AMERICA & GLOBAL
Settimana con modeste variazioni che conferma i guadagni di un mese, quello di aprile, tra i più brillanti da novembre 2020.
Con la complicità delle ottime trimestrali e con i dati macroeconomici tutti positivi, gli indici mantengono le posizioni conquistate anche se tutti gli analisti sono convinti che queste quotazioni sono sostenibili solo in presenza di un’economia in forte espansione, con un’inflazione sotto controllo e con una politica monetaria espansiva. Se uno solo di questi fattori venisse messo in discussione, le quotazioni potrebbero rapidamente invertire la rotta. Come è successo con i titoli tecnologici, quando per alcuni giorni il rendimento dei titoli obbligazionari è cresciuto troppo rapidamente azzoppando subito l’indice Nasdaq Composite. È proprio questo l’indice – e i titoli collegati – che potrebbe essere messo in crisi da una forte ripresa economica guidata dai settori più tradizionali, come quello energetico, bancario e dei trasporti.
E tra i tecnologici ci sono i titoli dell’industria dei semiconduttori, anche se molte di queste aziende hanno anche una forte valenza industriale, con un mercato finale che non è più solo quello tecnologico (PC, smartphone, ecc.) ma che tocca anche altri settori economici (l’industria automobilistica, quella energetica, l’automazione in ambito industriale e civile, le attività creditizie e assicurative, ecc.).
In una settimana in cui tutto appare sotto controllo, persino la pandemia in India e Brasile, e con l’Europa che inizia a riaprire ristoranti, cinema e stadi, le preoccupazioni degli addetti ai lavori si spostano verso l’aumento dei costi delle materie prime e verso una catena di approvvigionamento globale che rischia di ostacolare la ripresa economica. Preoccupa in particolare la carenza di chip che, dopo l’industria dell’auto, sta interessando anche la produzione di smartphone, elettrodomestici e PC.
In questo clima positivo, ma allo stesso tempo guardingo, il Dow Jones perde in settimana lo 0,50% a quota 33.874 punti, conservando un guadagno del 10,68% dall’inizio dell’anno.
L’S&P 500 guadagna lo 0,02% (+11,32% da inizio anno) a quota 4.181 punti mentre il Nasdaq Composite perde lo 0,38% (+8,33% ytd) a quota 13.962 punti.
È stata questa la settimana delle trimestrali dei big della tecnologia, nessuno dei quali ha deluso le aspettative, anche se i mercati in alcuni casi sono stati troppo esigenti, come nel caso di Microsoft che ha presentato una buona trimestrale – magari non all’altezza di altri campioni come Facebook e Alphabet – ma pur sempre con ricavi e utili in crescita. In settimana Microsoft perde il 3,43% per una performance da inizio dell’anno del 13,38%.
Guadagna in settimana il 7,89% (+18,94% ytd) Facebook dopo la presentazione dell’ottima trimestrale; supera le aspettative anche la trimestrale di Alphabet: la capofila di Google guadagna in settimana il 3,33%, per una performance dall’inizio dell’anno del 34,28%.
Buoni anche i risultati di Amazon che in settimana guadagna il 3,47% con una performance dall’inizio dell’anno del 6,46%.
La buona trimestrale di Tesla non convince del tutto i mercati con il titolo che perde in settimana il 2,74% (+0,53% ytd) a quota 709,44 dollari.
Arretra anche Apple, la prima società al mondo per utili e capitalizzazione, che perde in settimana il 2,13% (-0,93% ytd); nel trimestre i risultati sono stati superiori alle aspettative ma evidentemente per gli investitori le quotazioni erano andate troppo in là.
Ottima anche la trimestrale di Netflix che guadagna l’1,57% ma che perde ancora il 5,05% dall’inizio dell’anno.
Tra i titoli tecnologici da segnalare la débacle settimanale di Twitter che perde il 17,61% e che resta di poco positiva dall’inizio dell’anno (+1,98%).
Per quanto riguarda il mercato dei semiconduttori, è stata una settimana caratterizzata da un sensibile arretramento degli indici nonostante le buone trimestrali pubblicate da alcune società: Qualcomm, Texas Instruments, STMicroelectronics, AMD, ecc.
