Il diodo Schottky CoolSiC 2000 V G5 di Infineon è il primo diodo al carburo di silicio discreto sul mercato con una tensione di rottura di 2000 V.
Nei sistemi industriali di potenza, per ridurre al minimo le perdite è necessario fare ricorso di tensioni di collegamento DC ancora più alte. Infineon Technologies affronta questa sfida introducendo il diodo Schottky CoolSiC 2000 V G5, il primo diodo al carburo di silicio discreto sul mercato con una tensione di rottura di 2000 V. La famiglia di prodotti è adatta per applicazioni con tensioni in continua fino a 1500 VDC con correnti nominali da 10 a 80 A. Ciò lo rende ideale per applicazioni con tensioni del collegamento DC più elevate, come nelle applicazioni di ricarica solare ed EV.
La famiglia di prodotti è disponibile in un package TO-247PLUS-4-HCC, con 14 mm di creepage e 5,4 mm di clearance (la clearance è la distanza più breve, misurata in aria, tra due parti conduttive mentre la Creepage è la distanza minima misurata lungo la superficie di un materiale isolante tra due parti conduttive). Questo, insieme a una corrente nominale fino a 80 A, consente una densità di potenza significativamente più elevata. Consente agli sviluppatori di ottenere livelli di potenza più elevati nelle loro applicazioni con solo la metà del numero di componenti delle soluzioni da 1200 V. Ciò semplifica la progettazione complessiva e consente una transizione fluida dalle topologie multilivello alle topologie a 2 livelli.
Inoltre, il diodo Schottky CoolSiC 2000V G5 utilizza la tecnologia di interconnessione .XT che porta a una resistenza termica e a un’impedenza significativamente inferiori, consentendo una migliore gestione del calore. Inoltre, la robustezza contro l’umidità è stata dimostrata nei test di affidabilità HV-H3TRB. I diodi non presentano né corrente di recupero inversa né recupero diretto e presentano una bassa tensione diretta, garantendo prestazioni di sistema migliorate.
La famiglia di diodi da 2000 V è una corrispondenza perfetta per i MOSFET CoolSiC da 2000 V nel package TO-247Plus-4 HCC che Infineon ha introdotto nella primavera del 2024. Il portafoglio di diodi CoolSiC da 2000 V verrà ampliato offrendoli nel package TO-247-2, che sarà disponibile a dicembre 2024. È disponibile anche un portafoglio di gate driver per i MOSFET CoolSiC da 2000 V.
Disponibilità
La famiglia CoolSiC Schottky Diode 2000 V G5 in TO-247PLUS-4 HCC è già disponibile insieme ad una scheda di valutazione per la famiglia di prodotti. Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link: www.infineon.com/CoolSiC-diode-2kV.
