I nuovi circuiti integrati monolitici a microonde (MMIC) e i dispositivi discreti offrono i livelli di prestazione richiesti dalle applicazioni 5G, di comunicazione satellitare e della difesa.
Microchip Technology ha annunciato una significativa espansione del proprio portafoglio di dispositivi di potenza a radiofrequenza (RF) al nitruro di gallio (GaN) con nuovi MMIC e transistor discreti che coprono frequenze fino a 20 gigahertz (GHz). I dispositivi combinano un’elevata power-added efficiency (PAE) e un’elevata linearità per offrire nuovi livelli di prestazioni in applicazioni che vanno dal 5G alla guerra elettronica, alle comunicazioni satellitari, ai sistemi radar commerciali e di difesa e alle apparecchiature di test.
Come tutti i prodotti di potenza GaN RF di Microchip, i dispositivi sono fabbricati utilizzando la tecnologia GaN-on-silicon carbide che fornisce la migliore combinazione di densità e resa alle alte potenze, nonché funzionamento ad alta tensione e longevità di oltre 1 milione di ore ad un temperatura di giunzione di 255 °C.
I nuovi prodotti includono dispositivi MMIC GaN con frequenze di lavoro 2÷18 GHz e 12÷20 GHz nonché da 12 a 20 GHz con 3dB Compression Point (P3dB) per una potenza di uscita RF fino a 20 W con efficienza fino al 25%, nonché circuiti in formato bare die e amplificatori GaN MMIC specifici per banda S e banda X con PAE fino al 60%. Ci sono poi transistor HEMT discreti che operano dalla DC fino a 14 GHz con potenza di uscita RF P3dB fino a 100 W ed efficienza massima del 70%.
“Microchip continua a investire nella nostra famiglia di prodotti GaN RF per supportare ogni applicazione a tutte le frequenze, dalle microonde alle lunghezze d’onda millimetriche, con il nostro portafoglio di prodotti che comprende più di 50 dispositivi, dai livelli a bassa potenza fino a 2,2 kW“, ha affermato Leon Gross, Leon Gross, vice president of Microchip’s discrete products business unit “I prodotti annunciati oggi vanno da 2 a 20 GHz e sono progettati per soddisfare le sfide di linearità ed efficienza poste dalle tecniche di modulazione di ordine superiore impiegate nel 5G e in altre reti wireless, nonché le esigenze uniche delle comunicazioni satellitari e delle applicazioni di difesa.”
Il portafoglio di semiconduttori RF di Microchip, oltre ai dispositivi GaN, spazia dagli amplificatori e moduli RF all’arseniuro di gallio (GaAs) agli amplificatori a basso rumore, moduli front-end (RFFE), varactor, Schottky, diodi PIN, interruttori RF e attenuatori di tensione variabile. Inoltre, l’azienda fornisce sensori SAW ad alte prestazioni e oscillatori MEMS nonché moduli altamente integrati che combinano microcontrollori (MCU) con ricetrasmettitori RF (Wi-Fi MCU) che supportano i principali protocolli wireless dal Bluetooth al Wi-Fi a LoRa.
Strumenti di sviluppo
Microchip fornisce supporto per la progettazione con board dedicate, anche mediante i partner di distribuzione. L’azienda fornisce anche modelli compatti per i nuovi prodotti GaN che consentono ai clienti di modellare più facilmente le prestazioni e accelerare la progettazione degli amplificatori di potenza dei loro sistemi.
I dispositivi annunciati includono ICP0349PP7-1-300I e ICP1543-1-110I, nonché altri prodotti Microchip RF e sono già disponibili in volumi di produzione.
Ulteriori informazioni tecniche e commerciali sono disponibili sul sito Microchip.
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