Canon lancia il guanto di sfida a ASML e ai suoi sistemi fotolitografici avanzati EUV con la nuova tecnologia nanoimprint lithography (NIL) che non utilizza complesse sorgenti luminose e che secondo l’azienda è in grado di realizzare microchip con nodo di processo fino a 2 nanometri.
Non esiste solo la fotolitografia EUV di ASML per realizzare semiconduttori avanzati. Da tempo, la giapponese Canon, oltre a realizzare avanzate macchine litografiche KrF per applicazioni di front-end, sta cercando di implementare la tecnologia a nanoimpronta (NIL, nanoimprint lithography) per eseguire il trasferimento di schemi di circuito sul wafer di silicio.
Oggi Canon ha annunciato il lancio dell’apparecchiatura di produzione di semiconduttori a nanoimpronta FPA-1200NZ2C che secondo l’azienda è in grado di realizzare microchip con nodo di processo fino a 2 nanometri.
Con l’immissione sul mercato di apparecchiature per la produzione di semiconduttori con tecnologia NIL, oltre ai sistemi di fotolitografia esistenti, Canon sta espandendo la propria linea di apparecchiature per la produzione di semiconduttori in grado di soddisfare le esigenze di un’ampia gamma di utenti.
Come funziona la tecnologia NIL
A differenza delle apparecchiature fotolitografiche convenzionali, che trasferiscono uno schema circuitale proiettandolo sul wafer rivestito di resist, il nuovo prodotto lo fa premendo una maschera con impresso lo schema circuitale sul resist del wafer come una sorta di timbro. Poiché il processo di trasferimento dello schema circuitale non passa attraverso un meccanismo ottico, l’elemento più complesso e costoso degli scanner EUV, la nuova macchina di Canon consente una significativa riduzione dei costi. In un’unica impronta è possibile formare fedelmente schemi circuitali complessi bi o tridimensionali.
Caratteristiche tecniche del sistema FPA-1200NZ2C
La tecnologia NIL di Canon consente la creazione di pattern con una larghezza di linea minima di 14 nm, equivalente al nodo da 5 nm richiesto per produrre i semiconduttori logici più avanzati attualmente disponibili. Inoltre, con un ulteriore miglioramento della tecnologia della maschera, si prevede che la tecnologia NIL consenta la modellazione del circuito con una larghezza di linea minima di 10 nm, corrispondente ad un nodo di 2 nm.
Il nuovo prodotto utilizza una tecnologia di controllo ambientale di nuova concezione che elimina la contaminazione da particelle fini nell’apparecchiatura.
Ciò consente l’allineamento ad alta precisione necessario per la produzione di semiconduttori con un numero crescente di strati e la riduzione dei difetti dovuti alle particelle fini, consentendo la formazione di circuiti minuscoli e complessi, contribuendo alla produzione di dispositivi a semiconduttore all’avanguardia.
Consumi energetici inferiori
Poiché il nuovo prodotto non richiede una sorgente luminosa con una lunghezza d’onda speciale, è in grado di ridurre significativamente il consumo energetico rispetto alle apparecchiature di fotolitografia per i semiconduttori logici più avanzati attualmente disponibili (nodo di 5 nm con larghezza di linea di 15 nm), contribuendo così alla riduzione delle emissioni di CO2.
Il nuovo prodotto può essere utilizzato per un’ampia gamma di applicazioni, come i metalenses per XR con microstrutture di decine di nanometri, oltre a dispositivi logici e altri semiconduttori.
Ulteriori informazioni sulle apparecchiature di produzione di semiconduttori di Canon sono disponibili qui.
 FPA-1200NZ2C per chip fino a 2 nanometri.){kind=link}