La spinta all’elettrificazione e alla mobilità sostenibile sta guidando la crescita dell’elettronica di potenza che guarda con sempre maggiore interesse alle tecnologie SiC e GaN per incrementare l’efficienza dei sistemi di controllo e di conversione.
Si è concluso questa settimana a Houston (Texas) APEC 2022, il più importante evento mondiale dedicato all’elettronica di potenza organizzato dalla IEEE. La manifestazione, dopo due edizioni virtuali causa COVID, è tornata quest’anno in presenza, con un’area espositiva e con le tradizionali conferenze e presentazioni.
APEC 2022 ha visto la presenza di 218 produttori, tra i quali tutti i più importanti player del settore con l’eccezione di Wolfspeed (Cree). Un numero che evidenzia la frammentazione di un mercato dove, accanto ai nomi più noti dell’elettronica mondiale, operano anche tante piccole e piccolissime aziende e numerose startup innovative, specie nelle tecnologie emergenti come il nitruro di gallio (GaN), la tecnologia al centro quest’anno di moltissimi seminari e presentazioni nonché di tanti nuovi prodotti.
Se per quanto riguarda la principale tecnologia wide bandgap (WBG) – ovvero il carburo di silicio (SiC) – possiamo affermare che ormai si tratta di una tecnologia consolidata e affermata, l’evento di Houston ha evidenziato il forte interesse per le soluzioni al nitruro di gallio, in particolare per quelle utilizzate nei ricaricatori portatili, negli alimentatori per data center, nelle infrastrutture 5G e nei sistemi audio di potenza, un’applicazione, quest’ultima, emersa prepotentemente nell’ultimo periodo.
Le tecnologie più importanti nel settore dell’elettronica di potenza sono ormai tre, con il carburo di silicio (SiC) e il nitruro di gallio (GaN) che hanno affiancato il tradizionale silicio.
Prima di occuparci delle novità, tecnologiche e di prodotto, proposte dalle aziende in occasione di APEC 2022, diamo uno sguardo alle caratteristiche tecniche e alle quote di mercato di queste tre tecnologie.
Tecnologie a confronto: PSS (silicio), carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN)
Nel campo dell’elettronica di potenza, le prestazioni dei sistemi di conversione e controllo dipendono in gran parte dal dispositivo di potenza che funziona come interruttore di commutazione. Per molto tempo, i materiali in silicio hanno occupato una posizione dominante, ma insieme all’aumento della densità di potenza, ai livelli più elevati di velocità di commutazione e ai requisiti di alimentazione sempre più esigenti, le prestazioni dei dispositivi in silicio sembrano aver raggiunto limiti tecnici invalicabili, mentre i semiconduttori a banda larga (WBG) consentono di superare agevolmente questi vincoli. Di conseguenza, carburo di silicio (SiC) e nitruro di gallio (GaN), i due materiali utilizzati nei semiconduttori a banda larga, stanno rubando la scena (e il mercato) ai più tradizionali PSS. Di questi materiali, il carburo di silicio ha già conquistato posizioni di primo piano, in particolare nel mercato automobilistico e nei sistemi di potenza ad alta tensione, da 650V a 3,3kV.
Il seguente grafico, confronta le caratteristiche elettriche delle tre tecnologie:
Nei dispositivi wide bandgap il valore della banda proibita (eV) è circa 3 volte superiore ai dispositivi semiconduttori che utilizzano il silicio; maggiore è il valore della banda proibita, più adatto risulta il dispositivo per applicazioni ad alta tensione e alta potenza.
Per quanto riguarda l’intensità di campo che porta alla rottura del dielettrico, questa è addirittura 10 volte maggiore nei dispositivi WBG, con possibilità di operare con tensioni decisamente più elevate.
Anche la mobilità degli elettroni saturati è decisamente superiore; in questo caso, maggiore è il valore, più elevata può essere la velocità di commutazione del dispositivo, con conseguente riduzione delle perdite di energia.
La maggiore conducibilità termica, particolarmente evidente nei dispositivi SiC, consente di ridurre al minimo le dimensioni dei sistemi di raffreddamento, il che comporta un peso inferiore e una riduzione dei costi complessivi.
Il seguente grafico evidenzia gli attuali campi applicativi delle tre tecnologie:
In ultima analisi possiamo affermare che i dispositivi in silicio sono adatti a sistemi di elevata potenza, sono in grado di operare tra 25V e 6,5 kV e hanno un costo contenuto.