Come si vede in tabella, in settimana l’indice PHLX Semiconductor (SOX) ha perso il 2,75%, per un guadagno dall’inizio dell’anno che è sceso al + 11,21%, un valore, in ogni caso, superiore al guadagno del Nasdaq Composite.
Poche le società che questa settimana sono riuscite a chiudere in terreno positivo; tra queste c’è Qualcomm Technologies che ha guadagnato il 2,49% dopo la pubblicazione di una solida trimestrale. Nonostante questa performance, la società perde dall’inizio dell’anno l’8,89%.
Per quanto riguarda i ribassi, da segnalare quello di ON Semiconductor che arretra dell’8,34% riuscendo, tuttavia, a mantenere un buon guadagno dall’inizio dell’anno (+19,16%).
Per quanto riguarda le performance dall’inizio dell’anno, la classifica continua a essere guidata dalle società che producono impianti e forniscono servizi per l’industria dei semiconduttori: Applied Materials, ASML, Lam Research, ecc.; tra le peggiori, oltre a Qualcomm e AMD, entra in questa speciale classifica negativa anche Marvell Technology che dall’inizio dell’anno perde il 4,90%.
ASIA
La maggior parte degli indici asiatici, con l’eccezione di Taiwan, hanno chiuso la settimana in calo. Preoccupano i problemi relativi alla catena di approvvigionamento e gli aumenti dei prezzi delle materie prime, un problema che investe anche i tecnologici e l’industria dei semiconduttori.
In Cina, l’indice Shanghai Composite perde in settimana lo 0,78% (-0,75% ytd) mentre lo Shenzhen Composite guadagna lo 0,016% (-1,30% ytd).
Arretra anche l’Hang Seng di Hong Kong che perde l’1,22% (+5,49 ytd) a quota 28.724 punti. In calo anche tutti i tecnologici e le piattaforme digitali con l’eccezione di Alibaba Group che guadagna lo 0,27% (-3,27% ytd): SMIC perde il 2,53% (+13,35 ytd), Tencent arretra dell’1,42% (+10,46 ytd) e Baidu perde il 2,2%.
Particolarmente pesante la settimana per Xiaomi che perde il 9,06% (-25,9% dall’inizio dell’anno) nonostante l’incremento della quota di mercato (3^ a livello mondiale, a ridosso di Apple).
Arretra anche l’indice coreano KOSPI che perde in settimana l’1,20% (+9,55% ytd); in rosso anche Samsung (-2,40% in settimana, +0,62% ytd) e SK Hynix (-3,40% e +8,02% ytd).
Continua, invece, la corsa della Borsa di Taiwan il cui indice principale, il Taiex, sale dell’1,54% e fa segnare un incremento dell’19,24% da inizio anno. Negative le due più importanti fonderie dell’isola con TSMC che perde l’1,57% (+0,62% da inizio anno) e UMC che arretra addirittura del 6,59% (+17,67% da inizio anno) dopo la trimestrale diffusa in settimana. La seconda foundry al mondo incrementa fatturato e utili, ma non nella misura sperata dagli investitori.
Anche MediaTek ha presentato in settimana la sua trimestrale che ha confermato il momento d’oro del primo produttore al mondo di chipset per smartphone. Il titolo guadagna in settimana il 9,72% portando la performance da inizio anno al 58,63%.
Il Nikkei 225 di Tokyo chiude la settimana di borsa a quota 28.812 punti, in calo dello 0,72% (+4,88% da inizio anno). Generalmente negativi i titoli dei semiconduttori con l’eccezione di Renesas che guadagna il 3,07% (+18,16% ytd). Murata perde l’1,90% (-6,62% ytd), Tokyo Electron arretra dell’1,15% (+25,83% ytd) e Rohm perde l’1,81% (+8,41% ytd).
In settimana Renesas ha presentato i conti relativi al primo trimestre 2021 con un discreto incremento di fatturato e utili.
EUROPA
Settimana contrastata in Europa con le aziende dei semiconduttori che chiudono in calo sulla scia del mercato americano.
