Impegnata a stabilire nuovi standard tecnologici nelle tecnologie dei MOSFET di potenza, Infineon Technologies ha presentato nuovi MOSFET di potenza della famiglia OptiMOS 5 da 25 e 30 V in package PQFN 2mm x 2 mm x 1 mm. Combinando la tecnologia dei wafer sottili e l’innovazione nel packaging, i nuovi dispositivi offrono notevoli vantaggi in termini di prestazioni in un fattore di forma estremamente ridotto. La tecnologia OptiMOS 5 a 25 V e 30 V è particolarmente indicata per gli alimentatori SMPS (Switched Mode Power Supply) per server, telecomunicazioni, caricabatterie e alimentatori wireless. Il MOSFET di potenza è progettato anche per il controllo elettronico della velocità nei piccoli motori brushless utilizzati nei droni dove sono richiesti componenti leggeri e con un minuscolo fattore di forma.
Grazie al package PQFN 2×2, tra i più avanzati al mondo, i nuovi dispositivi offrono una elevata densità di potenza mentre la bassissima resistenza in conduzione, tra le più basse del settore, garantisce un’ottima efficienza energetica. L’ingombro di appena 2 x 2 mm consente di ridurre ai minimi termini le dimensioni del PCB. Combinata con prestazioni elettriche eccezionali, la soluzione contribuisce ad ottenere anche nell’applicazione finale una elevata densità di potenza e dimensioni particolarmente contenute.
Anche dal punto di vista della gestione termica, i nuovi MOSFET di potenza offrono prestazioni superiori.
Tutte queste caratteristiche contribuiscono a un’applicazione finale decisamente più piccola, con un notevole risparmio di spazio, costi di sistema ridotti e facilità di progettazione.
Disponibilità
Attualmente i MOSFET della famiglia OptiMOS 5 in package PQFN 2×2 disponibili sono i seguenti:
- PQFN 2×2 25 V: 2×2 mm, RDS(ON) 2,4 mΩ (ISK024NE2LM5)
- PQFN 2×2 30 V: 2×2 mm, RDS(ON) 3,6 mΩ (ISK036N03LM5)
Maggiori informazioni sono disponibili al seguente link.
