichiarato Carlos Castro, vicepresidente e direttore generale del settore GaN FET di Nexperia. “Ecco perché Nexperia ha deciso di unire le eccezionali prestazioni di commutazione dei suoi FET GaN cascode con le eccezionali proprietà termiche del suo packaging CCPAK per offrire ai clienti una soluzione unica”.
Nexperia inizia il lancio del suo portafoglio CCPAK con il GAN039-650NTB da 33 mΩ 650 V con raffreddamento superiore, e seguirà a breve con la variante con raffreddamento dal basso, GAN039-650NBB con lo stesso valore di RDS(on).
Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