Lo STOXX Europe 600 perde lo 0,38% (+9,28% ytd) mentre l’FTSE MIB arretra in settimana dell’1,00% a quota 24.141 punti, con un guadagno dall’inizio dell’anno dell’8,58%.
Tra le principali aziende di semiconduttori, la multinazionale italo-francese STMicroelectronics perde in settimana il 3,26% (+2,91% ytd) a quota 31,16 euro; simile il calo del competitor tedesco Infineon Technologies che arretra del 2,90% (+6,93% ytd) a quota 33,56 euro.
In calo anche ASML (-2,30% con ytd a +36,13%), ams (-1,25% in settimana, -18,23% ytd) e NXP Semiconductor (-4,49% in settimana e +21,07% da inizio anno).
PRODOTTI
Questa settimana è stata caratterizzata, oltre che dal rilascio di numerose trimestrali, anche dal lancio di tantissimi prodotti.
L’americana Microchip Technology annuncia un’espansione dei propri dispositivi con tecnologia Arm resistenti alle radiazioni.
Le iniziative nello spazio profondo, tra cui l’esplorazione planetaria, le missioni orbitanti e la ricerca spaziale, richiedono veicoli spaziali innovativi dotati di connettività e capacità di elaborazione. Per consentire ai progettisti di sistemi una migliore integrazione e prestazioni più elevate riducendo i costi di sviluppo e il time to market, le tecnologie COTS (Commercial off the shelf) e le soluzioni scalabili sono sempre più utilizzate nelle applicazioni spaziali. Microchip Technology annuncia la qualificazione per applicazioni spaziali del suo microprocessore SAMRH71 (MPU) e del microcontrollore (MCU) SAMRH707, entrambi basati su tecnologia Arm Cortex -M7.
I dispositivi SAMRH71 e SAMRH707 di Microchip sono stati sviluppati con il supporto dell’Agenzia spaziale europea (ESA) e del Centre National D’Etudes Spatiales (CNES), l’agenzia spaziale francese.
Basandosi sull’architettura Arm Cortex-M7 standard e sulle stesse periferiche dei processori automobilistici e industriali, SAMRH71 e SAMRH707 ottimizzato i costi di sviluppo del sistema mutuando strumenti software e hardware standard dai dispositivi consumer.
Con MCU, MPU e FPGA (Field Programmable Gate Arrays) progettati per applicazioni spaziali, Microchip fornisce elementi critici per lo sviluppo di nuovi sistemi. Le soluzioni globali di sistema di Microchip comprendono dispositivi di alimentazione, temporizzazione e clock qualificati per lo spazio, radiation-hardened e radiation-tolerant power, nonché soluzioni di connettività e memoria.
Per velocizzare la progettazione, gli sviluppatori possono utilizzare le schede di valutazione SAMRH71F20-EK e SAMRH707F18-EK. L’ecosistema completo di Microchip supporta i suoi processori spaziali SAMRH707 e SAMRH71 e include la suite di strumenti MPLAB Harmony e servizi software di terze parti per applicazioni spaziali. Entrambi i dispositivi Microchip sono supportati dall’ambiente di sviluppo integrato (IDE) dell’azienda per lo sviluppo, il debug con le relative librerie software. I dispositivi sono supportati in MPLAB Harmony versione 3.0. Ulteriori informazioni sono disponibili sul sito Microchip Technology.
Da parte sua Xilinx ha presentato il portafoglio di SOM (Adaptive System-On-Modules) Kria, schede embedded di piccole dimensioni pronte per la produzione che consentono applicazioni edge-based. Insieme a uno stack software completo e ad applicazioni predefinite, i SOM adattivi di Kria sono un nuovo metodo per portare il calcolo adattivo agli sviluppatori di software e intelligenza artificiale.
Il primo prodotto disponibile nel portafoglio Kria SOM, Kria K26 SOM, si rivolge specificamente alle applicazioni AI di visione nelle città e nelle fabbriche intelligenti. La roadmap di Xilinx SOM include una gamma completa di prodotti, da SOM a costi ottimizzati per applicazioni con dimensioni e costi limitati a moduli a prestazioni più elevate che offriranno agli sviluppatori una maggiore capacità di elaborazione in tempo reale.