I prodotti a base di carburo di silicio (SiC) sono adatti a soluzioni di potenza ad elevata efficienza, possono operare con elevate frequenze di commutazione e sono indicati per tensioni comprese tra 650 V e 3,3 kV.
Infine, i prodotti al nitruro di gallio (GaN) sono adatti a sistemi di potenza più contenuta ma con elevatissima frequenza di commutazione e una altrettanto elevata efficienza, sono ultracompatti, e possono operare tra 80 e 600 V.
Mercato dei dispositivi di potenza al silicio (PSS)
Il mercato dei dispositivi di potenza che utilizzano il silicio è ancora di gran lunga il più importante grazie alla tecnologia consolidata, all’ampia gamma di prodotti disponibili ed ai prezzi contenuti.
Questa tecnologia viene utilizzata in tutti i settori dell’elettronica, dai dispositivi mobili ai data center, dai sistemi di trasporto alla distribuzione dell’energia.
Più recentemente, il mercato dei dispositivi in silicio è cresciuto sulla scia della spinta all’elettrificazione e della mobilità sostenibile.
Il seguente grafico riporta i più importanti player nei due principali settori PSS (MOSFET discreti e integrati di potenza) il cui mercato ha raggiunto nel 2020 un valore complessivo di oltre 32 miliardi di dollari:
Mercato dei dispositivi al carburo di silicio (SiC)
Secondo ReportLinker, il mercato globale dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio è stato di circa 630 milioni di dollari nel 2020 e si prevede che raggiungerà i 4,7 miliardi di dollari entro il 2026, con un CAGR del 42,41% nel periodo 2021-2026.
Ancora maggiori sono le previsioni di crescita del mercato dei dispositivi GaN (addirittura il CAGR previsto è del 70%); in questo caso c’è tuttavia da considerare che si parte da valori molto bassi, solo 47 milioni di vendite nel 2020.
Nel caso del carburo di silicio, la crescita è guidata dalle applicazioni in ambito automobilistico, seguite dalle applicazioni di conversione dell’energia in campo industriale ed energetico.
Sebbene i dispositivi SiC abbiano un costo intrinseco superiore a quello dei più tradizionali sistemi in silicio, il loro impiego negli inverter di trazione può ridurre dell’80% le perdite di potenza, migliorando del 5/10% il consumo energetico. Ciò, nel caso dei veicoli EV, si traduce in una maggiore autonomia. Tra gli altri vantaggi, c’è anche una drastica riduzione dei sistemi di dissipazione, un migliore utilizzo dello spazio e un peso inferiore, che aumenta ulteriormente l’autonomia del veicolo. In ultima analisi, anche se i dispositivi SiC hanno un costo superiore, i benefici economici complessivi superano ampiamente il maggiore onere iniziale. Oltre agli inverter per trazione, i dispositivi di potenza SiC possono essere utilizzati anche nei caricatori di bordo (OBC) e nei sistemi di conversione di potenza (DC/DC) dei veicoli elettrici, con ulteriori vantaggi.
Non c’è da meravigliarsi, dunque, se moltissimi produttori di semiconduttori stanno investendo molto nella tecnologia SiC.
La prima casa automobilistica ad adottare il carburo di silicio è stata Tesla nel 2018, quando Elon Musk decise di fare uso negli inverter della Model 3 dei MOSFET SiC di potenza da 650 V di STMicroelectronics. I nuovi prodotti hanno consentito, rispetto ai precedenti IGBT in silicio, di aumentare l’autonomia del 5-8 %.
Oltre ad un crescente successo di vendite, gli ultimi anni sono stati caratterizzati da una forte evoluzione tecnica che ha portato a dispositivi SiC più affidabili e più performanti, C’è stata anche una riduzione dei costi a causa della migrazione dai wafer a 4 pollici a quelli a 6 pollici, nonché all’utilizzo di processi di produzione più avanzati, come, ad esempio, la tecnologia Cold Split di Infineon che consente di ridurre gli scarti di lavorazione durante la produzione dei wafer.
