Infineon Technologies apre un nuovo capitolo nei sistemi di alimentazione e nella conversione dell’energia introducendo la seconda generazione di tecnologia trench MOSFET al carburo di silicio (SiC).
Il nuovo Infineon MOSFET CoolSiC da 650 V e 1200 V di seconda generazione migliora le prestazioni chiave dei MOSFET, fino al 20% rispetto alla generazione precedente senza compromettere i livelli di qualità e affidabilità, portando a una maggiore efficienza energetica complessiva e dando un ulteriore contributo alla decarbonizzazione.
La tecnologia CoolSiC MOSFET Generation 2 (G2) continua a sfruttare le capacità prestazionali del carburo di silicio consentendo una minore perdita di energia che si traduce in una maggiore efficienza durante la conversione di potenza. Ciò offre notevoli vantaggi ai clienti per varie applicazioni di semiconduttori di potenza in ambito fotovoltaico, accumulo di energia, ricarica di veicoli elettrici DC, azionamenti di motori e alimentatori industriali.
Una stazione di ricarica rapida DC per veicoli elettrici dotata di CoolSiC G2 consente una perdita di potenza fino al 10% in meno rispetto alle generazioni precedenti, consentendo al contempo una maggiore capacità di ricarica senza compromettere i fattori di forma. Gli inverter di trazione basati sui dispositivi CoolSiC G2 possono aumentare ulteriormente l’autonomia dei veicoli elettrici. Nel settore delle energie rinnovabili, gli inverter solari progettati con CoolSiC G2 rendono possibili dimensioni più piccole pur mantenendo un’elevata potenza in uscita, con conseguente costo per watt inferiore.
I commenti
“I megatrend richiedono modi nuovi ed efficienti per generare, trasmettere e consumare energia. Con il CoolSiC MOSFET G2, Infineon porta le prestazioni del carburo di silicio a un nuovo livello”, ha affermato il Dr. Peter Wawer, Presidente della divisione Green Industrial Power di Infineon. “Questa nuova generazione di tecnologia SiC consente la progettazione accelerata di sistemi più ottimizzati in termini di costi, compatti, affidabili e altamente efficienti che raccolgono risparmi energetici e riducono la CO2 per ogni watt installato sul campo. È un ottimo esempio dello spirito implacabile di Infineon, che spinge costantemente verso l’innovazione per favorire la decarbonizzazione e la digitalizzazione nei settori industriale, consumer e automobilistico”.
Contribuendo alle soluzioni CoolSiC G2 ad alte prestazioni, la pionieristica tecnologia trench CoolSiC MOSFET di Infineon offre un compromesso progettuale ottimizzato, consentendo maggiore efficienza e affidabilità rispetto alla tecnologia MOSFET SiC disponibile finora. In combinazione con la pluripremiata tecnologia di packaging .XT, Infineon sta aumentando ulteriormente il potenziale dei progetti basati su CoolSiC G2 con una maggiore conduttività termica, un migliore controllo dell’assemblaggio e prestazioni migliorate.
Padroneggiando tutte le tecnologie energetiche rilevanti nel campo del silicio, del carburo di silicio e del nitruro di gallio (GaN), Infineon offre flessibilità di progettazione e know-how applicativo all’avanguardia che soddisfano le aspettative e le richieste dei progettisti moderni. I semiconduttori innovativi basati su materiali a banda larga (WBG) come SiC e GaN sono la chiave per un uso consapevole ed efficiente dell’energia per favorire la decarbonizzazione.