Le SOM Kria sfruttano i vantaggi di potenza, prestazioni e flessibilità dell’hardware adattabile Xilinx, fornito sotto forma di moduli adattivi disponibili per la produzione. Questi moduli consentono una rapida implementazione fornendo una soluzione end-to-end a livello di scheda con uno stack software predefinito. Consentendo agli sviluppatori di iniziare da un punto più evoluto del ciclo di progettazione rispetto alla progettazione con chip, i SOM di Kria possono ridurre i tempi di implementazione fino a nove mesi.
Lo Starter Kit Kria KV260 Vision AI fornisce una piattaforma di sviluppo conveniente e facile da usare per la progettazione di applicazioni di visione, immediatamente disponibili. Il kit è stato creato appositamente per supportare le applicazioni di visione accelerata disponibili nell’App Store di Xilinx ed è un ottimo modo per essere operativi in meno di un’ora senza la conoscenza di FPGA o strumenti FPGA.
Il Kria KV260 Vision AI Starter Kit ha un prezzo di 199 dollari. Quando sono pronti per passare alla distribuzione, i clienti possono passare senza problemi al SOM di produzione Kria K26, comprese le varianti commerciali e industriali al prezzo rispettivamente di 250 o 350 dollari.
I Kria K26 e lo Starter Kit KV260 Vision AI sono già disponibili. Il Kria K26 SOM di livello commerciale sara disponibile a maggio 2021, quello di livello industriale quest’estate. Ubuntu Linux su Kria K26 SOM dovrebbe essere disponibile a luglio del 2021.Ulteriori informazioni al seguente link.
Ben tre, questa settimana, i nuovi prodotti lanciati da Infineon Technologies.
Col primo annuncio, Infineon Technologies ha presentato la sua ultima famiglia di gate driver isolati EiceDRIVER 2L-SRC Compact (1ED32xx) in un fattore di forma compatto.
La famiglia di gate driver è disponibile in un package wide body da 8 mm per garantire una facile progettazione; i driver integrano un controllo della velocità di rotazione a due livelli, che migliora notevolmente l’efficienza del sistema. Grazie all’alta tensione e alle elevate capacità di sicurezza, la famiglia di prodotti è adatta per applicazioni con requisiti di isolamento esigenti, come gli azionamenti industriali da 1700V.
La famiglia 1ED32xx ottimizza il circuito del gate driver per bilanciare la riduzione di dv / dt e le interferenze elettromagnetiche (EMI) durante l’avvio e con funzionamento con carico leggero, oltre a ridurre al minimo le perdite di commutazione durante il funzionamento con carico elevato. La velocità di variazione può essere adattata “al volo” durante il funzionamento, consentendo di ottimizzare la potenza di uscita del sistema senza modificare la BOM e senza compromettere il comportamento EMI.
La famiglia di gate driver fornisce correnti di pilotaggio di 10 e 18 A. Include anche un morsetto Miller consigliato per evitare accensioni parassite nei sistemi che utilizzano lo spegnimento a 0 V. Con valori nominali di tensione fino a 2300 V, supporta sistemi con tensione di funzionamento superiore a 1200 V. I prodotti sono certificati UL 1577 e VDE 0884-11 (isolamento rinforzato), garantiscono una sicurezza superiore e una lunga vita operativa.
La famiglia EiceDRIVER 2L-SRC Compact è già disponibile mentre le schede di valutazione EVAL-1ED3241MX12H e EVAL-1ED3251MX12H lo saranno presto. Ulteriori informazioni sono disponibile al seguente link.
Col secondo annuncio, Infineon Technologies presenta un aggiornamento dei moduli MOSFET EasyDUAL CoolSiC il cui package utilizza ora una nuova ceramica in nitruro di alluminio (AIN).
