onsemi e Ampt, la più importante azienda a livello mondiale nel settore degli ottimizzatori in corrente continua per sistemi fotovoltaici e di accumulo dell’energia di grandi dimensioni, hanno annunciato un accordo di collaborazione finalizzato a soddisfare l’elevata richiesta di ottimizzatori di stringa. In base all’intesa raggiunta, Ampt utilizzerà i MOSFET SiC a canale N facenti parte della famiglia di dispositivi in carburo di silicio EliteSic di onsemi, per i propri ottimizzatori di stringa in DC impiegati in applicazioni di commutazione di potenza critiche.
Gli ottimizzatori di stringa di Ampt, destinati alle centrali fotovoltaiche di grandi dimensioni, consentono di realizzare sistemi fotovolatici caratterizzati da prestazioni maggiori e costi inferiori. Gli ottimizzatori forniscono l’energia proveniente dall’array fotovoltaico a un valore fisso di tensione, generalmente compreso tra 600 e 1500 VDC, riducendo i requisiti complessivi di corrente e i costi della centrale. Gli ottimizzatori di Ampt garantiscono una maggiore efficienza in termini di Rte (Round-trip efficiency) – ovvero la quantità di carica ceduta dall’accumulo in fase di scarica e quella immagazzinata in fase di carica – dei sistemi di accumulo dell’energia e della centrale fotovoltaica grazie all’uso dei più recenti MOSFET SiC di onsemi, caratterizzati da valori estremamente bassi di resistenza di conduzione (ON) e da perdite di commutazione ridotte.
“L’integrazione dei dispositivi della famiglia EliteSiC di onsemi nei nostri ottimizzatori in DC – ha spiegato Levent Gun, CEO di Ampt – permette a sviluppatori e proprietari di impianti di grandi dimensioni di ottimizzare i loro progetti dal punto di vista economico. Le prestazioni dei prodotti hanno rivestito ovviamente un’importanza cruciale, ma altrettanto fondamentali sono stati l’assistenza fornita da onsemi nella fase di progettazione e la garanzia di fornitura che ci ha permesso soddisfare in modo adeguato la rapida crescita della domanda”.
RDS(on) di 80 mΩ (nominale), ridotta carica di gate (Qg), pari a 56 nC e Rg (resistenza di gate) di 1,7 Ohm sono le caratteristiche salienti dei dispositivi EliteSiC utilizzati. In grado di operare a temperature di giunzione di 175°C, questi MOSFET consentono di ridurre gli oneri legati alla gestione termica e di realizzare quindi soluzioni più piccole e di costo inferiore.
“La combinazione tra prestazioni e affidabilità che distingue la nostra tecnologia EliteSiC – ha affermato Simon Keeton, executive vice president e general manager del Power Solutions Group di onsemi – ha permesso di realizzare ottimizzatori in DC efficienti e affidabili, in linea con quello che si aspetta un’azienda di primo piano come Ampt. Il nostro obiettivo è continuare a collaborare allo sviluppo di nuovi prodotti per applicazioni di energie rinnovabili finalizzate a promuovere un ecosistema sempre più sostenibile”.
