Infineon Technologies ha annunciato oggi la disponibilità della prima RAM ferroelettrica (F-RAM) per ambienti estremi. I nuovi dispositivi offrono affidabilità e conservazione dei dati insuperabili, e sono più efficienti dal punto di vista energetico rispetto ai dispositivi EEPROM non volatili e ai dispositivi flash NOR seriali per applicazioni spaziali.
L’aggiunta di una F-RAM qualificata QML-V al portafoglio di memorie di Infineon rende disponibili per le applicazioni spaziali i vantaggi di una robustezza quasi infinita, una tecnologia di scrittura non volatile istantanea e una conservazione dei dati di oltre 100 anni. In sostituzione diretta di flash NOR seriali ed EEPROM, la rad hard F-RAM è ideale per la registrazione di dati mission-critical, l’archiviazione della telemetria e l’archiviazione dei dati di calibrazione di comando e controllo. Il nuovo dispositivo è ideale anche per fornire soluzioni di archiviazione del codice di avvio per microcontrollori, FPGA e ASIC.
Il supporto per il protocollo Serial Peripheral Interface (SPI) migliora la facilità d’uso e supporta un ingombro ridotto e un numero di pin inferiore. I protocolli seriali sono sempre più utilizzati nelle applicazioni satellitari e spaziali, con diversi fornitori che ora offrono processori di livello spaziale, FPGA e ASIC con capacità SPI.
“In qualità di leader riconosciuto nelle soluzioni ad alta affidabilità per applicazioni spaziali, sia attraverso la nostra attività IR HiRel che nelle memorie di livello spaziale, Infineon si impegna a fornire le memorie più affidabili ed efficienti dal punto di vista energetico per le applicazioni spaziali di prossima generazione“, ha affermato Helmut Puchner, Vice President Fellow of Aerospace and Defense presso Infineon Technologies. “I dispositivi F-RAM di nuova introduzione hanno capacità di scrittura superiori con requisiti di alimentazione inferiori rispetto alle alternative e supportano progetti di sistema con un minor numero di componenti, prestazioni migliorate e nessun compromesso in termini di affidabilità. Non vediamo l’ora di portare ulteriori novità del settore nel mercato spaziale“.
La F-RAM con densità di 2 Mb con SPI è la prima nella sua famiglia di F-RAM non volatili di tipo rad hard. I dispositivi hanno una durata praticamente infinita senza livellamento dell’usura, con 10 trilioni di cicli di lettura/scrittura e 120 anni di conservazione dei dati a 85°C, a un intervallo di tensione di esercizio da 2,0 V a 3,6 V. La corrente di esercizio più bassa è di 10 mA max, con una tensione di programmazione estremamente bassa di 2 V.
Le F-RAM rad hard sono adatte anche per applicazioni avioniche e altre applicazioni che richiedono temperatura di classe militare che vanno da -55°C a 125°C. Ulteriori caratteristiche includono un ingombro ridotto con un package SOP in ceramica da 16 pollici. I dispositivi qualificati DLAM QML-V hanno prestazioni di radiazione superiori di:
- TID: >150 Krad (Si)
- SEL: >114 MeV·cm 2 /mg @115°C
- SEU: immune
- SEFI: <1,34 * 10-4 err/sv.giorno
Le F-RAM rad hard da 2 Mb sono già disponibili. Ulteriori informazioni al seguente link.
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