STMicroelectronics ha rilasciato due moduli STPOWER che integrano MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200 V in configurazione standard. Ciascuno utilizza la tecnologia package ACEPACK 2 di ST che garantisce un’elevata densità di potenza e un montaggio semplificato.
Il primo dei nuovi moduli, l’A2F12M12W2-F1, è un modulo a quattro pack che fornisce una soluzione a ponte intero, comoda e compatta per circuiti come i convertitori DC/DC.
Un altro modulo, l’A2U12M12W2-F2, utilizza una topologia di tipo T a tre livelli per combinare un’elevata efficienza di conduzione e commutazione con una qualità costante della tensione di uscita.
I MOSFET integrati in questi moduli sfruttano la tecnologia SiC di seconda generazione di ST, che ha un’eccezionale cifra di merito RDS(on) x die-area, per garantire un’elevata capacità di gestione della corrente con perdite minime. Con 13 mOhm tipici di RDS(on) per die, sia le topologie a ponte intero che di tipo T affrontano applicazioni ad alta potenza e garantiscono un’eccellente efficienza energetica con una gestione termica semplificata grazie alla bassa dissipazione.
Il package ACEPACK 2 ha dimensioni compatte e garantisce un’elevata densità di potenza, con un efficiente substrato di allumina e una connessione del die di tipo direct bonded copper (DBC). Le connessioni esterne sono rappresentate da pin a pressione che semplificano il montaggio in apparecchiature per ambienti potenzialmente difficili come veicoli elettrici (EV), sistemi di conversione di potenza per stazioni di ricarica, e sistemi di accumulo di energia ed energia solare. Il package fornisce un isolamento di 2,5 kVrms e contiene un sensore di temperatura NTC integrato che può essere utilizzato per la protezione e la diagnostica del sistema.
I moduli sono già in produzione al prezzo unitario di 235,20 dollari, sia per la configurazione a quattro pack A2F12M12W2-F1 che per l’inverter di tipo T a tre livelli A2U12M12W2-F2.
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