Attualmente l’unica preoccupazione riguarda la capacità dei vari produttori di riuscire a fare fronte al fortissimo incremento della domanda di veicoli elettrici, un mercato che sta crescendo anch’esso ad un ritmo impressionante:
Nel 2021 le vendite di vetture completamente elettriche ed elettriche Plug-In ha raggiunto l’8,3% del totale di tutte le vetture consegnate; dieci anni fa era appena dello 0,2%.
Le vendite di vetture elettriche dovrebbero raggiungere nel 2022 10,4 milioni di unità, con una quota di mercato del 12,5%.
Questi i principali player del comparto SiC:
- Infineon Technologies
- Wolfspeed (CREE)
- ROHM
- STMicroelectronics
- Fuji Electric
- Onsemi
- General Electric
- Toshiba Corporation
- Renesas Electronics
- Microchip Technology
Mercato dei dispositivi al nitruro di gallio (GaN)
Negli ultimi due anni il mercato dei dispositivi GaN di potenza è raddoppiato grazie a un’impressionante penetrazione nei ricaricatori per smartphone, con l’affermarsi di nuovi protagonisti sul mercato, come Navitas che l’anno scorso è stata quotata al Nasdaq. È probabile che la ricarica rapida sia l’applicazione killer per il mercato dei dispositivi di alimentazione GaN.
Più a lungo termine, nei casi in cui GaN dimostri la sua affidabilità, è probabile una penetrazione nel mercato più impegnativo degli inverter EV/HEV e nel mercato industriale, il che potrebbe aumentare i volumi di produzione e la quota di mercato.
Alcune società, Nexperia e VisIC stanno già lavorando a soluzioni GaN per inverter EV in grado di competere con SiC e Si. Anche GaN Systems ha annunciato, in partnership con Universal Scientific Industrial Co., Ltd (USI), una sussidiaria di ASE Technologies, lo sviluppo di moduli di potenza GaN per il mercato dei veicoli elettrici.
La domanda di GaN è in crescita anche nelle applicazioni RF, in particolare nei moduli multi-chip 5G ad elevata efficienza energetica, come quello annunciato nel giugno 2021 da NXP Semiconductors. Negli ultimi anni, c’è stato un crescente utilizzo di questa tecnologia anche per i transistor di potenza RF utilizzati nelle infrastrutture 4G; rispetto ai transistor in silicio, i nuovi transistor GaN presentano un’efficienta maggiore, una più elevata densità di potenza e una superiore capacità di operare a frequenze più elevate.
Molto importante è anche il ruolo della tecnologia GaN nel segmento della optoelettronica, con il settore automobilistico (ADAS, LiDAR, illuminazione, sensoristica varia, ecc.) che rappresenta da tempo il mercato di riferimento per questi dispositivi.
Recentemente la tecnologia GaN è stata utilizzata per realizzare amplificatori audio di potenza in classe D dalle dimensioni particolarmente contenute e con un’efficienza elevatissima che consente di fare a meno dei dissipatori di calore anche nel caso di potenze di uscita dell’ordine delle centinaia di watt.
Attualmente sono questi i principali player nel settore delle applicazioni GaN:
- GaN Systems
- Wolfspeed (Cree)
- Infineon Technologies
- Efficient Power Conversion Corporation
- Fujitsu
- NexgenPowerSystems
- NXP Semiconductor
- Qorvo
- Texas Instruments Incorporated
- Toshiba Corporation
Le novità tecnologiche e di prodotto
Partiamo proprio dalle nuove applicazioni audio di potenza GaN lanciate in occasione di APEC 2022.
GaN Systems ha messo in mostra presso il proprio stand le casse attive Syng Alpha Cell, una delle 100 migliori invenzioni del 2021 secondo TIME, oltre al nuovo amplificatore audio senza dissipatore di calore da 500 W di Axign e GaN Systems.
L’azienda ha anche presentato il suo progetto di riferimento audio di classe D da 400 W e il suo nuovo progetto di riferimento del convertitore boost da 300 W per applicazioni automobilistiche, motociclistiche e marine.
Gan Systems ha anche presentato i piccolissimi caricabatterie GaN da 65 W e 100 W oltre ad un’ampia gamma di caricabatterie ottimizzati per smartphone, laptop e altri dispositivi di consumo da 45 W a 240 W. L’azienda ha anche presentato la gamma di modelli di riferimento per caricabatterie che supportano un time-to-market più rapido, tra cui il caricabatterie QR GaN da 65 W, il caricabatterie PD GaN intelligente Dual USB-C da 100 W e l’adattatore GaN AC/DC da 250 W.
