Infineon Technologies ha annunciato oggi una partnership con AWL-Electricity Inc. con sede in Canada, un pioniere nella tecnologia di trasferimento di potenza con accoppiamento capacitivo risonante MHz. Infineon fornisce ad AWL-E dispositivi CoolGaN GS61008P consentendo lo sviluppo di soluzioni di alimentazione wireless avanzate, con nuovi prodotti in grado di affrontare le sfide di alimentazione in vari settori.
La partnership combina la tecnologia all’avanguardia del nitruro di gallio (GaN) di Infineon con l’innovativo sistema di trasferimento di potenza con accoppiamento capacitivo risonante MHz di AWL-E, ottenendo efficienze di potenza wireless di riferimento nel settore. La tecnologia dei transistor GaN di Infineon offre la massima efficienza e la massima densità di potenza mentre funziona alle massime frequenze di commutazione. Ciò consente ad AWL-E di aumentare la durata del sistema, ridurre i tempi di fermo e i costi operativi e migliorare la facilità d’uso per i consumatori. Nel settore automobilistico, la tecnologia consente un nuovo livello di esperienze interne e dinamiche dei sedili. Nei sistemi industriali, fornisce livelli di libertà di progettazione quasi illimitati, come per veicoli a guida automatica o applicazioni robotiche.
Inoltre, la tecnologia consente una progettazione di sistema completamente sigillata, eliminando la necessità di porte di ricarica, il che contribuisce a ridurre il consumo globale di batterie.
“Con il nostro approccio dimostriamo ancora una volta la capacità di sbloccare tutti i vantaggi a livello di sistema della tecnologia CoolGaN di Infineon, consentendo compattezza ed efficienza“, ha affermato Falk Herm, Global Partnership & Ecosystem Management presso la divisione Power & Sensor Systems (PSS) di Infineon. “La combinazione di AWL-E e delle capacità complementari di Infineon dimostra come le caratteristiche del GaN, ovvero il funzionamento a frequenze MHz, cambino il paradigma di ciò che può essere fatto con i transistor di potenza, guidando prodotti più ecologici e dalle prestazioni migliori”.
“Infineon ti porta in modo unico nella sua famiglia con la consapevolezza che un solido ecosistema risolve in ultima analisi le attuali esigenze di alimentazione“, ha affermato Francis Beauchamp-Verdon, co-fondatore, vicepresidente e direttore dello sviluppo aziendale presso AWL-E. “I transistor GaN di Infineon, le schede di valutazione e le opportunità di partnership hanno aumentato l’accettazione dei nostri sistemi di accoppiamento di potenza MHz basati su GaN”.
Infineon è leader nel mercato dei semiconduttori di potenza e attualmente è l’unico produttore che padroneggia tutte le tecnologie di potenza, offrendo al contempo il più ampio portafoglio di prodotti e tecnologie di dispositivi al silicio (come SJ MOSFET, IGBT), al carburo di silicio (come diodi Schottky e MOSFET) e al nitruro di gallio (e-mode HEMT), che comprendono bare die, componenti discreti e moduli.
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Il GS61008P-TR è un transistor raffreddato sul lato inferiore in un package GaNPX con bassissima resistenza termica tra giunzione e case per applicazioni ad alta potenza.
