martedì, Novembre 26, 2024
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Il processore utilizzato nel nuovo smartphone di punta di Huawei è stato prodotto dalla cinese SMIC con nodo di processo a 7 nm

Nonostante le sanzioni occidentali, l’industria cinese è riuscita a produrre un processore a 7 nm di appena due generazioni in ritardo rispetto ai prodotti...

Cadence porta l’intelligenza pervasiva ai massimi livelli con la piattaforma di elaborazione Tensilica di nuova generazione

L'ottava generazione della piattaforma Tensilica Xtensa LX offre significativi miglioramenti delle prestazioni a livello di sistema, offrendo al tempo stesso un'efficienza energetica ottimale.  Cadence Design...

IGBT ancora più robusti ed efficienti con la nuova serie 1350V di STMicroelectronics

I dispositivi STPOWER IH2 sono destinati ad applicazioni industriali e per sistemi di riscaldamento a induzione. STMicroelectronics ha rilasciato una nuova classe di IGBT con una...

Il MOSFET di potenza serie 650 VE di Vishay Intertechnology offre il fattore di merito più basso del settore

Il dispositivo di quarta generazione consente livelli di potenza e densità elevati, riducendo al contempo le perdite di conduzione e commutazione per aumentare l'efficienza. Vishay...

I microcontrollori wireless LoRaWAN di STMicroelectronics per i contatori intelligenti di Sindcon

STMicroelectronics ha annunciato oggi la sua collaborazione con Sindcon (Singapore) IoT Technology Pte Ltd, un fornitore di contatori intelligenti con sede a Singapore. L’accordo...

Bosch avvia la produzione in volumi di inverter SiC con tecnologia da 800V

Prodotti e soluzioni Bosch per la mobilità elettrica saranno in mostra presso l’IAA Mobility 2023 che si apre domani a Monaco di Baviera. Bosch annuncia...

Toshiba introduce MOSFET al carburo di silicio (SiC) di terza generazione con perdite di commutazione ridotte

I nuovi MOSFET in ​​package a 4 pin offrono prestazioni di commutazione migliorate dal 34 al 40 percento nelle applicazioni industriali rispetto agli attuali...

Samsung presenta la DRAM DDR5 da 32 Gb classe 12 nm con la capacità più elevata del settore, ideale per l’era dell’AI

Fornisce il doppio della capacità dei moduli da 16 Gb con le stesse dimensioni del package, consentendo la produzione di moduli DRAM da 128...

I nuovi circuiti integrati per stadi di potenza EcoGaN di ROHM contribuiscono alla riduzione di dimensioni e perdite

Volume dei componenti ridotto del 99% e perdita di potenza ridotta del 55% con la sostituzione dei tradizionali MOSFET in silicio.  ROHM ha sviluppato circuiti...

Dopo la partnership con onsemi, BorgWarner stringe un accordo con STMicroelectronics per le forniture di carburo di silicio

STMicroelectronics fornirà dispositivi in carburo di silicio per i moduli di potenza Viper di BorgWarner che equipaggeranno i veicoli elettrici di prossima generazione di...

Il National Cyber Security Center del Regno Unito conferma la validità della soluzione di sicurezza degli FPGA PolarFire di Microchip

Il Single-Chip Crypto Design Flow degli FPGA PolarFire di Microchip Technology "Riesaminato con successo" dall’agenzia di sicurezza britannica a conferma delle prestazioni leader del...

Toshiba introduce il primo modulo dual MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 2.200 V per il settore industriale

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation presenta il dispositivo MG250YD2YMS3, il primo modulo dual MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 2.200 V per impieghi...

Da Diodes Incorporated due nuove famiglie di interruttori ad effetto Hall per applicazioni alimentate a batteria

Diodes Incorporated ha presentato oggi due nuove famiglie di interruttori a effetto Hall monolitici e unipolari progettati per il rilevamento di prossimità in applicazioni...

Indie Semiconductor lancia il primo ricetrasmettitore radar al mondo da 240 GHz completamente integrato

La soluzione completamente integrata racchiude in un unico chip tutte le funzionalità di trasmettitore, ricevitore e antenna per una risoluzione di rilevamento e prestazioni...

ARM presenta una nuova gamma di sottosistemi di calcolo (CSS) basati sui core del processore Neoverse

Durante la HotChips Conference che si sta svolgendo presso la Stanford University (USA), ARM ha presentato i dettagli del primo prodotto della gamma Neoverse...

LAN9662: nuovo switch gigabit Ethernet con AVB/TSN e PHY integrati per automazione industriale

Il nuovo dispositivo integra un Real-Time Engine per elaborare al volo dati ciclici ad alta velocità. L'automazione industriale e la trasformazione digitale stanno guidando la...

Tektronix lancia la versione potenziata dell’applicazione per la simulazione di batterie KickStart Battery Simulator App

Grazie alla capacità di generare e simulare modelli di batterie, KickStart versione 2.11.0 permette di gestire con estrema semplicità cicli di test per...

Infineon presenta la variante H7 degli IGBT TRENCHSTOP discreti Gen7 da 650 V per applicazioni ad alta efficienza energetica

Infineon Technologies annuncia l’espansione della famiglia di IGBT TRENCHSTOP di settima generazione con la variante IGBT7 H7 discreta da 650 V. I dispositivi sono dotati...

TI semplifica il rilevamento della corrente con i sensori a effetto Hall più precisi del settore e con soluzioni a shunt integrato

Il sensore di corrente a effetto Hall isolato e con deriva minima riduce la complessità progettuale in sistemi ad alta tensione mentre la gamma...

STMicroelectronics annuncia l’ottenimento della certificazione Vodafone NB-IoT per i suoi moduli NB-IoT e GNSS ST87M01

STMicroelectronics ha annunciato l'ottenimento della certificazione da parte di Vodafone per i suoi moduli NB-IoT e GNSS ST87M01. L'ST87M01 combina la connettività IoT cellulare e la geolocalizzazione...