Tra le aziende più attive nel settore dell’elettronica di potenza, la tedesca Infineon Technologies ha lanciato in occasione di APEC 2022 una nuova famiglia di MOSFET CoolSiC 650 V al carburo di silicio (SiC) in grado di offrire elevata affidabilità, facilità d’impiego e ottimo rapporto prezzo/prestazioni. I dispositivi si basano sulla avanzata tecnologia Trench SiC di Infineon e sono disponibili in un compatto package SMD D2PAK a 7 pin con tecnologia di interconnessione .XT. Sono particolarmente indicati per server, telecomunicazioni, SMPS, Ricarica veloce di veicoli elettrici, azionamenti a motore, sistemi ad energia solare, accumulo di energia, e testing delle batterie.
I nuovi prodotti offrono un comportamento di commutazione migliorato a correnti più elevate e una carica di recupero inversa (Qrr) e una carica drain-source (Qoss) inferiori dell’80% rispetto al miglior prodotto di riferimento in silicio. Le ridotte perdite di commutazione consentono l’impiego in sistemi ad alta frequenza di dimensioni ridotte, consentendo una maggiore efficienza e densità di potenza. La tecnologia trench è la base per un’affidabilità superiore del dielettrico di gate, il gate oxide. Insieme a una migliore resistenza ai corto-circuiti e all’effetto valanga, la nuova famiglia garantisce la massima affidabilità anche in ambienti difficili. I MOSFET SiC sono adatti per topologie con pesanti commutazioni ripetitive, nonché per operazioni gravose e ad alta temperatura. Grazie a una bassissima resistenza di conduzione (R DS(on)), presentano anche un ottimo comportamento termico.
In precedenze, l’azienda tedesca aveva presentato i nuovi MOSFET di potenza della famiglia OptiMOS 5 da 25 e 30 V in package PQFN 2mm x 2 mm x 1 mm e la famiglia di circuiti integrati gate driver a canale singolo EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V, famiglia di prodotti progettata per migliorare le prestazioni degli HEMT CoolGaN Schottky Gate (SG) ma che è anche compatibile con altri HEMT GaN e MOSFET al silicio della società.
Sempre a proposito di moduli di potenza, in occasione di APEC 2022, l’azienda aveva presentato la piattaforma Infineon Power Simulation (IPOSIM) per calcolare le perdite e il comportamento termico di moduli di potenza e componenti discreti.
In occasione di APEC 2022, STMicroelectronics ha rilasciato il suo convertitore flyback VIPerGaN50 da 50 W al nitruro di gallio (GaN) per alimentatori ad alta efficienza in applicazioni industriali e di consumo.
Il nuovo dispositivo semplifica la costruzione di convertitori flyback a interruttore singolo fino a 50 watt e integra un transistor di potenza al nitruro di gallio (GaN) da 650 V per un’efficienza energetica e una miniaturizzazione superiori.
Con la sua topologia a interruttore singolo e l’elevata integrazione, inclusi i circuiti di rilevamento della corrente e di protezione integrati, VIPerGaN50 è disponibile in un package compatto ed economico da 5 mm x 6 mm. La velocità del transistor GaN integrato consente un’elevata frequenza di commutazione con un trasformatore flyback piccolo e leggero. Sono necessari pochi componenti esterni aggiuntivi per progettare un alimentatore in modalità commutata (SMPS) avanzato e ad alta efficienza.
Recentemente STMicroelectronics ha anche presentato la sua terza generazione di MOSFET al carburo di silicio (SiC) STPOWER, il convertitore buck DC/DC programmabile STPD01 per applicazioni USB Power Delivery (PD) fino a 60 W, nuovi gate driver a doppio canale in grado di ottimizzare e semplificano i circuiti di commutazione SiC e IGBT, nonché nuovi MCU Stellar, specifici per applicazioni EV, in grado di facilitano le architetture centralizzate e semplificano i moduli per la conversione digitale della potenza.
Alla manifestazione di quest’anno ha preso parte anche Innoscience che ha presentato i propri dispositivi HEMT GaN.
