AMERICA & GLOBAL
Si conclude venerdì 5 febbraio 2021 la migliore settimana per la borsa americana dal novembre 2020, con tutti i principali indici che hanno raggiunto quotazioni record.
Le azioni sono in rialzo grazie all’aspettativa degli investitori di nuovi stimoli alla spesa e alla ripresa del mercato del lavoro con la disoccupazione che a gennaio è scesa al 6,3% dal 6,7% del mese precedente.
Al sentiment positivo hanno contribuito anche le ottime trimestrali della maggior parte delle società quotate, specie di quelle del settore tecnologico.
Si sono attenuate anche le tensioni innescate dalle scorribande delle community di piccoli trader organizzati attorno al blog wallstreetbets.
Per quanto riguarda la lotta alla pandemia, Johnson & Johnson ha chiesto giovedì alle autorità di regolamentazione degli Stati Uniti di autorizzare l’uso di emergenza del suo vaccino Covid-19 a iniezione singola che potrebbe essere distribuito in quantità tra poche settimane.
Alla conclusione della giornata di scambi il Dow Jones ha guadagnato lo 0,30% a quota 31.148,24 punti, l’S&P 500 è cresciuto dello 0,39% a quota 3.886,83 punti, il Nasdaq Composite è salito dello 0,57% a quota 13.856,30 punti.
Tra le società che hanno rilasciato la trimestrale in settimana, Alphabet guadagna l’1,71% a quota 2.088,83 dollari mentre Amazon cresce dello 0,63% a quota 3.352,15 dollari
Per quanto riguarda l’indice dell’industria dei semiconduttori, il PHLX Semiconductor (SOX) perde lo 0,78% a quota 2.985,01punti.
Pesa il calo di Qualcomm che lascia sul terreno un ulteriore 1,44%; arretra dell’1,04% anche Intel, a quota 58,18 dollari.
Tra le società che nei giorni scorsi hanno rilasciato i dati finanziari, Digi International guadagna il 6,57%, CMC Materials il 2,28%.
Perdono terreno, invece, KLA Corporation (-2,11%), Allegro Microsystems (-4,64%) e Cirrus Logic (-2,01%).
ASIA
Con la sola eccezione della Cina, continua il momento positivo di tutte le borse asiatiche.
L’indice Shanghai Composite perde lo 0,16% mentre l’Hang Seng di Hong Kong guadagna lo 0,60% a quota 29.288,68 punti.
Tra i titoli quotato ad Hong Kong perde il 10,62% SMIC, la più importante foundry cinese.
Semiconductor Manufacturing International Corp. (SMIC), ha presentato ieri i dati finanziari relativi all’ultimo trimestre 2020, il primo report da quando la società è entrata nel mirino dell’amministrazione statunitense che ha posto dei limiti all’esportazione di tecnologia avanzata verso l’azienda cinese.
Le vendite di SMIC nel Q4 FY2020, chiuso al 31 dicembre 2020, hanno raggiunto i 981,1 milioni di dollari contro 1.082,5 milioni del trimestre precedente (in calo del 9,4%) e i 839,4 milioni dello stesso trimestre del 2019.
In calo l’utile netto del periodo che scende da 263,5 a 228,620 milioni, a causa anche della riduzione dei margini.
Nel trimestre, infatti, i margini sono calati al 18% contro il 24,2% del precedente periodo e gli investimenti previsti per il 2021 scenderanno a 4,3 miliardi di dollari contro i 5,7 miliardi del 2020.
Le sanzioni hanno colpito soprattutto le linee produttive più avanzate, quelle a 14 nanometri, che hanno rappresentato solo il 5% dei ricavi nell’ultimo trimestre, rispetto al 14,6% del trimestre precedente.
Per il 2021 SMIC punta ad un aumento del fatturato annuale tra il 5 e il 10%; l’obiettivo del primo semestre è un fatturato di 2,1 miliardi di dollari con un margine lordo compreso nella fascia mediana.
Prosegue l’avanzata degli altri indici asiatici: il KOSPI coreano guadagna l’1,02%, il Taiex di Taiwan avanza dello 0,61%, il NIKKEI 225 di Tokyo sale dell’1,54%.
EUROPA
Contrastate le borse europee con Milano ancora una volta positiva (+0,8%) sulla scia dell’incarico a Draghi.
Alla borsa di Milano STMicroelectronics chiude leggermente positiva (+ 0,30% a quota 33,69 Euro) mentre Infineon Technologies che ieri ha presentato una discreta trimestrale guadagna l’1,49% a quota 34,11 Euro.
Alla borsa di Zurigo da segnalare la performance di ams che venerdì ha guadagnato il 5,75%.
Ieri Infineon Technologies ha lanciato una famiglia di nuovi IGBT ibridi CoolSiC da 650 V in un package standard. La famiglia di prodotti ibridi CoolSiC combina i vantaggi chiave della tecnologia IGBT TRENCHSTOP 5 da 650 V con la struttura unipolare dei diodi CoolSiC Schottky.
Con frequenze di commutazione superiori e perdite di commutazione ridotte, i dispositivi sono particolarmente adatti per convertitori di potenza DC-DC e sistemi di correzione del fattore di potenza (PFC). Questo nuovo IGBT è adatto per applicazioni nelle infrastrutture di ricarica della batteria, soluzioni di accumulo di energia, inverter fotovoltaici, gruppi di continuità (UPS), nonché alimentatori switching per server e impianti di telecomunicazioni (SMPS).
Grazie al diodo Schottky SiC integrato, gli IGBT ibridi CoolSiC funzionano con perdite di commutazione significativamente ridotte a valori dv/dt e di/dt quasi invariati. Offrono fino al 60% di riduzione con Eon e il 30% di riduzione con Eoff rispetto a una soluzione con diodo standard al silicio. In alternativa, la frequenza di commutazione può essere aumentata almeno del 40 percento con requisiti di potenza invariati. Una frequenza di commutazione più elevata consente di ridurre le dimensioni dei componenti passivi e quindi di ridurre il costo della distinta base. Gli IGBT ibridi possono essere utilizzati in sostituzione degli IGBT TRENCHSTOP 5 consentendo un miglioramento dell’efficienza dello 0,1 percento per ogni frequenza di commutazione di 10 kHz, senza sforzi di riprogettazione.
La famiglia di prodotti crea un ponte tra soluzioni in puro silicio e design di MOSFET SiC ad alte prestazioni. Inoltre, rispetto ai design in puro silicio, gli IGBT ibridi possono migliorare la compatibilità elettromagnetica e l’affidabilità di sistema. A causa della natura unipolare dei diodi a barriera Schottky, il diodo può commutare velocemente senza forti oscillazioni o rischio di accensione parassita. I nuovi IGBT sono disponibili in package TO-247-3 o TO-247-4 pin; il quarto pin del package TO-247 consente un loop di controllo gate-emitter a bassissima induttanza che riduce le perdite totali di commutazione.
