Murata ha ampliato la propria offerta destinata ai mercati dei dispositivi mobili e HPC (High Performance Computing) con condensatori realizzati mediante le più recenti tecnologie di processo su silicio e caratterizzati da una densità di 1,3 µF/mm². I bassissimi valori di ESL ed ESR (dell’ordine di pochi pH e mΩ rispettivamente) di questi condensatori permettono di supportare l’incremento di prestazioni delle nuove reti PDN (Power Distribution Network) che richiedono bassi valori di impedenza in una banda di frequenza molto estesa.
A seguito dell’evoluzione dei circuiti integrati digitali finalizzata a offrire un numero sempre maggiore di funzionalità a fronte di una riduzione delle tensioni di funzionamento, la risoluzione dei problemi legati al rumore e alle fluttuazioni della tensione riveste un’importanza critica. Il profilo estremamente ridotto di questi condensatori, inferiore a 40 µm, consente ai progettisti di chip di integrare i condensatori in silicio nel package il più vicino possibile alla sezione attiva del chip, minimizzando il percorso effettivo della corrente e di conseguenza gli effetti parassiti.
Questi dispositivi di Murata soddisfano i requisiti di progetto di microprocessori e SoC (System-on-Chip) che richiedono reti capacitive a più terminali. La sostituzione dei tradizionali condensatori ceramici monolitici con analoghi dispositivi in silicio a più terminali permette di ridurre sensibilmente il numero di condensatori richiesti a bordo della scheda, a tutto vantaggio della compattezza del progetto finale. La diminuzione del numero dei condensatori consente inoltre di ridurre sia i costi della BoM sia quelli di montaggio.
