Colpo grosso per Infineon Technologies: la società tedesca ha annunciato oggi l’acquisizione di GaN Systems, società canadese leader mondiale nei dispositivi GaN. Le due società hanno firmato un accordo definitivo in base al quale Infineon acquisirà GaN Systems per 830 milioni di dollari.
GaN Systems è leader globale nello sviluppo di soluzioni di potenza basate sulla tecnologia GaN; la società ha sede a Ottawa, in Canada, e ha più di 200 dipendenti.
“La tecnologia GaN sta aprendo la strada a soluzioni più efficienti dal punto di vista energetico, che favoriscono la decarbonizzazione e la riduzione della CO2. L’adozione in applicazioni come la ricarica dei dispositivi portatili, gli alimentatori per data center, gli inverter solari residenziali e i caricabatterie di bordo per veicoli elettrici, è ad un punto di svolta, portando a una crescita dinamica del mercato“, ha affermato Jochen Hanebeck, CEO di Infineon. “L’acquisizione di GaN Systems accelererà in modo significativo la nostra roadmap GaN, basata su risorse di ricerca e sviluppo senza pari, comprensione delle applicazioni e pipeline di progetti dei clienti. Seguendo la nostra strategia, la combinazione rafforzerà ulteriormente la leadership di Infineon nei sistemi energetici attraverso la padronanza di tutte le tecnologie energetiche rilevanti, sia che si tratti di silicio, carburo di silicio o nitruro di gallio”.
Jim Witham, CEO di GaN Systems, ha dichiarato: “Il team di GaN Systems è entusiasta di collaborare con Infineon per creare offerte altamente differenzianti per i clienti, basate sull’unione di punti di forza complementari. Con la nostra esperienza congiunta nel fornire soluzioni superiori, sfrutteremo in modo ottimale il potenziale del GaN. La combinazione dei corridoi di fonderia di GaN Systems con la capacità di produzione interna di Infineon consente la massima capacità di crescita per l’adozione accelerata di GaN in un’ampia gamma dei nostri mercati target. Sono molto orgoglioso di ciò che GaN Systems ha realizzato finora e non vedo l’ora di aiutare a scrivere il prossimo capitolo insieme a Infineon. In qualità di produttore di dispositivi integrati con un’ampia capacità tecnologica, Infineon ci consente di liberare tutto il nostro potenziale“.
Materiale ad ampia banda proibita, il GaN offre valore al cliente grazie a una maggiore densità di potenza, maggiore efficienza e riduzione delle dimensioni, soprattutto a frequenze di commutazione più elevate. Queste proprietà consentono risparmi energetici e fattori di forma più piccoli, rendendo il GaN adatto a un’ampia gamma di applicazioni. Entro il 2027, gli analisti prevedono che le entrate GaN per le applicazioni di potenza cresceranno con un CAGR del 56% circa, a quota 2 miliardi di dollari (fonte: Yole, Compound Semiconductor Market Monitor-Module I Q4 2022). Pertanto, sempre di più, il GaN sta diventando un materiale chiave per i semiconduttori di potenza, insieme al silicio e al carburo di silicio, e insieme a nuove topologie, come il flyback ibrido e le implementazioni multilivello. Nel febbraio 2022, Infineon ha annunciato di aver raddoppiato gli investimenti nel settore dei dispositivi wide-bandgap destinando oltre 2 miliardi di euro per la costruzione di un nuovo fab front-end a Kulim, in Malesia, al fine di rafforzare la sua posizione di mercato.
La prevista acquisizione di GaN Systems in una transazione interamente in contanti sarà finanziata dalla liquidità esistente. La transazione è soggetta alle consuete condizioni di chiusura, comprese le approvazioni normative.