I prodotti sono disponibili in configurazione half-bridge con una resistenza RDS (on) di 11 milliOhm in un contenitore EasyDUAL 1B e di 6 milliOhm in un contenitore EasyDUAL 2B. Con la ceramica ad alte prestazioni, i dispositivi da 1200 V sono adatti per applicazioni ad alta densità di potenza, in sistemi solari, gruppi di continuità, inverter ausiliari, sistemi di accumulo di energia e caricatori per veicoli elettrici.
I moduli EasyDUAL FF11MR12W1M1_B70 e FF6MR12W2M1_B70 sono dotati della più recente tecnologia MOSFET CoolSiC che offre un’affidabilità di gate-oxide superiore. Grazie alla migliore conduttività termica garantita dal materiale DCB, la resistenza termica tra il dispositivo e il dissipatore di calore (RthJH ) può essere ridotta fino al 40 percento. In combinazione con i moduli CoolSiC Easy, la nuova ceramica AIN consente un aumento della potenza di uscita o una riduzione della temperatura di giunzione che può portare a una maggiore durata del sistema.
I moduli MOSFET EasyDUAL CoolSiC FF11MR 12W1M1_B70 e FF6MR12W2M1_B70 sono già disponibili. Ulteriori informazioni al seguente link.
Il terzo annuncio di Infineon Technologies riguarda il modulo EasyPACK 2B a 1200 V dell’azienda.
Il modulo è disponibile in topologia Active NPC (ANPC) a 3 livelli e integra MOSFET CoolSiC, dispositivi TRENCHSTOP IGBT7 e un sensore di temperatura NTC, insieme a pin con tecnologia di contatto PressFIT. Il modulo di alimentazione è adatto per applicazioni a commutazione rapida nei sistemi di accumulo di energia (ESS). Il modulo aumenta anche la potenza nominale e l’efficienza dei sistemi solari e supporta anche la crescente domanda di applicazioni solari da 1500 V DC-link.
Utilizzando la più recente tecnologia CoolSiC MOSFET e TRENCHSTOP IGBT7 combinata con diodi più performanti, il modulo Easy F3L11MR12W2M1_B74 è progettato per funzionare sull’intero intervallo del fattore di potenza (cos φ). Un singolo modulo per fase è in grado di fornire un livello di potenza fino a 75 kW in applicazioni di accumulo di energia. Per le applicazioni solari è possibile raggiungere un livello di potenza fino a 150 kW utilizzando due moduli in parallelo per fase.
Con l’ottimale disposizione dei pin, il modulo garantisce connessioni corte e precise con induttanze parassite di basso valore. Il suo layout consente un’eccellente conduzione termica dei chip MOSFET CoolSiC presenti all’interno del package EasyPACK 2B. Inoltre, il modulo di alimentazione rende più semplice la progettazione e offre un elevato grado di libertà per la progettazione dell’inverter.
Il modulo MOSFET EasyPACK CoolSiC F3L11MR12W2M1_B74 è già disponibile. Il prodotto sarà presentato alla Virtual Power Conference di Infineon, che completa i “PCIM Europe digital days.” Ulteriori informazioni al seguente link.
Da parte sua, STMicroelectronics presenta un accelerometro MEMS di nuova generazione per applicazioni automobilistiche ad alte prestazioni.
L’accelerometro lineare a tre assi STMicroelectronics AIS2IH offre risoluzione, stabilità in temperatura e robustezza meccanica migliorate nelle applicazioni automobilistiche non legate alla sicurezza, tra cui antifurti, telematica, infotainment, misurazione dell’inclinazione e sistemi di navigazione del veicolo. Apre inoltre la strada a nuove applicazioni che necessitano di prestazioni avanzate nei segmenti automobilistico, sanitario e industriale.
Frutto della decennale esperienza in campo automobilistico e nei dispositivi MEMS, l’AIS2IH garantisce la massima affidabilità, fornendo al contempo un rilevamento del movimento di elevate prestazioni in un ampio intervallo di temperature di esercizio, da -40 °C a + 115 °C. Inoltre, l’accelerometro presenta un consumo bassissimo, un package compatto LGA-12, e un prezzo particolarmente competitivo.