I dispositivi dell’azienda spaziano dalla bassa tensione (30V-150V) all’alta tensione (650V) e sono ampiamente utilizzati in applicazioni che vanno dai caricabatterie/adattatori USB PD ai data center, dai telefoni cellulari ai driver LED. L’azienda è il più grande IDM del mondo completamente focalizzato sulla tecnologia GaN, con una capacità produttiva mensile di 10.000 wafer da 8 pollici. Tale capacità crescerà fino a 70.000 wafer entro il 2025.
APEC 2022 è stata l’occasione per presentare il dispositivo INN40W08, un transistor HEMT GaN-on-Si bidirezionale enhancement mode da 40V per dispositivi mobili, compresi laptop e telefoni cellulari. L’HEMT INN40W08 è stato sviluppato utilizzando l’avanzata tecnologia InnoGan dell’azienda che si caratterizza per una resistenza di conduzione ultra bassa.
Presso lo stand sono stati presentate anche diverse demo di soluzioni a bassa e alta tensione, frutto della collaborazione con i produttori di gate driver specializzati Heyday e MinDCet.
Tra i protagonisti di APEC 2022 dobbiamo segnalare ROHM, una delle aziende più attive nel settore dell’elettronica di potenza.
In occasione di APEC 2022 ROHM ha annunciato la prima serie della nuova famiglia EcoGaN in grado di ridurre i consumi e ottenere una riduzione delle dimensioni in numerose applicazioni di potenza.
Della famiglia fanno parte i dispositivi GaN HEMT da 150 V della serie GNE10xxTB (GNE1040TB) con tensione di tenuta di gate (tensione gate-source nominale) fino a 8 V, un valore leader nel settore che li rende ideali per l’impiego in circuiti di alimentazione in ambito industriale, telecomunicazioni, elaborazione dati e IoT.
Alla produzione di massa di dispositivi SiC leader di mercato e ai dispositivi in silicio dalle numerose funzionalità, ora ROHM affianca anche la disponibilità di dispositivi GaN dall’eccellente funzionamento in alta frequenza in una gamma di media tensione, aumentando le soluzioni di potenza disponibili per una molteplicità di applicazioni.
Questi nuovi prodotti utilizzano una struttura originale che aumenta la tensione gate-source nominale dai tradizionali 6 V a 8 V. Di conseguenza, anche nel caso in cui si verifichino overshoot superiori a 6 V in fase di commutazione, il dispositivo non viene danneggiato, offrendo così ai progettisti un margine di manovra superiore, a garanzia di una più elevata affidabilità dei circuiti di alimentazione. La serie GNE10xxTB è disponibile in un package particolarmente versatile dotato di elevata capacità di dissipazione del calore e di un’ampia capacità di corrente, facilitando la gestione del cablaggio.
ROHM ha anche lanciato QuiCur, una nuova tecnologia per alimentatori che migliora le caratteristiche di risposta ai transitori di carico (performance di risposta che verte su velocità di risposta e stabilità di tensione dello stadio seguente) dei circuiti integrati per convertitori DC/DC (regolatori switching) e LDO (regolatori lineari).
Da segnalare, infine, che pochi giorni prima della manifestazione, ROHM aveva annunciato che Lucid, un’azienda californiana di veicoli elettrici di lusso, aveva iniziato ad utilizzare i sui MOSFET di potenza al carburo di silicio (SiC) nella rivoluzionaria vettura Lucid Air.
Numerose le novità annunciate da Texas Instruments in occasione di APEC 2022.
L’azienda si è focalizzata in particolare sulla riduzione delle emissioni elettromagnetiche, del rumore e della corrente a riposo, aumentando nel contempo la densità di potenza e l’affidabilità.
TI ha presentato i nuovi convertitori buck da 36 V, 3 A LMQ66430 e LMQ66430-Q1 che integrano due condensatori di bypass di ingresso e un condensatore di avvio, una soluzione che consente di soddisfare facilmente le normative CISPR 25 per EMI di Classe 5 del CISPR (Comité International Spécial des Perturbations Radioélectriques); offrono inoltre una soluzione dalle dimensioni complessive eccellenti, con un valore di corrente di riposo (IQ) ai vertici nel settore pari a 1,5 µA e costi ridotti della distinta base.
