Bidirezionale, con tensione massima di 40 V e con bassissimo valore di RDS(on), è particolarmente indicato per dispositivi mobili, caricabatterie e adattatori intelligenti.
Secondo il CEO di Innoscience Jay Son, “È il primo dispositivo GaN al mondo per telefoni cellulari”. Jay Son si riferisce al dispositivo INN40W08, un transistor HEMT GaN-on-Si bidirezionale enhancement mode da 40V per dispositivi mobili, compresi laptop e telefoni cellulari. L’HEMT INN40W08 è stato sviluppato utilizzando l’avanzata tecnologia InnoGan dell’azienda che si caratterizza per una resistenza di conduzione ultra bassa.
Il Dott. Denis Marcon, Direttore Generale di Innoscience Europe e Responsabile Marketing per gli Stati Uniti e l’Europa ha dichiarato: ”La tecnologia GaN è stata adottata negli ultimi due anni dai produttori di caricabatterie per telefoni cellulari allo scopo di fornire maggiore potenza e ridurre le dimensioni dei dispositivi. Tuttavia, il passo avanti significativo compiuto da Innoscience consente ora di introdurre gli HEMT GaN anche nei telefoni cellulari, aumentandone l’efficienza e le prestazioni. Con l’ampia capacità produttiva messa a disposizione da Innoscience, garantiamo la filiera sicura che i clienti si aspettano oggi.”
Caratterizzati da una capacità di blocco bidirezionale, i nuovi HEMT INN40W08 presentano una resistenza ON ultra bassa, di appena 7,8 milliohm. Ciò è ottenuto grazie all’avanzata tecnologia InnoGan brevettata dell’azienda che riduce del 66% la resistenza dello strato di deformazione del transistor ad arricchimento. La carica del gate (QG) tipica è di 12,7nC. Il package WLCSP (grid wafer level chip scale) con matrice 5×5 misura appena 2x2mm. L’ingombro ridotto consente di integrare gli HEMT INN40W08 all’interno dei minuscoli telefoni cellulari. Le applicazioni includono la commutazione del carico sul lato alto, la protezione dalle sovratensioni presenti sulla porta USB e diverse tipologie di alimentatori, inclusi caricabatterie e adattatori. La tecnologia al GaN di Innoscience consente di realizzare sistemi efficienti e più compatti per la protezione dalle sovratensioni (OVP), con la sostituzione di 2 MOSFET al silicio con un transistor InnoGan (o BiGan). Ciò consente di risparmiare sui costi complessivi dell’unità OVP e ne riduce le dimensioni, un aspetto questo molto importante se si considerano i vincoli di spazio sul circuito stampato di un telefono cellulare.
Innoscience è il più grande produttore di dispositivi integrati (IDM) al mondo interamente specializzato nella tecnologia GaN. L’azienda dispone di due fabbriche di wafer, tra cui il più grande sito al mondo dedicato alla produzione di wafer Gan-on-Si da 8 pollici. Attualmente l’azienda vanta una capacità produttiva di 10.000 wafer da 8 pollici al mese che aumenteranno fino a 14.000 wafer al mese entro la fine dell’anno e fino a 70.000 wafer al mese entro il 2025. L’azienda dispone di un ampio portafoglio di transistor GaN-on-Si enhancement mode da 30V a 150V e da 650V. La tecnologia GaN di Innoscience mantiene costantemente i più elevati standard internazionali, incluse le qualifiche avanzate e i test di affidabilità.