Con cinque diverse modalità operative, tra cui una modalità ad alte prestazioni (HPM) e quattro modalità a basso consumo (LPM), il dispositivo supporta il passaggio veloce tra le varie modalità al fine di ottimizzare la risoluzione e il consumo energetico per gli esatti requisiti dell’applicazione in qualsiasi momento.
Il nuovo accelerometro automobilistico di ST dispone di scale complete selezionabili dall’utente di ± 2g, ± 4g, ± 8g e ± 16g ed è in grado di misurare le accelerazioni con velocità di trasmissione dati (ODR) configurabili nell’intervallo da 1,6 Hz a 1,6 kHz, con filtri digitali configurabili passa basso e passa alto. La densità tipica del rumore è 90 µg / √Hz quando si opera in modalità ad alte prestazioni. La corrente operativa a 3 V è 110μA in HPM e 0,67μA in LPM a 1,6Hz. La FIFO embedded a 32 livelli e le funzioni di rilevamento del movimento e dell’attività contribuiscono a mantenere il consumo energetico a livello di sistema entro un budget molto limitato.
L’AIS2IH – certificato AEC-Q100 – è attualmente disponibile in campioni in package LGA da 2 mm x 2 mm con wettable flanks; il prezzo unitario parte da USD 1,50 per ordini di 1000 pezzi.
Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
Per quanto riguarda le memorie, Dialog Semiconductor ha annunciato il lancio della famiglia AT25EU di dispositivi SPI NOR Flash, per supportare lo sviluppo di apparecchiature connesse di dimensioni contenute e con bassissimo consumo di energia. L’AT25EU è progettato per il raggiungimento del consumo energetico più basso e del funzionamento più veloce.
Il minor consumo energetico totale – senza intaccare le prestazioni – è una caratteristica chiave della famiglia di prodotti AT25EU rispetto alle soluzioni SPI NOR Flash esistenti. Offrendo prestazioni di lettura ad alta velocità e consumo energetico leader del settore, la famiglia vanta anche tempi di cancellazione significativamente più rapidi con l’impiego di frazione di potenza.
Ad esempio, l’AT25EU0021A da 2 Mbit può eseguire una cancellazione completa del chip in meno di 10 ms consumando meno dell’1% dell’energia richiesta dai dispositivi concorrenti che necessitano di un secondo o più. La capacità di eseguire operazioni di cancellazione più rapide e con un minor consumo di energia, migliora l’efficienza di funzioni come gli aggiornamenti via etere (OTA), il monitoraggio degli eventi e le attività di registrazione dei dati.
La nuova famiglia di memorie Flash a bassissimo consumo offre anche una varietà di altre funzionalità tra cui l’ampia gamma di tensioni di alimentazione (da 1,65 V a 3,6 V) così come la modalità di power-down, compresa tra 100 e 300 nA, che consente di risparmiare energia quando il prodotto non è in uso.
I primi dispositivi della famiglia di prodotti AT25EU saranno offerti con memoria da 1 Mbit e 2 Mbit e saranno disponibili in campioni nel secondo trimestre del 2021. In futuro saranno offerti prodotti di questa famiglia con una densità fino a 16 Mbit. Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
Due gli annunci in settimana di Renesas Electronics che ha confermato che AMI, partner di soluzioni software e firmware, ha qualificato i prodotti relativi al bus Renesas I3C per il suo MegaRAC SP-X Remote Management Firmware. La presenza dei dispositivi I3C nell’elenco dei fornitori approvati di AMI consente un facile percorso di migrazione per i clienti che spostano le loro piattaforme e schede DDR5 da I2C o altre specifiche di espansione legacy alla nuova specifica I3C ad alta velocità.
Il multiplexer bus IMX3102 2:1, l’espansore bus IMX3112 1:2 e i dispositivi SPD5118 SPD Hub DDR5 offrono la massima flessibilità di progettazione per gli ingegneri che implementano I3C Basic come bus di gestione in progetti di control plane in una varietà di applicazioni, inclusi data center, server, automazione industriale e apparecchiature di comunicazione. I dispositivi IMX e SPD sono ideali nel caso di più master e tanti dispositivi endpoint con lunghe connessioni, tutti elementi che possono influire sulla complessità del bus e sull’integrità del segnale.
