Innoscience Technology, l’azienda focalizzata sulle soluzioni di alimentazione al nitruro di gallio su silicio (GaN on Si) a basso costo e altamente performanti, ha annunciato oggi il lancio di un nuovo alimentatore dimostrativo da 140 W ad elevatissima densità che utilizza i dispositivi HEMT (high-electron-mobility-transistor) al nitruro di gallio ad alta e bassa tensione che garantiscono efficienze superiori al 95% (230 V AC; 5 V / 28 A). L’alimentatore misura appena 60 x 60 x 22 mm e presenta una densità di potenza pari a 1,76 W/cm3.
Spiega Denis Marcon, Direttore generale Innoscience Europe e Direttore marketing per gli Stati Uniti e l’Europa: “Impiegando per questo progetto interruttori al GaN sia per le funzioni ad alta tensione che per quelle a bassa tensione siamo riusciti a massimizzare l’efficienza anziché comprometterla con dispositivi al silicio con maggiori perdite. Questo è stato possibile grazie alle capacità e ai processi di produzione ad alto volume e costo contenuto di Innoscience”.
L’adattatore AC/DC a 300 kHz da 140 W utilizza una topologia CRM Totem Pole PFC + AHB. Utilizza l’Innoscience INN650DA140A, un HEMT GaN da 650 V / 140 mΩ in package DFN da 5 x 6 mm per gli interruttori S1 e S2, l’INN650D240A da 650 V / 240 mΩ in package DFN da 8 x 8 mm per S3 e l’INN650DA240A, un dispositivo da 650 V / 240 mΩ in package DFN da 5 x 6 mm per S4. S5 ed S6 sono ottenuti con l’INN150LA070A, un componente LGA (Land Grid Array) da 150 V / 7 mΩ e 2,2 x 3,2 mm della gamma HEMT GaN a bassa tensione di Innoscience.
Aggiunge Yi Sun, General Manager presso Innoscience America e Senior Vice President Product & Engineering: “Questo dispositivo, pensato per utensili automatici e notebook USB PD3.1, presenta un’efficienza del 2% superiore rispetto a quelli al silicio, il che prova cosa può essere ottenuto se si utilizzano FET al GaN dovunque, anche in un progetto relativamente semplice”.
Fondata a dicembre 2015, Innoscience è l’unica azienda al mondo in grado di produrre in grandi volumi dispositivi GaN sia ad alta che a bassa tensione. Innoscience utilizza la propria tecnologia normalmente Off e vanta la più grande capacità nel settore di produzione per wafer da 200mm “GaN on Si”.
