Megatrend come digitalizzazione, urbanizzazione ed elettromobilità portano a un aumento del consumo di energia. Anche per questo motivo, l’efficienza energetica sta diventando sempre più importante. Infineon Technologies risponde a questi megatrend e alle richieste di efficienza energetica con una nuova famiglia di MOSFET CoolSiC 650 V al carburo di silicio (SiC) in grado di offrire elevata affidabilità, facilità d’impiego e ottimo rapporto prezzo/prestazioni. I dispositivi si basano sulla avanzata tecnologia Trench SiC di Infineon e sono disponibili in un compatto package SMD D2PAK a 7 pin con tecnologia di interconnessione .XT. Sono particolarmente indicati per server, telecomunicazioni, SMPS, Ricarica veloce di veicoli elettrici, azionamenti a motore, sistemi ad energia solare, accumulo di energia, e testing delle batterie.
I nuovi prodotti offrono un comportamento di commutazione migliorato a correnti più elevate e una carica di recupero inversa (Qrr) e una carica drain-source (Qoss) inferiori dell’80% rispetto al miglior prodotto di riferimento in silicio. Le ridotte perdite di commutazione consentono l’impiego in sistemi ad alta frequenza di dimensioni ridotte, consentendo una maggiore efficienza e densità di potenza. La tecnologia trench è la base per un’affidabilità superiore del dielettrico di gate, il gate oxide. Insieme a una migliore resistenza ai corto-circuiti e all’effetto valanga, la nuova famiglia garantisce la massima affidabilità anche in ambienti difficili. I MOSFET SiC sono adatti per topologie con pesanti commutazioni ripetitive, nonché per operazioni gravose e ad alta temperatura. Grazie a una bassissima resistenza di conduzione (R DS(on)), presentano anche un ottimo comportamento termico.
Dotato di un’ampia gamma di tensione gate-source (VGS) da -5 V fino a 23 V e grazie alla capacità 0 V turn-off VGS nonché una tensione di soglia gate-source (VGS(th)) maggiore di 4 V, la nuova famiglia funziona anche con circuiti integrati gate driver realizzati con MOSFET standard. Inoltre, i nuovi prodotti supportano topologie bidirezionali e completa controllabilità dv/dt, offrendo complessità e costi di sistema ridotti, nonché facilità di adozione e integrazione. La tecnologia di interconnessione .XT migliora del 30% le capacità termiche rispetto ad una interconnessione standard. Con dieci nuovi prodotti, il portafoglio Infineon D2PAK a 7 pin di MOSFET SiC è il più granulare del mercato.
I nuovi MOSFET CoolSiC da 650 V in D2 AK a 7 pin (TO-263-7) sono giàò disponibili. Ulteriori informazioni sulla nuova famiglia di MOSFET al seguente link.
Qui maggiori informazioni sul contributo di Infineon all’efficienza energetica.
