L’industria elettronica si sta orientando sempre di più verso sistemi più compatti e potenti, guidata dai progressi tecnologici e da una crescente attenzione agli sforzi di decarbonizzazione.
Con l’introduzione dei pacchetti Thin-TOLL 8×8 e TOLT, Infineon Technologies sta accelerando e supportando attivamente queste tendenze consentono il massimo utilizzo della scheda madre PCB e delle schede figlie, tenendo conto anche dei requisiti termici del sistema e delle limitazioni di spazio.
L’azienda sta attualmente espandendo il proprio portafoglio di MOSFET discreti CoolSiC da 650 V con due nuove famiglie di prodotti alloggiati nei contenitori Thin-TOLL 8×8 e TOLT. Questi MOSFET si basano sulla tecnologia CoolSiC Generation 2 (G2), che offre valori di merito, affidabilità e facilità d’uso significativamente migliorati. Entrambe le famiglie di prodotti si rivolgono specificamente agli alimentatori switching ad alta e media potenza (SMPS), inclusi server AI, energia rinnovabile, caricabatterie per veicoli elettrici e grandi elettrodomestici.
Caratteristiche tecniche
Il package Thin-TOLL ha un fattore di forma di 8×8 mm e offre la migliore funzionalità TCoB (Thermal Cycling on Board) sul mercato. Il package TOLT è un contenitore con raffreddamento dal lato superiore (TSC) con un fattore di forma simile al TOLL. Entrambi i tipi di pacchetti offrono agli sviluppatori diversi vantaggi: il loro utilizzo nell’intelligenza artificiale e nelle unità di alimentazione del server (PSU), ad esempio, riduce lo spessore e la lunghezza delle schede figlie e consente un dissipatore di calore piatto.
Se utilizzato in microinverter, PSU 5G, PSU TV e SMPS, il package Thin-TOLL 8×8 consente di minimizzare l’area PCB occupata dai dispositivi di alimentazione sulla scheda madre, mentre TOLT mantiene sotto controllo la temperatura di giunzione dei dispositivi, dato che queste applicazioni utilizzano tipicamente il raffreddamento per convezione. Inoltre, i dispositivi TOLT completano il portafoglio industriale CoolSiC di Infineon con raffreddamento lato superiore, CoolSiC 750 V in Q-DPAK. Consentono agli sviluppatori di ridurre l’ingombro sul PCB occupato dai MOSFET SiC quando la potenza da fornire ai dispositivi non richiede un package Q-DPAK.
Disponibilità
I MOSFET CoolSiC 650 V G2 in ThinTOLL 8×8 e TOLT sono attualmente disponibili con RDS(ON) da 20, 40, 50 e 60 mΩ. Inoltre la variante TOLT è disponibile anche con un RDS(ON) di 15 mΩ. La famiglia di prodotti verrà ampliata con un portafoglio più granulare entro la fine del 2024. Maggiori informazioni sono disponibili all’indirizzo www.infineon.com/coolsic-gen2.
Infineon presenterà il CoolSiC MOSFET 650 V Generation 2 durante la manifestazione PCIM di Norimberga, Germania, in programma dall’11 al 13 giugno 2024, stand n. 470 2 169, padiglione 7.