TI ha anche presentato il regolatore lineare a basso dropout (LDO) TPS7A94 che unisce il rumore più basso del settore, pari a 0,446 µVRMS (di almeno il 42% inferiore alle soluzioni concorrenti), ad un elevato rapporto di reiezione dell’alimentazione, che permette ai progettisti di migliorare l’accuratezza e la precisione del sistema in applicazioni ad alta sensibilità, come le apparecchiature mediche e le infrastrutture wireless e radar.
Tra le demo presentate, di particolare interesse lo stadio di potenza trifase da 800 V e 11 kW con topologia multilevel ANPC (active neutral-point clamped) con elementi di potenza al nitruro di gallio (GaN): questa dimostrazione si basa su un Progetto di riferimento per inverter ANPC da 6,6 kW con elementi di potenza GaN LMG3422R030 da 600 V che rendono possibile l’impiego di un’elevata frequenza di commutazione che consente l’uso di induttori di dimensioni inferiori; ne consegue un aumento della densità di potenza e un’efficienza di picco del 98,5% nelle applicazioni di ricarica di veicoli elettrici e negli impianti solari.
Anche Analog Devices ha messo in mostra i suoi prodotti a basse emissioni, in particolare i dispositivi di conversione con tecnologia Silent Switcher.
L’architettura Silent Switcher riduce al minimo le emissioni EMI consentendo ai regolatori μModule di superare CISPR22 classe B. La combinazione di Silent Switcher con l’ampia gamma di frequenza operativa riduce al minimo le EMI e lo rende ideale per applicazioni sensibili al rumore. I regolatori Silent Switcher a quattro uscite configurabili possono sostituire 2, 3 o 4 moduli della concorrenza a uscita singola. Il cliente qualifica solo un codice articolo invece di più moduli di uscita singoli.
APEC 2022 è stata l’occasione per Microchip Technology per lanciare i nuovi dispositivi di alimentazione al carburo di silicio (SiC). I MOSFET SiC da 3,3 kV e i diodi a barriera Schottky (SBD) estendono le opzioni dei progettisti per l’elettronica di potenza ad alta tensione nei sistemi di trasporto, energetici e industriali.
I MOSFET da 3,3 kV presentano la resistenza in conduzione RDS(ON) più bassa del settore mentre gli SBD SiC offrono la più alta corrente nominale disponibile sul mercato; la combinazione di questi due componenti consente soluzioni ad alte prestazioni robuste e affidabili.
Con l’espansione del portafoglio SiC di Microchip, i progettisti potranno sviluppare soluzioni più piccole, leggere ed efficienti per il trasporto, le energie rinnovabili, le applicazioni aerospaziali e industriali.
I MOSFET e gli SBD da 3,3 kV di Microchip si aggiungono al portafoglio di soluzioni SiC dell’azienda che include die da 700 V, 1200 V e 1700 V, discreti, moduli e gate driver digitali.
Alcuni mesi fa, Microchip Technology ha annunciato una significativa espansione del proprio portafoglio di dispositivi di potenza a radiofrequenza (RF) al nitruro di gallio (GaN) con nuovi MMIC e transistor discreti con capacità fino a 20 gigahertz.
Per onsemi APEC 2022 è stata l’occasione per presentare il nuovo controller a segnale misto con topologia bridgeless totem pole PFC (TP PFC) NCP1681. Basato sul precedente NCP1680, il nuovo controller estende la capacità di potenza nella gamma dei kilowatt.
In passato, i progetti TP PFC richiedevano l’uso di un microcontrollore che aggiungeva complessità al progetto e richiedeva la scrittura di un programma. Con l’NCP1681, è necessario aggiungere solo pochi componenti esterni e nessuna linea di codice per una soluzione TP PFC completa, risparmiando così tempo, costi e spazio.
L’NCP1681 può essere configurato per funzionare in modalità di conduzione continua (CCM) a frequenza fissa o in modalità multimodale, in cui il controller passa naturalmente tra CCM e modalità di conduzione critica (CrM) per prestazioni ottimali con tutti i livelli di potenza.
Oltre ai controllori TP PFC, onsemi ha messo in mostra l’ampia gamma di MOSFET SiC e gate driver isolati che possono essere utilizzati per le topologie totem pole. I dispositivi MOSFET SiC hanno una bassa resistenza (RDS(ON)) e dimensioni del chip compatte che garantiscono bassa capacità e ridotta carica di gate (Qg), offrendo la massima efficienza in un sistema di dimensioni ridotte, aumentando così la densità di potenza.
