Infineon Technologies presenta la nuova famiglia di transistor CoolGaN 700 V G4. I dispositivi presentano una elevatissima efficienza per la conversione di potenza nell’intervallo di tensione fino a 700 V. A differenza di altri prodotti GaN disponibili sul mercato, le cifre di merito di ingresso e uscita di questi transistor forniscono prestazioni migliori del 20%, con conseguente maggiore efficienza, perdite di potenza ridotte e soluzioni più convenienti.
La combinazione di caratteristiche elettriche e di contenitori garantisce le massime prestazioni in molte applicazioni come caricabatterie e adattatori per notebook, alimentatori per data center, inverter per energia rinnovabile e accumulatori di batterie.
La serie di prodotti comprende 13 dispositivi con una tensione nominale di 700 V e un intervallo di resistenza da 20 mΩ a 315 mΩ. La maggiore granularità nelle specifiche del dispositivo, combinata con un’ampia gamma di opzioni di pacchetti standard del settore tra cui PDFN, TOLL e TOLT, consente di selezionare la resistenza e il contenitore in base ai requisiti dell’applicazione. Di conseguenza, sia le prestazioni del sistema elettrico che quello termico possono essere ottimizzate e implementate nella soluzione più conveniente.
I dispositivi sono caratterizzati da un’elevata velocità di accensione e spegnimento e da perdite di commutazione minime. L’intervallo di resistenza consente sistemi di alimentazione da 20 W a 25.000 W. Inoltre, la modalità E da 700 V con la tensione transitoria più alta del settore pari a 850 V aumenta l’affidabilità del sistema complessivo in quanto offre una maggiore robustezza contro le anomalie come i picchi di tensione.
I prodotti CoolGaN Transistor 700 V G4 nei pacchetti TOLL, PDFN 5×6 e 8×8 sono già disponibili; ulteriori varietà di RDS(ON) e il package TOLT seguiranno entro la fine dell’anno.
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