Le ultime innovazioni offrono NAND TLC con le più alte prestazioni e densità di wafer, il tutto nel package più piccolo del settore.
Micron Technology ha annunciato oggi di aver avviato la produzione in volumi della prima NAND a 232 layer al mondo, realizzata con la sua tecnologia leader nel settore che garantisce prestazioni di archiviazione senza precedenti. La tecnologia è caratterizzata dalla più alta densità del settore, in grado di offrire una maggiore capacità e una migliore efficienza energetica rispetto alle precedenti generazioni NAND di Micron, per consentire di supportare al meglio i casi d’uso più intensivi di dati, dal cliente al cloud.
Scott DeBoer, vicepresidente esecutivo della divisione Technology and Products di Micron, ha dichiarato: “La NAND a 232 layer di Micron rappresenta una svolta per l’innovazione dell’archiviazione, in quanto è la prima prova della capacità di espandere la produzione in serie di NAND 3D a più di 200 strati”.
“Questa tecnologia rivoluzionaria ha richiesto una profonda innovazione, tra cui capacità di processo avanzate per creare strutture ad alto rapporto d’aspetto, nuovi materiali e miglioramenti di design all’avanguardia che si basano sulla nostra tecnologia NAND a 176 layer, leader di mercato.”
Una tecnologia all’avanguardia che offre prestazioni ineguagliabili
Il mondo genera sempre più dati e i clienti devono espandere la capacità di archiviazione e le prestazioni, riducendo al contempo il consumo di energia e soddisfacendo i più stringenti requisiti di sostenibilità ambientale. La tecnologia NAND a 232 layer di Micron fornisce una capacità di archiviazione ad alte prestazioni necessaria per supportare le soluzioni avanzate e i servizi in tempo reale richiesti nei data center e nelle applicazioni automobilistiche, nonché esperienze reattive e coinvolgenti sui dispositivi mobili, l’elettronica di consumo e i PC. Questo nodo tecnologico consente l’introduzione della più elevata velocità di NAND I/O del settore, ben 2,4 gigabyte al secondo (GB/s), per soddisfare le esigenze di bassa latenza e l’alto rendimento dei carichi di lavoro incentrati sui dati, tra cui l’intelligenza artificiale e l’apprendimento automatico, i database non strutturati, l’analisi in tempo reale e il cloud computing.
Questa velocità rappresenta un trasferimento dati più veloce del 50% rispetto all’interfaccia più veloce abilitata sul nodo a 176 layer di Micron. La NAND a 232 layer di Micron offre inoltre una larghezza di banda in scrittura superiore del 100% e una larghezza di banda in lettura superiore di oltre il 75% per matrice rispetto alla generazione precedente. Questi vantaggi per ogni singola matrice si traducono in un aumento delle prestazioni e dell’efficienza energetica nelle unità SSD e nelle soluzioni NAND integrate.
Inoltre, la NAND a 232 layer introduce la prima NAND TLC di serie a sei piani al mondo. Ha il maggior numero di piani per matrice di qualsiasi altra flash TLC e dispone di capacità di lettura indipendente per ogni piano. La combinazione di alta velocità di I/O, latenza di lettura e scrittura e architettura a sei piani di Micron offre i migliori trasferimenti di dati della categoria in molte configurazioni. Questa struttura garantisce un minor numero di collisioni tra i comandi di scrittura e lettura e migliora la qualità del servizio a livello di sistema.
La NAND a 232 layer di Micron è la prima in produzione ad abilitare NV-LPDDR4, l’interfaccia a bassa tensione in grado di offrire un risparmio di trasferimento per bit di oltre il 30% rispetto alle interfacce I/O precedenti. Di conseguenza, le soluzioni NAND a 232 layer offrono un supporto ideale per le applicazioni mobili e le implementazioni nei data center e nell’intelligent edge che devono bilanciare prestazioni migliori e bassi consumi. L’interfaccia è anche retrocompatibile per supportare controllori e sistemi legacy.
Il fattore di forma compatto della NAND a 232 layer offre ai clienti flessibilità nei loro design, consentendo al contempo la più alta densità TLC per millimetro quadrato mai prodotta (con 14,6 Gb/mm2). La densità d’area è tra il 35% e il 100% superiore a quella dei prodotti TLC concorrenti presenti oggi sul mercato. Disponibile in un nuovo package di 11,5 mm x 13,5 mm, la NAND a 232 layer presenta una dimensione del package del 28% inferiore rispetto alle precedenti generazioni di Micron, rendendola la più piccola NAND ad alta densità disponibile. Una maggiore densità in un ingombro ridotto riduce al minimo lo spazio sulla scheda per una vasta serie di applicazioni.
La NAND di nuova generazione promuove l’innovazione in più mercati
“Micron ha mantenuto la leadership nell’industria tecnologica con successivi progressi first-to-market in termini di numero di livelli di NAND, che consentono di ottenere vantaggi come una maggiore durata della batteria e un’archiviazione più compatta per i dispositivi mobili, migliori prestazioni nel cloud computing e un addestramento più rapido dei modelli di IA”, ha dichiarato Sumit Sadana, Chief Business Officer di Micron. “La nostra NAND a 232 layer è la nuova base e il nuovo standard per l’innovazione dell’archiviazione end-to-end, alla base della trasformazione digitale in tutti i settori industriali”.
La rapida diffusione delle NAND a 232 layer è il risultato della leadership di Micron nella ricerca, nello sviluppo e nei progressi della tecnologia di processo. Le sue capacità rivoluzionarie consentiranno ai clienti di offrire soluzioni più innovative nei data center, nei computer portatili sempre più sottili e leggeri, nei dispositivi mobili più recenti e nell’intelligent edge.
Disponibilità
La NAND a 232 strati di Micron è già in produzione in volumi presso lo stabilimento di Singapore dell’azienda. Inizialmente viene spedito ai clienti sotto forma di componenti e tramite la sua linea di prodotti consumer Crucial SSD. Seguiranno ulteriori annunci di prodotti e disponibilità.
Ulteriori informazioni sulla tecnologia NAND Micron a 232 layer sono disponibili qui.