Mentre i prodotti DDR continuano a crescere nel settore, l’interfaccia I3C si sta affermando come interfaccia di controllo ad alta velocità per applicazioni che richiedono comunicazioni più veloci tra host e periferiche o dispositivi slave. La velocità di 12,5 MHz di I3C supera in modo significativo le soluzioni attuali e legacy, come la velocità di 1 MHz di I2C. Renesas continua ad essere il leader nella tecnologia I3C con una solida linea di dispositivi di estensione del bus I3C per il controllo della piattaforma in grado di garantire efficienza, risparmio energetico, elevata velocità e sicurezza.
I dispositivi I3C e le schede di valutazione di Renesas sono già disponibili. Ulteriori informazioni ai seguenti link:
renesas.com/memorymux
renesas.com/spdhub
Qui invece sono disponibili le informazioni sul firmware di gestione remota MegaRAC SP-X.
Col secondo annuncio, Renesas Electronics comunica di aver ampliato il proprio portafoglio di soluzioni per la temporizzazione con una nuova famiglia di prodotti con jitter al di sotto dei 100fs, ideale per i mercati dei data center, dei server e delle infrastrutture di rete. La nuova famiglia FemtoClock2 include generatori di clock a jitter ultra-basso e attenuatori di jitter in package di soli 4×4 mmq, consentendo così un’implementazione del clock distribuito semplice ed economica, ideale per i progetti di interconnessione ad alta velocità di prossima generazione.
Dotati dei migliori valori di jitter del mercato a partire da 64fs RMS, i FemtoClock2 consentono ai clienti di soddisfare facilmente gli stringenti requisiti legati alla modulazione PAM4 di prossima generazione utilizzata dai nuovi modelli di switch e router. Con un fattore di forma di soli 4×4 mm2, la famiglia FemtoClock2 riduce a meno di un terzo le dimensioni delle attuali soluzioni presenti sul mercato e ciò consente ai progettisti di posizionare la sorgente di clock molto vicino al dispositivo che riceve il segnale il che consente un design del layout PCB semplificato, ridotta diafonia e segnali più puliti. I FemtoClock2 possono essere configurati come DCO, generatori di clock o attenuatori di jitter, offrendo preziosa flessibilità di progettazione e di riutilizzo.
I FemtoClock RC32504A e RC22504A e le schede di valutazione sono già disponibili. Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
Tre gli annunci in settimana di Murata.
La società ha presentato nuovi induttori conformi AEC-Q200 ottimizzati per i sistemi PoC (power-over-coax) a bordo dei veicoli.
Murata continua a supportare lo sviluppo di dispositivi per il settore automobilistico con l’introduzione di induttori della serie LQW21FT_0H. Si tratta dei più piccoli induttori al mondo con impedenza a banda larga per i circuiti PoC (power-over-coax) di bordo che utilizzano che interfacce SerDes. La serie LQW21FT_0H, conforme alle direttive AEC-Q200, offre una combinazione di impedenza a banda larga e prestazioni elevate anche con alte correnti. Grazie alle tecnologie all’avanguardia sia per il materiale ceramico che per la struttura della bobina, Murata fornisce questi componenti in un formato particolarmente ridotto che altri produttori non possono eguagliare. Questi induttori sono disponibili in formato 0805, con dimensioni di 2 mm × 1,2 mm × 1,6 mm.
Gli induttori della serie LQW21FT_0H di Murata sono particolarmente indicati per tutti i casi d’uso PoC. Oltre ai loro elevati livelli di impedenza a banda larga, mostrano superiori proprietà per quanto riguarda la saturazione. Sono disponibili con valori di induttanza da 0,47 µH a 2 µH, con correnti, rispettivamente, di 1 A e 0,45 A. Le elevate temperature di esercizio (fino a 125 °C) che questi induttori possono supportare li rendono particolarmente indicati per l’impiego automobilistico.
Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
Il secondo annuncio di Murata riguarda una serie di misuratori da pannello DC sviluppati per applicazioni di misura di tensione e corrente industriali e di laboratorio. La serie miniaturizzata DMR35 richiede un’alimentazione compresa tra 9 e 32 VDC.
Il display dispone di una barra grafica e di un tradizionale indicatore numerico a 3,5 cifre.
Adatti per un foro di montaggio di 2,25 pollici, i display possono sostituire molti dei più diffusi misuratori da pannello analogici; la serie presenta una protezione IP66 sulla superficie anteriore quando viene utilizzata l’apposita guarnizione.
La combinazione di una indicazione analogica con quella digitale fornise una risposta rapida, adatta anche alle grandezze che cambiano rapidamente. Nella versione per la misura di tensione, questi display sono in grado di leggere valori compresi tra 0 e 50 VDC, ± 5 VDC e ± 50 VDC; come misuratori di corrente, la gamma di valori è compresa tra 50µAe 25A con resistori shunt interni e tra 5 e 500A con shunt esterni. Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
Col terzo comunicato, Murata annuncia di aver ampliato il proprio portafoglio di termistori a montaggio superficiale con coefficiente di temperatura positivo (PTC) per il rilevamento del surriscaldamento introducendo la serie PRF03BB541NB7RL. Questi termistori sono ottimizzati per essere incorporati in prodotti e apparecchiature elettroniche di consumo, dai dispositivi indossabili agli smartphone.
Prodotti nel formato 0201 (con dimensioni di 0,6 mm × 0,3 mm × 0,3 mm), offrono ai progettisti la più piccola soluzione di rilevamento del surriscaldamento disponibile sul mercato. I termistori offrono elevati livelli di precisione (± 5 °C a basse temperature di rilevamento e fino a ± 7 °C a temperature di rilevamento più elevate), oltre a una risposta molto rapida. I loro valori di resistenza aumentano notevolmente una volta al di sopra della temperatura di Curie. Ciò significa che le situazioni di surriscaldamento possono essere affrontate rapidamente, riducendo così il rischio di danni ai circuiti.
I nuovi termistori beneficiano direttamente della tecnologia ceramica proprietaria di Murata, altamente innovativa, sia in relazione alla composizione della materia prima che alla procedura di sinterizzazione. Il risultato è una significativa riduzione delle dimensioni senza alcun compromesso in termini di prestazioni. Inoltre, i termistori hanno una forte stabilità operativa e non generano alcun rumore che altrimenti influenzerebbe i componenti vicini.
Il PRF03BB541NB7RL mostra una robustezza leader del settore. Ha una tensione nominale massima di 32 V DC e supporta un ampio intervallo di temperatura di lavoro da -20 °C a + 150 °C.
I campioni sono già disponibili mentre la produzione di massa inizierà a giugno 2021. Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
Da parte sua Samsung Electronics ha annunciato il lancio dell’SSD 24G SAS più performante del settore: il modello PM1653. Soluzione basata sulla più recente interfaccia SAS (SAS-4), la nuova unità può supportare il doppio della velocità della precedente generazione 12G SAS-3. Il PM1653 è anche il primo SSD SAS 24G del settore realizzato con chip V-NAND di sesta generazione (1xx-layer), che consente capacità di archiviazione da 800 GB a 30,72 TB.
Per creare un solido ecosistema SAS 24G nel mercato aziendale, è essenziale anche la disponibilità del sistema HBA (host bus adapter). Samsung ha lavorato a stretto contatto con Broadcom, uno dei principali fornitori di HBA, per garantire una transizione fluida e tempestiva verso questa nuova pietra miliare SAS.
Il PM1653 è stato ottimizzato per server aziendali ad alte prestazioni, offrendo la velocità di lettura casuale più elevata del settore, fino a 800.000 IOPS, una metrica chiave per le prestazioni di archiviazione del server. La sua velocità di lettura sequenziale può raggiungere 4.300 MB/s, che è la velocità massima disponibile per l’interfaccia SAS 24G e il doppio della velocità dell’unità PM1643a della generazione precedente.
Attualmente il prodotto è disponibile in campioni, la produzione in volumi inizierà nella seconda metà dell’anno. Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
