Nexperia ha annunciato oggi i suoi primi MOSFET al carburo di silicio (SiC) con il rilascio di due dispositivi discreti da 1200 V in packaging TO-247 a 3 pin, frutto della partnership con Mitsubishi Electric.
I nuovi NSF040120L3A0 e NSF080120L3A0 presentano valori di RDSON di 40 mΩ e 80 mΩ rispettivamente.
Si tratta di una prima serie di rilasci pianificati che vedranno il portafoglio di MOSFET SiC di Nexperia espandersi rapidamente per includere dispositivi con una varietà di valori RDSON in una scelta di modelli a fori passanti e per montaggio superficiale. Questi nuovi prodotti rispondono alla domanda del mercato per una maggiore disponibilità di MOSFET SiC ad alte prestazioni in applicazioni industriali, sistemi di ricarica per veicoli elettrici (EV), gruppi di continuità (UPS) e inverter per sistemi solari e di accumulo di energia (ESS).
Le dichiarazioni
“Con questi primi prodotti, Nexperia e Mitsubishi Electric hanno voluto portare vera innovazione in un mercato che richiedeva fornitori di dispositivi wide bandgap”, ha dichiarato Katrin Feurle, Direttore senior e responsabile del gruppo di prodotti SiC di Nexperia. “Nexperia ora può offrire dispositivi MOSFET SiC che offrono le migliori prestazioni della categoria rispetto a diversi parametri, tra cui elevata stabilità della temperatura, RDSON, bassa caduta di tensione del body diode, specifiche di tensione di soglia rigorose nonché una carica di gate molto ben bilanciata che rende il dispositivo sicuro contro l’accensione parassita. Questo è il capitolo di apertura del nostro impegno volto a produrre MOSFET SiC della massima qualità nell’ambito della nostra partnership con Mitsubishi Electric. Insieme spingeremo senza dubbio i confini delle prestazioni dei dispositivi SiC nei prossimi anni”.
“Insieme a Nexperia, siamo entusiasti di presentare questi nuovi MOSFET SiC come primo prodotto della nostra partnership”, ha dichiarato Toru Iwagami, Senior General Manager, Power Device da Works, Semiconductor & Device Group in Mitsubishi Electric. “Mitsubishi Electric ha accumulato una competenza superiore nei semiconduttori di potenza SiC e i nostri dispositivi offrono un equilibrio unico di caratteristiche”.
L’importanza di un basso RDSON
RDSON è un parametro prestazionale critico per i MOSFET SiC poiché influisce sulle perdite di potenza in conduzione. Nexperia ha identificato questo come un fattore limitante nelle prestazioni di molti dispositivi SiC attualmente disponibili e ha utilizzato la sua innovativa tecnologia di processo per garantire che i suoi nuovi MOSFET SiC offrano una stabilità di temperatura leader del settore, con il valore nominale di RDSON con una variazione limitata al 38% in un intervallo di temperature di esercizio compreso tra 25°C e 175°C.
Gli altri parametri
I MOSFET SiC di Nexperia presentano inoltre una carica di gate totale (QG) molto bassa, che offre il vantaggio di minori perdite di gate drive. Inoltre, Nexperia ha bilanciato la carica del gate per avere un rapporto eccezionalmente basso tra QGD e QGS, una caratteristica che aumenta l’immunità del dispositivo contro l’accensione parassita.
Insieme al coefficiente di temperatura positivo dei MOSFET SiC, i dispositivi di Nexperia offrono anche una diffusione estremamente bassa nella tensione di soglia da dispositivo a dispositivo (V GS(th)), che consente prestazioni di trasporto di corrente molto ben bilanciate in condizioni statiche e dinamiche quando i dispositivi vengono gestiti in parallelo. Inoltre, la bassa tensione diretta del diodo body (VSD) è un parametro che aumenta la robustezza e l’efficienza del dispositivo, riducendo al tempo stesso i requisiti di dead-time per il raddrizzamento asincrono e il funzionamento free-weeling.
Nexperia sta inoltre pianificando il futuro rilascio di MOSFET di grado automobilistico. NSF040120L3A0 e NSF080120L3A0 sono già disponibili in quantità di produzione. Ulteriori informazioni sui nuovi MOSFET SiC di Nexperia al seguente link.
