Infineon Technologies introduce nuove tecnologie a supporto di performance più avanzate per la famiglia di MOSFET di potenza SiC CoolSiC a 1200V. Si tratta della nuova famiglia CoolSiC denominata M1H, con componenti che verranno implementati anche in numerosi moduli della famiglia Easy, insieme a soluzioni discrete che utilizzano la tecnologia di interconnessione .XT. Il chip M1H offre un’elevata flessibilità ed è adatto per gli inverter degli impianti fotovoltaici, che devono soddisfare picchi di notevole intensità. Il chip è ideale anche per applicazioni di ricarica rapida nei veicoli elettrici, sistemi di accumulo di energia e altre applicazioni industriali.
Gli ultimi progressi della tecnologia di processo CoolSiC consentono una finestra operativa di gate molto più ampia che migliora il valore della resistenza in conduzione a parità di dimensioni del chip come illustrato di seguito:
Allo stesso tempo, la più ampia finestra operativa di gate fornisce un’elevata robustezza contro i picchi di tensione legati al driver e al layout, senza alcuna restrizione, anche a frequenze di commutazione più elevate. Insieme alla tecnologia del silicio M1H, è stata aggiornata anche la tecnologia del confezionamento e sono state adottate numerose varianti di package per consentire densità di potenza più elevate con maggiori opzioni per i progettisti che potranno adottare la soluzione più adatta alle loro esigenze.
I moduli Easy consentono una maggiore densità di potenza
La tecnologia M1H sarà integrata anche nella famiglia Easy per migliorare ulteriormente le prestazioni dei moduli Easy 1B e 2B. Verrà inoltre lanciato un nuovo prodotto che migliora il modulo Easy 3B con la tecnologia M1H. Il lancio di nuovi package massimizza la flessibilità e garantisce il più ampio portafoglio industriale. Con il chip M1H, la resistenza in conduzione dei moduli può essere notevolmente migliorata, rendendo i dispositivi più affidabili ed efficienti.
Inoltre, con una temperatura di giunzione massima di 175°C, aumenta anche la capacità di sovraccarico, consentendo una maggiore densità di potenza e una migliore risposta in caso di guasto. Rispetto al suo predecessore, l’M1H implementa nei moduli una differente RG interna, consentendo di ottimizzare facilmente il comportamento di commutazione. Ecco, a tale proposito, un confronto tra la tecnologia M1 e quella M1H:
Package discreti con bassissima resistenza di ON
Oltre alla famiglia di moduli Easy, il portafoglio CoolSiC MOSFET 1200 V M1H include nuovi MOSFET in package TO247-3 e TO247-4 con resistenza di ON bassissima, 7 mΩ, 14 mΩ e 20 mΩ. I nuovi dispositivi sono facili da integrare, grazie alle nuove possibilità di overshoot e undershoot offerti dalla tensione di gate, con i nuovi livelli gate-source che possono arrivare a -10V; anche per quanto riguarda la risposta all’effetto valanga e ai corto circuiti, i nuovi dispositivi offrono garanzie superiori.
La tecnologia di interconnessione .XT di Infineon, precedentemente introdotta nel package D2PAK-7L, è ora implementata anche nei dispositivi della famiglia TO. Le capacità di dissipazione termica sono migliorate di oltre il 30 percento rispetto a un’interconnessione standard. Tale beneficio termico può essere utilizzato per aumentare la potenza di uscita fino al 15%. In alternativa può essere utilizzato per aumentare la frequenza di commutazione al fine di ridurre ulteriormente i componenti passivi, ad es. nella ricarica di veicoli elettrici (EV) e nei sistemi di accumulo di energia fotovoltaica, per una maggiore densità di potenza con costi di sistema ridotti. Senza modificare le condizioni operative del sistema, la tecnologia .XT abbassa la temperatura di giunzione del MOSFET SiC, aumentando in modo significativo la durata del sistema e le capacità di alimentazione. Questo è un requisito fondamentale in applicazioni come, ad esempio, i servoazionamenti.
In generale, le nuove aggiunte di MOSFET CoolSiC da 1200 V M1H migliorano ulteriormente le possibilità offerte dalle applicazioni basate su SiC, per una rapida implementazione di energie pulite e una maggiore efficienza energetica.
I prodotti (moduli e componenti discreti) che implementano la tecnologia M1H sono già disponibili. Ulteriori informazioni al seguente link.
