Mouser Electronics annuncia di aver iniziato a distribuire i prodotti FRAM (memoria ferroelettrica ad accesso casuale) e ReRAM (memoria resistiva ad accesso casuale) a grande densità di Fujitsu Semiconductor Memory Solution.
Le FRAM di Fujitsu sono memorie non volatili di nuova generazione che soddisfano le esigenze dei tecnici in termini di maggiore resistenza in lettura/scrittura, velocità di scrittura superiore e consumo energetico ridotto rispetto alle EEPROM. La FRAM Fujitsu è disponibile presso Mouser sia con interfacce seriali (SPI e I2C) che parallele, e in una vasta gamma di package compatti e ad alta densità. Le memorie vanno da 4 Kbit a 8 Mbit. Fujitsu è stata la prima azienda ad avviare la produzione di massa delle FRAM nel 1999. I prodotti FRAM dell’azienda sono presenti in numerose e importanti applicazioni che includono i prodotti automotive, industriali, medicali e consumer.
Grazie all’interfaccia SPI, la ReRAM di Fujitsu può essere utilizzata in un ampio intervallo di tensioni di alimentazione da 1,6 V a 3,6 V. Il dispositivo compatibile con le EEPROM è caratterizzato da un consumo energetico molto ridotto di appena 0,15 mA in lettura e 1,5 mA in scrittura che, combinato con la sua densità di 8 Mbit, lo rende perfetto per piccoli dispositivi indossabili a batteria come apparecchi acustici, smartwatch e occhiali intelligenti.
Ulteriori informazioni sulle memorie Fujitsu diustribuite da Mouser sono disponibili al seguente link.
