È il primo dispositivo discreto in carburo di silicio con una tensione di rottura di 2000 V sul mercato, ed è disponibile in un contenitore TO-247PLUS-4-HCC.
Infineon Technologies ha presentato oggi i nuovi MOSFET CoolSiC da 2000 V nel contenitore TO-247PLUS-4-HCC in grado di soddisfare la richiesta dei progettisti di una maggiore densità di potenza senza compromettere l’affidabilità del sistema anche in condizioni impegnative di alta tensione ed elevate frequenze di commutazione.
I MOSFET CoolSiC offrono una tensione di funzionamento DC più elevata in modo che la potenza possa essere aumentata senza aumentare la corrente. È il primo dispositivo discreto in carburo di silicio con una tensione di rottura di 2000 V sul mercato ed è disponibile in un contenitore TO-247PLUS-4-HCC con una creepage distance di 14 mm e una clearance distance di 5,4 mm. Grazie alle basse perdite di commutazione, i dispositivi sono ideali per applicazioni solari (ad es. inverter di stringa) nonché sistemi di accumulo dell’energia e applicazioni di ricarica dei veicoli elettrici.
La famiglia di prodotti CoolSiC MOSFET 2000 V è ideale per sistemi con collegamento DC fino a 1500 VDC. Rispetto ai MOSFET SiC da 1700 V, i dispositivi forniscono un margine di sovratensione sufficientemente elevato per i sistemi da 1500 VDC.
I MOSFET CoolSiC forniscono una tensione di soglia di gate di riferimento di 4,5 V e sono dotati di un robusto diodo body per applicazioni gravose. Grazie alla tecnologia di connessione .XT, i componenti offrono prestazioni termiche al top della categoria. Presentano inoltre un’elevata resistenza all’umidità.
Oltre ai MOSFET CoolSiC da 2.000 V, Infineon lancerà presto i relativi diodi CoolSiC: il primo lancio riguarderà il portafoglio di diodi da 2.000 V nel contenitore TO-247PLUS a 4 pin nel terzo trimestre del 2024, seguito dal portafoglio di diodi da 2.000 V in package TO-247-2 nell’ultimo trimestre del 2024. Questi diodi sono particolarmente adatti per applicazioni solari. È disponibile anche un idoneo portafoglio di gate driver.
Disponibilità
La famiglia di prodotti CoolSiC MOSFET 2000 V è già disponibile. Infineon offre anche la scheda di valutazione EVAL-COOLSIC-2KVHCC che gli sviluppatori possono utilizzare come piattaforma di test universale per valutare tutti i MOSFET e i diodi CoolSiC da 2000 V e la famiglia di prodotti EiceDRIVER Compact, in particolare il gate driver isolato a canale singolo 1ED31xx adatto a funzionare a doppio impulso o con PWM continuo. Maggiori informazioni sono disponibili al seguente link.
