giovedì, Novembre 21, 2024
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Infineon presenta la nuova famiglia di switch singoli integrati e half-bridge con driver integrati CoolGaN Drive

Infineon CoolGaN Drive

Sia nel mondo delle applicazioni industriali che in quello consumer si stanno affermando tendenze quali la portabilità, la riduzione di peso e l’elettrificazione più spinta. Tutte queste tendenze richiedono design compatti ed efficienti che vanno di pari passo con design PCB non convenzionali con pesanti vincoli di spazio che limitano l’uso di componenti esterni.

Per affrontare queste sfide, Infineon Technologies annuncia l’ampliamento del suo portafoglio GaN con la famiglia di prodotti CoolGaN Drive, famiglia composta dai singoli switch CoolGaN Drive 700 V G5, che integrano un transistor più un gate driver in package PQFN 5×6 e PQFN 6×8, nonché dai dispositivi CoolGaN Drive HB 600 V G5, che combinano due transistor con gate driver high-side e low-side integrati in un package LGA 6×8.

La nuova famiglia di prodotti consente una maggiore efficienza, dimensioni di sistema ridotte e risparmi sui costi complessivi. Ciò rende i dispositivi adatti alle bici elettriche, agli utensili elettrici portatili e agli elettrodomestici più leggeri, come aspirapolvere, ventilatori e asciugacapelli.

“Per diversi anni, Infineon si è concentrata sull’accelerazione della tecnologia GaN per fornire soluzioni mirate alle sfide energetiche del mondo reale“, ha affermato Johannes Schoiswohl, Senior Vice President & General Manager, GaN Systems Business Line Head presso Infineon. “La nuova famiglia di prodotti CoolGaN Drive è un’altra dimostrazione di come supportiamo i nostri clienti nello sviluppo di design compatti con elevata densità di potenza ed efficienza tramite GaN”.

La famiglia CoolGaN Drive offre un’ampia gamma di switch singoli e half bridge con driver integrati basati sul modello recentemente annunciato del transistor CoolGaN 650 V G5. A seconda del gruppo di prodotti, i componenti sono dotati di un diodo bootstrap e sono caratterizzati da misurazione della corrente senza perdite e dalla regolazione dV/dt durante accensione e spegnimento. Di conseguenza, i dispositivi consentono frequenze di commutazione più elevate, portando a soluzioni di sistema più piccole ed efficienti con elevata densità di potenza. Allo stesso tempo, la distinta base (BoM) risulta ridotta. Ciò non solo si traduce in un peso inferiore del sistema, ma riduce anche l’impronta di carbonio.

I campioni delle soluzioni half-bridge sono già disponibili mentre i campioni single-switch saranno disponibili a partire dal Q4 2024. Ulteriori informazioni al seguente link.