La nuova tecnologia di packaging con raffreddamento dal lato superiore consente unità radio più piccole, sottili e leggere, supportando un’implementazione più rapida e semplice delle stazioni base 5G.
NXP Semiconductors ha annunciato oggi una famiglia di moduli amplificatori RF raffreddati dall’alto, basati su un’innovazione di packaging progettata per consentire radio più sottili e leggere per l’infrastruttura 5G. Queste stazioni base più piccole possono essere installate in modo più semplice ed economico e si integrano in modo più discreto. La serie di moduli multi-chip GaN di NXP, combinata con la prima soluzione di raffreddamento dal lato superiore del settore per sistemi di potenza RF, contribuisce a ridurre non solo lo spessore e il peso della radio di oltre il 20%, ma anche l’impronta di carbonio per la produzione e l’implementazione delle stazioni base 5G.
“Il raffreddamento dall’alto rappresenta un’opportunità significativa per il settore delle infrastrutture wireless, combinando capacità ad alta potenza con prestazioni termiche avanzate per consentire un sottosistema RF più piccolo. Questa innovazione offre una soluzione per l’implementazione di stazioni base più rispettose dell’ambiente, consentendo anche la densità di rete necessaria per realizzare tutti i vantaggi in termini di prestazioni del 5G”, ha dichiarato Pierre Piel, vicepresidente e direttore generale Radio Power presso NXP.
I nuovi dispositivi di NXP raffreddati dal lato superiore offrono significativi vantaggi di progettazione e produzione, tra cui la rimozione degli schermi RF, l’uso di circuiti stampati economici e semplificati e la separazione della gestione termica dalla progettazione RF. Queste funzionalità aiutano i fornitori di soluzioni di rete a creare radio 5G più sottili e leggere per gli operatori di reti mobili, semplificando la progettazione.
La prima serie di moduli di alimentazione RF raffreddati dall’alto di NXP è progettata per radio 32T32R da 200 W nella gamma da 3,3 GHz a 3,8 GHz. I dispositivi combinano le tecnologie dei semiconduttori LDMOS e GaN dell’azienda per consentire un elevato guadagno ed una efficienza nell’intera gamma, offrendo un guadagno di 31 dB e un’efficienza del 46% su 400 MHz di larghezza di banda istantanea.
I prodotti A5M34TG140-TC, A5M35TG140-TC e A5M36TG140-TC sono già disponibili. L’A5M36TG140-TC sarà supportato dalla serie di schede di riferimento RapidRF di NXP. Ulteriori informazioni sono disponibili al link NXP.com/TSCEVBFS.
