I nuovi MOSFET di potenza da 100 V a canale N STL120N10F8 di STMicroelectronics combinano una carica gate-drain (QGD) particolarmente bassa così come molto bassa è la resistenza in conduzione (RDSON) per un valore della figura di merito (FoM) migliore del 40% rispetto a dispositivi comparabili della generazione precedente.
I nuovi MOSFET sfruttano l’avanzata tecnologia STPOWER STripFET F8 di ST che introduce una trincea riempita di ossido che consente perdite di conduzione molto basse combinate con una bassa carica di gate per prestazioni di commutazione molto efficienti. Ne consegue che il dispositivo STL120N10F8 presenta un RDSON massimo di 4,6 mΩ (a VGS = 10 V) e può funzionare in modo efficiente a frequenze di commutazione fino a 600 kHz.
La tecnologia STripFET F8 garantisce inoltre un valore di capacità di uscita che aiuta a mitigare i picchi di tensione drain-source e a ridurre al minimo lo spreco di energia di carica-scarica. Anche la caratteristica body-drain-diode del MOSFET mostra una maggiore “morbidezza”. Questi miglioramenti riducono le emissioni elettromagnetiche e quindi facilitano i test di conformità del sistema finale per raggiungere la compatibilità elettromagnetica (EMC) secondo gli standard di prodotto applicabili.
Con la sua efficienza superiore e le emissioni elettromagnetiche inferiori, l’STL120N10F8 migliora le prestazioni di conversione di potenza in entrambe le topologie a commutazione hard e soft. Si tratta anche del primo MOSFET STPOWER 100V STripFET F8 ad essere pienamente qualificato per le specifiche di livello industriale. È quindi ideale per applicazioni di controllo motore, in alimentatori e convertitori per sistemi di telecomunicazione e computer e nei sistemi LED e di illuminazione a bassa tensione. È adatto anche per apparecchi di consumo e dispositivi alimentati a batteria.
I nuovi MOSFET offrono ulteriori vantaggi, tra cui una diffusione molto ridotta della tensione gate-threshold (VGSth) che semplifica il collegamento in parallelo di più dispositivi in applicazioni ad alta corrente. I dispositivi sono inoltre estremamente robusti, in grado di sopportare correnti di cortocircuito fino a 800A per impulsi nel range di 10µs.
STL120N10F8 viene attualmente prodotto il volumi nel package PowerFLAT5x6, al prezzo unitario 1,04 dollari per ordini di 1.000 pezzi.
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